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當(dāng)前位置:北京精科智創(chuàng)科技發(fā)展有限公司>>材料電學(xué)高溫測(cè)試設(shè)備>>高低溫介電測(cè)量系統(tǒng)>> BMJD-400薄膜變溫低溫介電測(cè)量系統(tǒng)
BMJD-400薄膜變溫低溫介電測(cè)量系統(tǒng)
SPJD-1200四通道測(cè)試高溫介電溫譜測(cè)量系統(tǒng)
產(chǎn)地 | 國(guó)產(chǎn) | 加工定制 | 否 |
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BMJD-400薄膜變溫低溫介電測(cè)量系統(tǒng)
關(guān)鍵詞:低溫,薄膜介電,真空
BMJD-400薄膜低溫介電測(cè)量系統(tǒng)低溫介電測(cè)量系統(tǒng)是一款科變溫測(cè)試設(shè)備,應(yīng)用于低溫環(huán)境下材料、器件的導(dǎo)電、介電特性測(cè)量與分析,通過(guò)配置不同的測(cè)試設(shè)備,完成不同參數(shù)的測(cè)試。應(yīng)用于陶瓷、薄膜、半導(dǎo)體、食品、生物、制藥及其它固體材料的阻抗與介電性能測(cè)量。
一、主要用途:
1、測(cè)量以下參數(shù)隨溫度(T)、頻率(f)、電平(V)、偏壓(Vi)的變化規(guī)律:
2、測(cè)量電容(C)、電感(L)、電阻(R)、電抗(X)、阻抗(Z)、相位角(¢)、電導(dǎo)(G)、電納(B)、導(dǎo)納(Y)、損耗因子(D)、品質(zhì)因素(Q)等參數(shù),
3、同時(shí)計(jì)算獲得反應(yīng)材料導(dǎo)電、介電性能的復(fù)介電常數(shù)(εr)和介質(zhì)損耗(D)參數(shù)。
4、可測(cè)試低溫環(huán)境下材料、器件的介電性能
5、可以根據(jù)用戶需求,定制開(kāi)發(fā)居里溫度點(diǎn)Tc、機(jī)電耦合系數(shù)Kp、機(jī)械品質(zhì)因素Qm及磁導(dǎo)率μ等參數(shù)的測(cè)量與分析。系統(tǒng)集低溫環(huán)境、溫度控制、樣品安裝于一體;具有體積小、操作簡(jiǎn)單控溫精度高等特點(diǎn)。
二、主要技術(shù)參數(shù):
1、薄膜樣品尺寸:0-25MM
2、塊體樣品尺寸:0-25MM
3、樣品環(huán)境:真空
4、氣氛環(huán)境:液氮
5、變溫環(huán)境:-200。C-400。C
6、溫控及測(cè)量探頭:6芯真空免電磁干擾
7、測(cè)試方式:軟件控制,連續(xù)變溫,逐點(diǎn)控溫。
8、電壓信號(hào):16位A/D轉(zhuǎn)換
9、溫度精度:0.01。C
10、極限真空度:5*10-2
11、校準(zhǔn)樣品:自動(dòng)校準(zhǔn)
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