涂建國(guó)
、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
HDYM-III絕緣子鹽密度測(cè)試儀用于電力系統(tǒng)防污閃檢測(cè),是測(cè)量絕緣子表面等值附鹽密度(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“鹽密”)的測(cè)量?jī)x器,同時(shí)還可以測(cè)量溶液的電導(dǎo)率和溫度。整機(jī)以其測(cè)量精度高、測(cè)量范圍大、使用方便等特點(diǎn)廣泛地應(yīng)用于電力、教學(xué)、科研及其它相關(guān)行業(yè)。
污穢等級(jí)的劃分和污穢等級(jí)分布圖的繪制是防污閃工作的基礎(chǔ),準(zhǔn)確的污穢等級(jí)分布圖是選擇輸、變電設(shè)備電瓷外絕緣爬距的依據(jù)。絕緣子表面等值附鹽密度值是判斷電瓷外絕緣污穢狀況嚴(yán)重程度的定量數(shù)據(jù),是劃分污穢等級(jí)和繪制污區(qū)圖的重要依據(jù)之一。因此,鹽密測(cè)量工作對(duì)電力系統(tǒng)安全運(yùn)行有著重要的意義。
參照標(biāo)準(zhǔn):
GB/T16434 – 1996《高壓架空線(xiàn)路和發(fā)電廠(chǎng)、變電所環(huán)境污穢分級(jí)及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》
GB/T16434-200X《污穢條件下高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第1部分:定義、信息和一般原則》
Q/GDW152-2006《高壓架空線(xiàn)路和發(fā)電廠(chǎng)、變電所環(huán)境污區(qū)分級(jí)及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》
相關(guān)術(shù)語(yǔ):
1、參照盤(pán)形懸式絕緣子 reference cap and pin insulator
XP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤(pán)形懸式絕緣子(根據(jù)GB/T 7253),通常7~9片組成一串用來(lái)測(cè)量現(xiàn)場(chǎng)污穢度。
2、爬電距離 creepage distance
在兩個(gè)導(dǎo)電部分之間,沿絕緣體表面的距離。
注:水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認(rèn)為是爬電距離的構(gòu)成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層,則該部分應(yīng)認(rèn) 為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應(yīng)包括在爬電距離內(nèi)。
3、統(tǒng)一爬電比距 unified specific creepage distance(USCD)
絕緣子的爬電距離與其兩端承擔(dān)的運(yùn)行電壓(對(duì)于交流系統(tǒng),為相電壓)之比,mm/kV。
4、附鹽密度 salt deposit density(SDD)
人工涂覆于給定絕緣子表面(不包括金屬部件和裝配材料)NACL總量除以表面積,mg/cm²。
5、等值附鹽密度 equivalent salt deposit density(ESDD)
絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量,mg/cm²。
6、不溶物密度(簡(jiǎn)稱(chēng)灰密) non soluble deposit density(NSDD)
絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積,mg/cm²。
7、現(xiàn)場(chǎng)等值鹽度 site equivalent salinity(SES)
根據(jù)GB/T 4585進(jìn)行鹽霧試驗(yàn)時(shí)的鹽度。用該鹽度試驗(yàn),在相同絕緣子和相同電壓下,產(chǎn)生的泄露電流峰值與現(xiàn)場(chǎng)自然污穢條件下的泄露電流基本相同。
8、現(xiàn)場(chǎng)污穢度 site pollution severity(SPS)
在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間段內(nèi)測(cè)量到的污穢嚴(yán)重程度ESDD/NSDD或SES的值。
9、現(xiàn)場(chǎng)污穢度等級(jí) site pollution severity class
將污穢嚴(yán)重程度從非常輕到非常嚴(yán)重按SPS的分級(jí)。
10、帶電系數(shù)K1 energy coefficient K1
同形式絕緣子帶電所測(cè)ESDD/NSDD(SES)值與非帶電所測(cè)ESDD/NSDD(SES)值之比,K1一般為1.1~1.5。
二、功能特點(diǎn)
(1)具有量程自動(dòng)切換功能,測(cè)量速度快(3s/次)。
(2)測(cè)量范圍大,鹽密范圍0.0001mg/cm2~9.9999mg/cm2。
(3)中英文界面可自主切換。
(4)采用480*272(5英寸)彩色觸摸液晶屏幕。
(5)可直接顯示并打印鹽密度、電導(dǎo)率、溫度、污穢等級(jí)、統(tǒng)一爬電比距。
