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北京愛歐德儀器設(shè)備有限公司
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當(dāng)前位置:北京愛歐德儀器設(shè)備有限公司>>金屬探測儀系例>>磁力儀>> AODS-HH型振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)

振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)

參  考  價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號AODS-HH型

品       牌愛歐德/Aioude

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地北京市

更新時(shí)間:2017-02-11 12:28:55瀏覽次數(shù):966次

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振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì) 高靈敏度磁強(qiáng)記 高靈敏度便問測量儀
型號:AODS-HH型
HH型振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(高場)
用途
此系統(tǒng)的磁場由電磁鐵提供,故磁場較強(qiáng),可適應(yīng)大范圍磁性材料的測量。同時(shí),對順磁,抗磁物質(zhì)的磁化率測量遠(yuǎn)較磁稱法更為快速而準(zhǔn)確。

振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)   高靈敏度磁強(qiáng)記  高靈敏度便問測量儀

  型號:AODS-HH型

HH型振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(高場)

用途

此系統(tǒng)的磁場由電磁鐵提供,故磁場較強(qiáng),可適應(yīng)大范圍磁性材料的測量。同時(shí),對順磁,抗磁物質(zhì)的磁化率測量遠(yuǎn)較磁稱法更為快速而準(zhǔn)確。

型號規(guī)格

HH型系列

HH-10(10000 Oe)

HH-15(15000 Oe)

HH-20(20000 Oe)

技術(shù)指標(biāo)

型號

HH-10

HH-15

HH-20

電源輸出

Imax(A)

≥20

≥45

≥75

Vmax(V)

DC:120240

Z大磁場Hmax(T)
(
極面直徑:7cm;極距5cm)

1.0

1.5

2.0

Z高靈敏度(emu
(極距5cm,70%Hmax)

 36×10-5

特點(diǎn)

1.磁場線圈由掃描電源激磁,其掃描速度和幅度均可自由調(diào)節(jié)。磁化場的大小和方向是用通過磁場測量單元高斯計(jì)測定,以保證磁場測量更準(zhǔn)確。掃描電流輸出的激磁電流,,無任何機(jī)械部件,故可實(shí)現(xiàn)磁化場的平滑過零功能。
2.振動(dòng)頭具有雙級減振結(jié)構(gòu),可有效阻斷振子與外界的振動(dòng)偶聯(lián);用信號振蕩器進(jìn)行驅(qū)動(dòng),使其振幅可達(dá)2mm左右。具有三維調(diào)節(jié)功能,可準(zhǔn)確地將樣品調(diào)整到檢測線圈鞍部區(qū)。
3.檢測線圈采用全封閉型四線圈無凈差式,具有較強(qiáng)的抑制噪音能力和大的有效輸出信號,保證了整機(jī)的高分辨性能。
4.磁矩測量信號和與其對應(yīng)的其它信號(磁場、溫度等)可通過電腦化x-y記錄儀實(shí)現(xiàn)計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)處理。
5.Z高靈敏度在磁極間距50mm(檢測線圈間距為30mm)的情況下,可達(dá)36×10-5emu(注:此為動(dòng)態(tài)測試)。
6.磁極間距50mm(檢測線圈間距為30mm),可以保證在高靈敏度條件下的變溫測量。

一. 概述:

作為物質(zhì)(特別是鐵磁性材料)內(nèi)稟磁性檢測的通用設(shè)備,振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)因其投資小、堅(jiān)固耐用,特別是運(yùn)轉(zhuǎn)費(fèi)用極低等顯著優(yōu)點(diǎn)而被世界各國廣泛運(yùn)用于科研、教學(xué)和生產(chǎn)檢測等眾多領(lǐng)域,為人類的科技進(jìn)步作出了巨大貢獻(xiàn)。其工作原理大體如圖所示。

 

 

 

 

 

