涂建國
、產(chǎn)品簡介
HDYM-III絕緣子鹽密度測試儀用于電力系統(tǒng)防污閃檢測,是測量絕緣子表面等值附鹽密度(以下簡稱“鹽密”)的測量儀器,同時(shí)還可以測量溶液的電導(dǎo)率和溫度。整機(jī)以其測量精度高、測量范圍大、使用方便等特點(diǎn)廣泛地應(yīng)用于電力、教學(xué)、科研及其它相關(guān)行業(yè)。
污穢等級的劃分和污穢等級分布圖的繪制是防污閃工作的基礎(chǔ),準(zhǔn)確的污穢等級分布圖是選擇輸、變電設(shè)備電瓷外絕緣爬距的依據(jù)。絕緣子表面等值附鹽密度值是判斷電瓷外絕緣污穢狀況嚴(yán)重程度的定量數(shù)據(jù),是劃分污穢等級和繪制污區(qū)圖的重要依據(jù)之一。因此,鹽密測量工作對電力系統(tǒng)安全運(yùn)行有著重要的意義。
參照標(biāo)準(zhǔn):
GB/T16434 – 1996《高壓架空線路和發(fā)電廠、變電所環(huán)境污穢分級及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》
GB/T16434-200X《污穢條件下高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第1部分:定義、信息和一般原則》
Q/GDW152-2006《高壓架空線路和發(fā)電廠、變電所環(huán)境污區(qū)分級及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》
相關(guān)術(shù)語:
1、參照盤形懸式絕緣子 reference cap and pin insulator
XP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤形懸式絕緣子(根據(jù)GB/T 7253),通常7~9片組成一串用來測量現(xiàn)場污穢度。
2、爬電距離 creepage distance
在兩個(gè)導(dǎo)電部分之間,沿絕緣體表面的距離。
注:水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認(rèn)為是爬電距離的構(gòu)成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層,則該部分應(yīng)認(rèn) 為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應(yīng)包括在爬電距離內(nèi)。
3、統(tǒng)一爬電比距 unified specific creepage distance(USCD)
絕緣子的爬電距離與其兩端承擔(dān)的運(yùn)行電壓(對于交流系統(tǒng),為相電壓)之比,mm/kV。
4、附鹽密度 salt deposit density(SDD)
人工涂覆于給定絕緣子表面(不包括金屬部件和裝配材料)NACL總量除以表面積,mg/cm²。
5、等值附鹽密度 equivalent salt deposit density(ESDD)
絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量,mg/cm²。
6、不溶物密度(簡稱灰密) non soluble deposit density(NSDD)
絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積,mg/cm²。
7、現(xiàn)場等值鹽度 site equivalent salinity(SES)
根據(jù)GB/T 4585進(jìn)行鹽霧試驗(yàn)時(shí)的鹽度。用該鹽度試驗(yàn),在相同絕緣子和相同電壓下,產(chǎn)生的泄露電流峰值與現(xiàn)場自然污穢條件下的泄露電流基本相同。
8、現(xiàn)場污穢度 site pollution severity(SPS)
在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間段內(nèi)測量到的污穢嚴(yán)重程度ESDD/NSDD或SES的值。
9、現(xiàn)場污穢度等級 site pollution severity class
將污穢嚴(yán)重程度從非常輕到非常嚴(yán)重按SPS的分級。
10、帶電系數(shù)K1 energy coefficient K1
同形式絕緣子帶電所測ESDD/NSDD(SES)值與非帶電所測ESDD/NSDD(SES)值之比,K1一般為1.1~1.5。
二、功能特點(diǎn)
(1)具有量程自動(dòng)切換功能,測量速度快(3s/次)。
(2)測量范圍大,鹽密范圍0.0001mg/cm2~9.9999mg/cm2。
(3)中英文界面可自主切換。
(4)采用480*272(5英寸)彩色觸摸液晶屏幕。
(5)可直接顯示并打印鹽密度、電導(dǎo)率、溫度、污穢等級、統(tǒng)一爬電比距。