(6)自動(dòng)進(jìn)行溫度補(bǔ)償,直接顯示20℃時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)電導(dǎo)率和等值附鹽(ESDD)。
(7)具有自動(dòng)祛除原溶液含鹽量的功能,降低了對(duì)清洗液的要求。
(8)自動(dòng)將不帶電測(cè)量的鹽密度(ESDD)轉(zhuǎn)換為帶電測(cè)量的鹽密度(ESDD)。
(9)可存儲(chǔ)10萬(wàn)組記錄,并可將記錄導(dǎo)出至U盤(pán)或通過(guò)打印機(jī)打印。
(10)可查閱、刪除、導(dǎo)出單條記錄,也可刪除所有記錄。
(11)內(nèi)置大容量充電鋰電池(2600mAh),適合野外現(xiàn)場(chǎng)使用。
三、產(chǎn)品參數(shù)
3.1 測(cè)量范圍:
鹽密:0.0001mg/cm2~9.9999mg/cm2(按X-4.5型絕緣子為準(zhǔn))
測(cè)量溫度:0℃~100℃
測(cè)量電導(dǎo)率:0~200000μs/cm
3.2 基本誤差:
測(cè)量鹽密:分辨率0.0001 mg/cm2
滿(mǎn)量程精度:±2%
測(cè)量溫度:分辨率0.1℃,精度±0.5℃
測(cè)量電導(dǎo)率:分辨率0.01μs/cm
3.3 環(huán)境溫度:0℃~60℃。
3.4 環(huán)境濕度: <90%。
3.5 體積與重量
整機(jī)機(jī)箱尺寸:長(zhǎng)356mm*寬260mm*高133mm。
整機(jī)重量:約2.5Kg。
更多產(chǎn)品詳情請(qǐng)咨詢(xún)武漢華頂電力設(shè)備有限公司
有的各種系統(tǒng)中,干擾信號(hào)抑制主要包括硬件和軟件兩個(gè)方面的措施。雖然硬件抑制方法有一定的效果,但是現(xiàn)場(chǎng)干擾會(huì)隨著環(huán)境、設(shè)備負(fù)載以及運(yùn)行方式的改變而改變,硬件抑制方法難以達(dá)到理想的效果。
隨著數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)的發(fā)展,高頻局部放電檢測(cè)中的干擾抑制措施主要依靠軟件實(shí)現(xiàn)。目前常用的數(shù)字化抗干擾方法主要有:脈沖平均法、數(shù)字濾波法、信號(hào)相關(guān)法、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)法以及小波分析法。小波變換是基于非平穩(wěn)信號(hào)的分析手段,在時(shí)域、頻域同時(shí)具有良好的局部化性質(zhì),非常適合于不規(guī)則、瞬變信號(hào)的處理,越來(lái)越多的用于高頻局部放電檢測(cè)的干擾抑制措施中。
對(duì)于放電信號(hào)的區(qū)分,一方面可利用前述的抗干擾技術(shù),將外界干擾噪聲抑制到較小水平,另一方面也可通過(guò)與不同缺陷放電特征數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行對(duì)比,即進(jìn)行放電信號(hào)的模式識(shí)別。模式識(shí)別的主要步驟包括放電信號(hào)的測(cè)量、放電信號(hào)特征提取與分類(lèi)和特征指紋庫(kù)比對(duì)三個(gè)步驟,從而判斷所測(cè)信號(hào)是否為真實(shí)的放電信號(hào)以及是何種放電。一種模式識(shí)別方法是利用相位統(tǒng)計(jì)譜圖的形狀特點(diǎn),通過(guò)計(jì)算統(tǒng)計(jì)譜圖的偏斜度、陡峭度以及相互關(guān)聯(lián)因素等特征參數(shù),從而對(duì)缺陷類(lèi)型進(jìn)行確認(rèn)和識(shí)別。另外一種是聚類(lèi)分析法,該方法主要將放電信號(hào)按其各自的等效頻率、等效時(shí)長(zhǎng)或其它與波形相關(guān)的特征參量進(jìn)行分類(lèi),形成時(shí)頻域映射譜圖。時(shí)頻譜圖的特點(diǎn)是多個(gè)放電源、不同放電類(lèi)型的局部放電脈沖會(huì)被映射到不同聚點(diǎn),這樣便于在局部放電相位譜圖上將真實(shí)放電和噪聲干擾區(qū)分開(kāi)來(lái)如圖5-8所示。還有一種聚類(lèi)原理是利用三相同步局部放電檢測(cè)技術(shù),對(duì)耦合到的信號(hào)進(jìn)行幅度、相位或頻率的計(jì)算,從而進(jìn)行分類(lèi),如平頂山絕緣子鹽密度測(cè)試儀選型圖5-9所示。
圖5-8 局部放電時(shí)頻映射譜圖[16] 圖5-9 三相局部放電同步檢測(cè)聚類(lèi)譜圖[28]
(二)放電源的定位
對(duì)于電力電纜運(yùn)行情況下局部放電源的定位,較為簡(jiǎn)單的方法是利用高頻局部放電檢測(cè)傳感器在電纜終端、各個(gè)接頭處分別進(jìn)行局部放電信號(hào)的檢測(cè),通過(guò)對(duì)比分析不同傳感器位置放電信號(hào)的時(shí)域和頻域特征,來(lái)進(jìn)行放電源的大致定位。該方法主要利用的是放電脈沖信號(hào)在電纜中傳輸衰減原理,隨著放電信號(hào)的傳播,放電信號(hào)幅值減小,上升時(shí)間下降、脈沖寬度變寬,信號(hào)高頻分量嚴(yán)重衰減等,因而可利用這些特點(diǎn)大致判斷出放電源的位置。但值得注意的是該方法較為粗平頂山絕緣子鹽密度測(cè)試儀選型略,精度較低,僅能大致判斷出在哪個(gè)接頭附近或哪兩接頭間存在缺陷。
另一種方法是利用分布式局部放電同步檢測(cè)技術(shù)。該方法與上述方法類(lèi)似,但不同的是在連續(xù)幾個(gè)接頭