  其中,驅(qū)動(dòng)元w的功率輸出饋給振動(dòng)子v,以使振桿p帶動(dòng)被外磁化場He磁化了的樣品s做小幅正弦式上下振動(dòng),探測線圈C所“感知”到的樣品s的信號電壓輸出饋給相關(guān)接受放大系統(tǒng)(-K)。磁場探測單元G的輸出VH與(-K)放大單元的輸出VJ同相位地一并饋給數(shù)據(jù)處理單元D。從而當(dāng)He變化一個(gè)周期后,D即可繪出樣品s的J-He曲線,此處的J定義為樣品s的總磁矩,即J=MV=σm,其M、V、σ、m分別表示樣品s的磁化強(qiáng)度,體積,比(質(zhì)量)磁化強(qiáng)度及質(zhì)量。D所處理的是兩路電壓信號,即(-K)一路代表磁矩而G一路代表相對應(yīng)的外磁化場He,因此必須特別注意Z后繪制出的J-He曲線(或M-He、σ-He)未必能正確表示所測樣品s的磁特性,因?yàn)閂SM為開磁路測量,其所記錄的磁化場He未必就是樣品s的內(nèi)磁場,要想得到s的真實(shí)磁化強(qiáng)度與內(nèi)磁場Hi的函數(shù)關(guān)系,必須將所測得的He轉(zhuǎn)化成Hi,并將所測J-He曲線轉(zhuǎn)化成J-Hi曲線——此曲線才是樣品s的真實(shí)特性。要做到這點(diǎn),就必須預(yù)知樣品s的在He方向上的退磁因子N,利用Hi=He-NM關(guān)系逐點(diǎn)求出與(MHe)相對應(yīng)的坐標(biāo)點(diǎn)(MHi),從而繪成M-Hi(或J-Hi)曲線,并可利用B=Hi+4πM的關(guān)系式繪制出技術(shù)參量B-Hi曲線,由此曲線求得諸如硬磁材料樣品s的剩磁Br、矯頑力BHc、Z大磁能級(BHi)max等磁學(xué)量。要做到以上幾點(diǎn),關(guān)鍵是要知道s在被測方向上的N,而這在一般情況下是辦不到的。通常在旋轉(zhuǎn)橢球體及其退化形式如球形、薄膜形、線形等特殊形狀的樣品時(shí),方能夠用VSM準(zhǔn)確測出內(nèi)稟磁性與內(nèi)磁化場的函數(shù)關(guān)系,并可由此關(guān)系推演出有關(guān)技術(shù)參量(即B-Hi)。從此點(diǎn)也可說VSM的*功能是測材料的飽和磁化強(qiáng)度,不提先決條件而夸大VSM功能的宣傳內(nèi)容都是不可取的。

VSM有一項(xiàng)衡量其水平高低的主要技術(shù)指標(biāo):Z高靈敏度。此數(shù)值應(yīng)指在特定條件下(主要是指磁極與樣品的距離以及外磁化場He的大?。┰撛O(shè)備所能探測到的樣品Z小信號,即小于此數(shù)值的信號將被淹沒在背景噪音中而無法檢測出。

  一般而論,磁極間距越小,磁極越靠近樣品,靈敏度將越高,但隨之而來的則導(dǎo)致磁場鞍部區(qū)變窄,測試結(jié)果的重復(fù)性降低,不可靠性增大,這是我們不希望出現(xiàn)的現(xiàn)象..而要改變此情況,就必須將檢測線圈間距增加(即磁極間距增大),但此時(shí)將導(dǎo)致Z高靈敏度的下降。因此,被測信號的可信賴度與系統(tǒng)的Z高靈敏度是互相矛盾的,單強(qiáng)調(diào)一方面顯然是不恰當(dāng)?shù)?。另外,較小的磁極間距無法作變溫測量。我廠產(chǎn)品的磁極間距為50mm,檢測線圈間距為30mm,常溫與高、低溫測量都是在此條件下進(jìn)行,這既保證了測試結(jié)果的可靠性,又保證了具有足夠高的靈敏度(3-6×10-5emu)。

  He越大則可能導(dǎo)致背景噪音增大從而Z高靈敏度下降,這實(shí)際上是磁場電源質(zhì)量好壞的一種體現(xiàn)。我廠產(chǎn)品的Z高靈敏度測試條件是在額定Z高磁場的80%內(nèi)測量。

  故而,凡不提前提條件而僅表述VSM的Z高靈敏度,是有誤導(dǎo)使用者之嫌。另外,Z高靈敏度是以背景噪音的尺度來衡量的,因而,對噪音的標(biāo)度方法不同(采用均方值?峰-峰值?),即使是同一設(shè)備,其結(jié)果也不同。我單位采用的是峰-峰值標(biāo)度方法。

二.本廠生產(chǎn)的VSM型式規(guī)格:

1.低場型(LH型)

  利用無鐵芯線圈對產(chǎn)生磁化場,Z大值為±400 Oe;無觸點(diǎn)平滑過零自動(dòng)掃描電源,有手動(dòng)、自動(dòng)兩種工作模式,在自動(dòng)狀態(tài)下可以人為控制掃描速度。特點(diǎn)為無電磁鐵型的剩磁效應(yīng),操作空間大,磁場均勻空間廣,特別適合特軟磁性薄膜的測量工作。由于其探頭可隨時(shí)移出工作區(qū),因而可適合特軟薄膜磁電阻效應(yīng)的測量。(諸如GMR、TMR、AMR、鐵磁/反鐵磁交換偏置效應(yīng)等的研究工作)。

