涂建國
一、產(chǎn)品簡介
HDYM-III絕緣子鹽密度測試儀用于電力系統(tǒng)防污閃檢測,是測量絕緣子表面等值附鹽密度(以下簡稱“鹽密”)的測量儀器,同時(shí)還可以測量溶液的電導(dǎo)率和溫度。整機(jī)以其測量精度高、測量范圍大、使用方便等特點(diǎn)廣泛地應(yīng)用于電力、教學(xué)、科研及其它相關(guān)行業(yè)。
污穢等級的劃分和污穢等級分布圖的繪制是防污閃工作的基礎(chǔ),準(zhǔn)確的污穢等級分布圖是選擇輸、變電設(shè)備電瓷外絕緣爬距的依據(jù)。絕緣子表面等值附鹽密度值是判斷電瓷外絕緣污穢狀況嚴(yán)重程度的定量數(shù)據(jù),是劃分污穢等級和繪制污區(qū)圖的重要依據(jù)之一。因此,鹽密測量工作對電力系統(tǒng)安全運(yùn)行有著重要的意義。
參照標(biāo)準(zhǔn):
GB/T16434 – 1996《高壓架空線路和發(fā)電廠、變電所環(huán)境污穢分級及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》
GB/T16434-200X《污穢條件下高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第1部分:定義、信息和一般原則》
Q/GDW152-2006《高壓架空線路和發(fā)電廠、變電所環(huán)境污區(qū)分級及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》
相關(guān)術(shù)語:
1、參照盤形懸式絕緣子 reference cap and pin insulator
XP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤形懸式絕緣子(根據(jù)GB/T 7253),通常7~9片組成一串用來測量現(xiàn)場污穢度。
2、爬電距離 creepage distance
在兩個(gè)導(dǎo)電部分之間,沿絕緣體表面的距離。
注:水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認(rèn)為是爬電距離的構(gòu)成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層,則該部分應(yīng)認(rèn) 為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應(yīng)包括在爬電距離內(nèi)。
3、統(tǒng)一爬電比距 unified specific creepage distance(USCD)
絕緣子的爬電距離與其兩端承擔(dān)的運(yùn)行電壓(對于交流系統(tǒng),為相電壓)之比,mm/kV。
4、附鹽密度 salt deposit density(SDD)
人工涂覆于給定絕緣子表面(不包括金屬部件和裝配材料)NACL總量除以表面積,mg/cm²。
5、等值附鹽密度 equivalent salt deposit density(ESDD)
絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量,mg/cm²。
6、不溶物密度(簡稱灰密) non soluble deposit density(NSDD)
絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積,mg/cm²。
7、現(xiàn)場等值鹽度 site equivalent salinity(SES)
根據(jù)GB/T 4585進(jìn)行鹽霧試驗(yàn)時(shí)的鹽度。用該鹽度試驗(yàn),在相同絕緣子和相同電壓下,產(chǎn)生的泄露電流峰值與現(xiàn)場自然污穢條件下的泄露電流基本相同。
8、現(xiàn)場污穢度 site pollution severity(SPS)
在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間段內(nèi)測量到的污穢嚴(yán)重程度ESDD/NSDD或SES的值。
9、現(xiàn)場污穢度等級 site pollution severity class
將污穢嚴(yán)重程度從非常輕到非常嚴(yán)重按SPS的分級。
10、帶電系數(shù)K1 energy coefficient K1
同形式絕緣子帶電所測ESDD/NSDD(SES)值與非帶電所測ESDD/NSDD(SES)值之比,K1一般為1.1~1.5。
二、功能特點(diǎn)
(1)具有量程自動(dòng)切換功能,測量速度快(3s/次)。
(2)測量范圍大,鹽密范圍0.0001mg/cm2~9.9999mg/cm2。
(3)中英文界面可自主切換。
(4)采用480*272(5英寸)彩色觸摸液晶屏幕。
(5)可直接顯示并打印鹽密度、電導(dǎo)率、溫度、污穢等級、統(tǒng)一爬電比距。
(6)自動(dòng)進(jìn)行溫度補(bǔ)償,直接顯示20℃時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)電導(dǎo)率和等值附鹽(ESDD)。