(6)自動(dòng)進(jìn)行溫度補(bǔ)償,直接顯示20℃時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)電導(dǎo)率和等值附鹽(ESDD)。
(7)具有自動(dòng)祛除原溶液含鹽量的功能,降低了對清洗液的要求。
(8)自動(dòng)將不帶電測量的鹽密度(ESDD)轉(zhuǎn)換為帶電測量的鹽密度(ESDD)。
(9)可存儲(chǔ)10萬組記錄,并可將記錄導(dǎo)出至U盤或通過打印機(jī)打印。
(10)可查閱、刪除、導(dǎo)出單條記錄,也可刪除所有記錄。
(11)內(nèi)置大容量充電鋰電池(2600mAh),適合野外現(xiàn)場使用。
三、產(chǎn)品參數(shù)
3.1 測量范圍:
鹽密:0.0001mg/cm2~9.9999mg/cm2(按X-4.5型絕緣子為準(zhǔn))
測量溫度:0℃~100℃
測量電導(dǎo)率:0~200000μs/cm
3.2 基本誤差:
測量鹽密:分辨率0.0001 mg/cm2
滿量程精度:±2%
測量溫度:分辨率0.1℃,精度±0.5℃
測量電導(dǎo)率:分辨率0.01μs/cm
3.3 環(huán)境溫度:0℃~60℃。
3.4 環(huán)境濕度: <90%。
3.5 體積與重量
整機(jī)機(jī)箱尺寸:長356mm*寬260mm*高133mm。
整機(jī)重量:約2.5Kg。
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漏電流試驗(yàn)是測量被試物在不同直流電壓作用下的直流泄漏電流值。泄漏電流試驗(yàn)與測量絕緣電阻的原理基本相同,不同之處在于:①泄漏電流試驗(yàn)中所用的直流電源一般均由高壓整流設(shè)備供給,電壓高并可任意調(diào)節(jié),并用微安表來指示泄漏電流值;②對不同電壓等級的被試物,施以相應(yīng)的試驗(yàn)電壓,可以更有效地檢測出絕緣受潮的情況和局部缺陷(能靈敏地反應(yīng)瓷質(zhì)絕緣的裂紋、夾層絕緣的內(nèi)部受潮及局部松散斷裂、絕緣油劣化、絕緣的沿面炭化等);③在試驗(yàn)過程中要根據(jù)微安表的指示,隨時(shí)了解絕緣狀況。
對于絕緣良好的絕緣物,其泄漏電流與外加直流電壓應(yīng)是線性關(guān)系,但大量實(shí)驗(yàn)證明,泄漏電流與外施直流電壓僅能在一定有電壓范圍內(nèi)保持近似的線性關(guān)系;當(dāng)直流電壓達(dá)到一定程度時(shí),泄漏電流開始不線性地上升,絕緣電阻值隨之下降;當(dāng)直流電壓超過一定值后,泄漏電流將急劇上升,絕緣電阻值急劇下降,后導(dǎo)致絕緣破壞,發(fā)生擊穿。在實(shí)際試驗(yàn)中,所加的直流電壓應(yīng)選擇在使其伏安特性近似于直線。當(dāng)絕緣全部或局部有缺陷或者受潮時(shí),泄漏電流將急劇增加,其伏安特性也就不再呈直線了。因此,通過試驗(yàn)可以檢出被試物有無絕緣或受潮,特別是在發(fā)現(xiàn)絕緣的局部缺陷方面,此項(xiàng)試驗(yàn)更有其特殊意義。
泄漏電流試驗(yàn)時(shí)的吸收現(xiàn)象與絕緣電阻試驗(yàn)時(shí)一樣,具有良好絕緣的大電容量試品的吸收現(xiàn)象十分顯著,泄漏電流將隨著時(shí)間的延長而下降。如果在一定電壓下沒有吸收現(xiàn)象,并且泄漏電流反而隨著作用時(shí)間的加長而上升,甚至微安表的指示擺動(dòng)或跳動(dòng),則表明異常,應(yīng)查明原因。
- 試驗(yàn)接線及設(shè)備儀器
通通常用字半波整流獲得直流高壓。整流設(shè)備主要由升壓變壓器、整流元件和測量儀表組成,其中整流元件可采用高壓硅堆,硅堆置于高壓側(cè)。根據(jù)微安表的位置,主要分為:低壓接線法和高壓接線法。
低壓接線法——將微安表接在試驗(yàn)變壓器高壓繞組的尾部接線端。由于微安表處于低壓側(cè),讀表比較安全方便,但無法消除絕緣表面的泄漏電流和高壓引線的電暈電流所產(chǎn)生的測量誤差,因此,現(xiàn)場試驗(yàn)多采用高壓法進(jìn)行。 內(nèi)蒙古絕緣子鹽密度測試儀廠商
高壓接線法——將微安表接在試品前。這種接線法,由于微安表牌高壓側(cè),放在屏蔽架上,并通過屏蔽線與試品的屏蔽環(huán)(濕度不大時(shí),可以不設(shè),而空置在試品側(cè))相連,這樣就避免了接線的測量誤差。但由于微安表處于高壓側(cè),則會(huì)給讀數(shù)帶來不便。
2、試驗(yàn)步驟
- 接線完成后須由工作負(fù)責(zé)人檢內(nèi)蒙古絕緣子鹽密度測試儀廠商查,檢查內(nèi)容包括試驗(yàn)接線有無錯(cuò)誤,各儀表量程是否合適,試驗(yàn)儀器現(xiàn)場儀表布局是否合理,試驗(yàn)人員的位置是否正確。
- 將被試品充分放電,指示儀表調(diào)零,調(diào)壓器置零位。
- 測量電源電壓值并分清電源的火、地線,電源火、地線應(yīng)與單相調(diào)壓器的對應(yīng)端子相接。
- 合上電源刀閘,給升壓回路加電,然后用單相調(diào)壓器逐步升壓至預(yù)先確定的試驗(yàn)電壓值。按被試品要求的停留時(shí)間,讀取泄漏電