由于其投資少,還特別適合高年級學(xué)生及研究生的實(shí)驗(yàn)教學(xué)工作。

技術(shù)參數(shù)及特點(diǎn):Hmax=±400 Oe,在此范圍內(nèi)可任意調(diào)節(jié)、且不用高斯計(jì)檢測磁場。樣品所處空間位置可由振動(dòng)頭三維調(diào)節(jié),故極易將樣品置于工作點(diǎn),Z高靈敏度3~6×10-5emu(探測線圈間距30mm時(shí));探測線圈間距可人為隨時(shí)調(diào)整,以適用不同需要。由于探測線圈可方便地移離工作區(qū)而將均勻磁場區(qū)出空,故在配以磁電阻測量單元時(shí),可方便地進(jìn)行MR的檢測工作,可作教學(xué)設(shè)備。配以兩路數(shù)據(jù)處理單元以實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)曲線的觀察、記錄和保存;可配變溫裝置以實(shí)現(xiàn)變溫測量。

2.電磁鐵型(HH型)

  電磁鐵配以可調(diào)大功率自動(dòng)掃描電源以獲取所需外磁化場,樣品驅(qū)動(dòng)單元直接架設(shè)在電磁鐵磁軛上以實(shí)現(xiàn)造型的美觀化,且可調(diào)節(jié)樣品的任意被測方向,以實(shí)現(xiàn)各向異性的檢測需求。磁場強(qiáng)度及靈敏度檔次可由用戶自行決定。

  技術(shù)規(guī)格及特點(diǎn):

  1、磁化場由電磁鐵和高穩(wěn)定度、低紋波系數(shù)的自動(dòng)平滑過零掃描電源聯(lián)合提供,同時(shí),電源設(shè)有手動(dòng)調(diào)節(jié)模式,可設(shè)置在所需穩(wěn)恒磁場的恒流狀態(tài)下測量;在自動(dòng)掃描模式狀態(tài),能在設(shè)定的磁化場范圍內(nèi),通過選定的掃描速度而實(shí)現(xiàn)在該磁場范圍內(nèi)的自動(dòng)掃描。目前,Z高磁場強(qiáng)度有2×104Oe、1.5×104Oe、1×104Oe等可供選擇;

  2、振動(dòng)頭(即前述的V)可在三維方向調(diào)節(jié)振桿(P)的位置,因而可將樣品(s)置于工作點(diǎn)。

  3、磁場大小由多檔高斯計(jì)直接測量,其表頭直接顯示實(shí)際磁場大小并將相應(yīng)信號饋給數(shù)據(jù)處理單元,以實(shí)現(xiàn)與磁矩測量單元一一對應(yīng)的實(shí)時(shí)數(shù)字化記錄。

  4、檢測線圈由相應(yīng)機(jī)構(gòu)緊壓在兩極面上,其檢測線圈Z大間距為30mm,以保證該系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)變溫測量。且可隨時(shí)取下檢測線圈以讓出Z大的可利用磁場空間作其他用處(如MR測量等)。磁矩測量信號和與其對應(yīng)的其他信號(磁場、溫度等)可通過電腦化X-Y記錄儀實(shí)現(xiàn)計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)處理。

  在上述檢測線圈間距以及磁化場≤104Oe的情況下,背景噪音峰-峰值(即Z高靈敏度)優(yōu)于3~6×10-5emu,本廠也可根據(jù)客戶需求,提供價(jià)格較便宜的高場、更高靈敏度但非變溫型VSM

三、選配件

  1、薄膜磁電阻測量系統(tǒng):采用差值法測量MR以實(shí)現(xiàn)△R/R≤0.1%的高靈敏測量;樣品夾具可帶動(dòng)樣品做360o轉(zhuǎn)動(dòng)以實(shí)現(xiàn)不同方向上的MR觀察,特別適合配在本場生產(chǎn)的LH型VSM上。

  2、變溫裝置;

 ?、俑邷兀捎勉K絲作為發(fā)熱元件,水體冷卻以保證在Z高600℃的情況下爐體外表仍為室溫,有效地保護(hù)VSM的檢測線圈不受到傷害,且不致產(chǎn)生因檢測線圈所處溫度不同導(dǎo)致的定標(biāo)常數(shù)的變化。此系統(tǒng)采用手控調(diào)節(jié)的方法,以保證在導(dǎo)入爐體后,VSM整體靈敏度不出現(xiàn)下降的現(xiàn)象。以上兩點(diǎn)有效地克服了高溫測量時(shí)所出現(xiàn)的一些通病,可作為居里溫度(可自動(dòng)記錄)和內(nèi)稟磁性隨溫度變化規(guī)律的檢測。

  ②低溫—可實(shí)現(xiàn)室溫至77oK的溫控測量。

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