(7)具有自動(dòng)祛除原溶液含鹽量的功能,降低了對清洗液的要求。
(8)自動(dòng)將不帶電測量的鹽密度(ESDD)轉(zhuǎn)換為帶電測量的鹽密度(ESDD)。
(9)可存儲(chǔ)10萬組記錄,并可將記錄導(dǎo)出至U盤或通過打印機(jī)打印。
(10)可查閱、刪除、導(dǎo)出單條記錄,也可刪除所有記錄。
(11)內(nèi)置大容量充電鋰電池(2600mAh),適合野外現(xiàn)場使用。
三、產(chǎn)品參數(shù)
3.1 測量范圍:
鹽密:0.0001mg/cm2~9.9999mg/cm2(按X-4.5型絕緣子為準(zhǔn))
測量溫度:0℃~100℃
測量電導(dǎo)率:0~200000μs/cm
3.2 基本誤差:
測量鹽密:分辨率0.0001 mg/cm2
滿量程精度:±2%
測量溫度:分辨率0.1℃,精度±0.5℃
測量電導(dǎo)率:分辨率0.01μs/cm
3.3 環(huán)境溫度:0℃~60℃。
3.4 環(huán)境濕度: <90%。
3.5 體積與重量
整機(jī)機(jī)箱尺寸:長356mm*寬260mm*高133mm。
整機(jī)重量:約2.5Kg。
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絕緣子試驗(yàn)1.絕緣子的交接試驗(yàn)項(xiàng)目:
(1)絕緣電阻測量(2)交流耐壓試驗(yàn)
2.絕緣子的交接試驗(yàn)內(nèi)容(1)絕緣電阻測量試驗(yàn)儀器:2500V兆歐表
試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):應(yīng)在良好的天氣下進(jìn)行。影響絕緣電阻的因素很多,溫度、濕度、表面清潔及干燥程度等都要考慮。對于多元件支柱式絕緣子,每一元件的絕緣電阻、懸式絕緣子每片絕緣電阻均不低于300MΩ,認(rèn)為合格。 絕緣電阻不小于500 MΩ。
(2)交流耐壓試驗(yàn)試驗(yàn)儀器:交流耐壓設(shè)備試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):在絕緣子兩端施加工頻交流電壓,35 kV及以下電壓等級的支柱絕緣子,可在母線安裝完畢后一起進(jìn)行,試驗(yàn)電壓是純瓷的42kV,固體有機(jī)絕緣的38 kV;懸式絕緣子的交流耐壓試驗(yàn)電壓均取60 kV?,F(xiàn)在做整體耐壓試驗(yàn),包括斷路器、電流互感器、絕緣子和母排,取其小值33KV。在一分鐘內(nèi)無放電無閃絡(luò)即認(rèn)為合格。
注意:對于純瓷式絕緣子因?yàn)樗淮嬖诶塾?jì)效應(yīng),所以交接試驗(yàn)電壓同出廠試驗(yàn)電壓相同。對非純瓷絕緣子存在著累計(jì)效應(yīng),所以交接試驗(yàn)電壓低于出廠試驗(yàn)電壓。
八.微機(jī)綜合保護(hù)裝置 微機(jī)綜保裝置是用于測量、控制、保護(hù)、通訊一體化的一種經(jīng)濟(jì)型保護(hù);
1.微機(jī)綜合保護(hù)裝置的交接試驗(yàn)項(xiàng)目
(1)二次回路絕緣電阻測(2)二次回路交流耐壓試驗(yàn)3)定值傳動(dòng)試驗(yàn)(4)一次升流試驗(yàn)
2.微機(jī)綜合保護(hù)裝置的交接試驗(yàn)內(nèi)容(1)二次回路絕緣電阻測試;
試驗(yàn)儀器:500V兆歐表試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):二次回路試驗(yàn)小母線在斷開所有其它并聯(lián)支路時(shí)測量絕緣電阻;二次回路的每一支路和斷路器、隔離開關(guān)的操動(dòng)機(jī)構(gòu)的電源回路等均需測量。
絕緣電阻不小于1 MΩ。
(2)二次回路交流耐壓試驗(yàn); 試驗(yàn)儀器:兆歐表
試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):電壓為1000V,絕緣值在10MΩ以上時(shí),可采用2500V兆歐表代替,試驗(yàn)持續(xù)時(shí)間為1min,或符合產(chǎn)品技術(shù)規(guī)定。48V及以下電壓等級回路可不做交流耐壓試驗(yàn)。 1min耐壓試驗(yàn),無異常現(xiàn)象。 說明:回路中有電子元器件設(shè)備的,試驗(yàn)時(shí)應(yīng)將插件拔出或者將其兩端短接
(3)定值傳動(dòng)試驗(yàn);伊春市絕緣子鹽密度測試儀報(bào)價(jià)伊春市絕緣子鹽密度測試儀報(bào)價(jià)
試驗(yàn)儀器:繼電保護(hù)測試儀
試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):繼電保護(hù)測試儀給綜保輸入模擬故障信號,故障信號按保護(hù)定值一次給信號,查看綜保動(dòng)作情況。
顯示值與標(biāo)準(zhǔn)值應(yīng)該相符,95%故障電流不動(dòng)作,故障電流或105%故障電流可靠動(dòng)作
如: *電流速斷(整定值:Izd=0.80A,T=0.30S)