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更新時(shí)間:2016-08-29 16:15:18瀏覽次數(shù):172次
聯(lián)系我時(shí),請告知來自 儀表網(wǎng)MHY-7795型數(shù)字式四探針測試儀.是運(yùn)用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器。
儀器由主機(jī)、測試臺(tái)、四探針探頭、計(jì)算機(jī)等部分組成,測量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示,亦可由計(jì)算機(jī)控制測試采集測試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析,然后以表格,圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測試結(jié)果。
儀器采
四探針測試儀. 四探針檢測儀 四探針測定儀/四探針電阻率測定儀
型號:MHY-7795
MHY-7795型數(shù)字式四探針測試儀.是運(yùn)用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器。
儀器由主機(jī)、測試臺(tái)、四探針探頭、計(jì)算機(jī)等部分組成,測量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示,亦可由計(jì)算機(jī)控制測試采集測試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析,然后以表格,圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測試結(jié)果。
儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。
本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試。
技 術(shù) 指 標(biāo) :
測量范圍 電阻率:10-5~105 Ω.cm(可擴(kuò)展);
方塊電阻:10-4~106 Ω/□(可擴(kuò)展);
電導(dǎo)率:10-5~105 s/cm;
電阻:10-5~105 Ω;
可測晶片直徑 140mmX150mm(配S-2A型測試臺(tái));
200mmX200mm(配S-2B型測試臺(tái));
400mmX500mm(配S-2C型測試臺(tái));
恒流源 電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔,各檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表 量程及表示形式:000.00~199.99mV;
分辨力:10μV;
輸入阻抗:>1000MΩ;
精度:±0.1% ;
顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性、超量程自動(dòng)顯示;
四探針探頭基本指標(biāo) 間距:1±0.01mm;
針間絕緣電阻:≥1000MΩ;
機(jī)械游移率:≤0.3%;
探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm;
探針壓力:5~16 牛頓(總力);
四探針探頭應(yīng)用參數(shù) (見探頭附帶的合格證)
模擬電阻測量相對誤差
( 按JJG508-87進(jìn)行) 0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字
整機(jī)測量大相對誤差 (用硅標(biāo)樣片:0.01-180Ω.cm測試)≤±5%
整機(jī)測量標(biāo)準(zhǔn)不確定度 ≤5%
計(jì)算機(jī)通訊接口 并口,高速并行采集數(shù)據(jù),連接電腦使用時(shí)采集數(shù)據(jù)到電腦的時(shí)間只需要1.5 秒(在 0.1mA、1mA、10mA、100mA量程檔時(shí))。連接電腦使用時(shí)帶自動(dòng)測量功 能,自動(dòng)選擇適合樣品測試電流量程;
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境 溫度:23±2℃;
相對濕度:≤65%;
無高頻干擾;
無強(qiáng)光直射;
配置 四探針測試儀主機(jī)、探針臺(tái)、四探針探頭、
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