眉山麥克在線設(shè)備有限公司 |
一體式水份分析儀
參考價 | 面議 |
- 型號 LPDT
- 品牌
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
- 所在地 眉山市
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更新時間:2020-01-24 12:20:00瀏覽次數(shù):576
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概述:
美國LPDT一體式水份分析儀采用HTF(超薄膜氧化鋁)傳感器技術(shù)測量氣體中的微量水份。相比與傳統(tǒng)氧化鋁技術(shù),HTF(超薄膜氧化鋁)技術(shù)具有快速響應(yīng)性、高敏感性和*穩(wěn)定性的優(yōu)點(diǎn)。
原理:
氧化鋁水份測量原理:
所有的氧化鋁水份測量原理都是相同的 -- 傳感器的電容量隨水分子在氧化鋁層中的濃度變化而變化。傳感器電容的電極是外表的鍍金層和內(nèi)部的鋁芯。 傳統(tǒng)的氧化鋁技術(shù)是在60 - 70年代的研究和開發(fā)成果。
HTF -超薄膜氧化鋁技術(shù)
HTF (超薄膜氧化鋁技術(shù)) 是90年代金屬表面氧化技術(shù)的成果。 氧化鋁超薄膜技術(shù)具有如下的結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn):
1. 超薄膜 HTF 在鋁表面形成非常薄的的氧化層。 超薄的氧化層使水分子更加自由的進(jìn)出氧化層, 從而大大提高傳感器的響應(yīng)速度。 HTF技術(shù)比傳統(tǒng)氧化鋁技術(shù)的響應(yīng)速度快幾倍。
2. 過度層HTF技術(shù)的鋁和氧化鋁的過度層非常薄, 從而使傳感器的電極非常接近(外表的鍍金層和內(nèi)部的鋁芯)。 因而傳感器在干濕轉(zhuǎn)換過程中的電容量變化非常明顯。 相比傳統(tǒng)的氧化鋁技術(shù), 這種高電容量變化特性有效的抑制其它外界因素對傳感器電容量的影響, 如環(huán)境溫度和老化的因素。
3. 氧化鋁薄膜的多孔幾何結(jié)構(gòu)HTF氧化鋁表層的多孔幾何結(jié)構(gòu)是非常不同與傳統(tǒng)氧化鋁表層的吸水結(jié)構(gòu)。當(dāng)水分子進(jìn)入HTF氧化鋁表層的多孔幾何結(jié)構(gòu)時, 從而增加了電介質(zhì), 提高了電容量。另外, HTF氧化鋁表層的多孔幾何結(jié)構(gòu)可以保證*的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。相比之下傳統(tǒng)氧化鋁表層的吸水性結(jié)構(gòu)缺少結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性, 隨著時間的推移, 氧化鋁表層的吸水結(jié)構(gòu)會退化成非吸水結(jié)構(gòu)。
HTF技術(shù)的測量優(yōu)勢
1. 與傳統(tǒng)氧化鋁傳感器相比, HTF傳感器具有300倍以上的濕度敏感性
2. HTF傳感器具有*的穩(wěn)定性和抗老化性
3. 溫度對HTF傳感器整個測量范圍的影響可以忽略
4. 具有很強(qiáng)的抗腐蝕和抗污染性
5. HTF傳感器無需定期的飄移校驗
技術(shù)規(guī)格:
傳感器: 超薄膜型高電容量氧化鋁
露點(diǎn)范圍:XTR-100型: -100°C 至 +20°C (-148°F 至 +68°F)
XTR- 65型: -65°C 至 +20°C?。?85°F 至 +68°F)
電 容:15 nF 至 200 nF
精 度:±3°C
重 復(fù) 性:±0.5°C
溫度范圍:-30°C 至 +50°C (-22°F 至 104°F)
樣品流量:100m/s
壓力標(biāo)準(zhǔn): 34巴
特 殊: 340巴
指 示 器:LCD數(shù)顯, 露點(diǎn)°C,ppmv, gH2o/m3; 等
輸 出:4-20mA
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