晶體膜厚控制儀怎樣控制的，下面介紹一款產(chǎn)品IC6IC6晶體膜厚控制儀，通過這個產(chǎn)品了解一下如何控制，如果有疑問請與我們，期待你的來電
主要性能參數(shù)
◆ 頻率分辨率：在6.0 MHz時(shí)0.03 Hz
◆ 質(zhì)量分辨率：0.375 ng／cm²
◆ 感應(yīng)晶片頻率：2.5， 3， 5， 6， 9.5， 10 MHz
◆ 膜厚顯示：0.000～ 999.9 K＆Aring；
◆ 成膜速率：00.0～999 Ang／sec?。?font face="Arial">0～9.99μm／min）
◆ 全套配置
◆ 圖形顯示：256×64 LCD ，CCFL背景照明
◆ 膜層數(shù)量：1～999
◆ MDC360C主機(jī) 一臺、振蕩器及電纜線 一套、探頭 一個、晶片 5片
◆ 主機(jī)尺寸：16.98×3.47×9.355（單位：英寸）
前面板寬度18.98英寸
全面的過程控制
IC/5具有寬廣的功能，它可啟動抽空過程、控制閥門、啟用基片加熱器等。這些增強(qiáng)的功能使系統(tǒng)無需配備輔助儀器，從而降低系統(tǒng)的復(fù)雜性和成本。IC/5的邏輯與控制功能包含100個可編程的邏輯狀態(tài)；I/O和TTL繼電器電路板提供多至24個繼電器輸出，28個TTL輸入，14個TTL輸出，20個計(jì)數(shù)和20個計(jì)時(shí)。邏輯狀態(tài)可與外輸入或輸出聯(lián)用。每個狀態(tài)可包含多至5個功能，并用布爾邏輯鏈接。IC/5可為源控制或圖形記錄儀輸出提供6個可賦值的模擬輸出、沉積速率、膜厚或沉積速率的偏離。
強(qiáng)力的過程處方和數(shù)據(jù)管理
IC/5膜層控制儀提供若干功能和選件，幫助用戶地管理過程處方和數(shù)據(jù)：
豐富的機(jī)載儲存 – 多至50個過程和250個膜層。允許即時(shí)進(jìn)入您使用的過程數(shù)據(jù)和處方文件。這個進(jìn)入性對包含許多膜層的復(fù)雜過程，對運(yùn)行于多種工藝過程的鍍膜系統(tǒng)，以及對研制或工藝發(fā)展等應(yīng)用尤其有價(jià)值。
磁盤驅(qū)動選件 – 用于無限制地儲存過程數(shù)據(jù)和處方。離線編輯軟件選件 – 用于在計(jì)算機(jī)（不是IC/5面板）上，鍵入或輸入數(shù)據(jù)。用這個軟件編程更為方便與有效，尤其對多層膜和多材料過程。數(shù)據(jù)記錄 – 有關(guān)的過程信息（zui終膜厚，平均沉積速率，運(yùn)行次數(shù)，膜層數(shù)等）可用ASCII格式自動記錄入遙控通訊端口、打印機(jī)端口或磁盤中。采用磁盤驅(qū)動選件，IC/5可將數(shù)據(jù)保存于展開的格式中，使過程的數(shù)據(jù)儲存與處理簡易化。數(shù)據(jù)記錄可方便地進(jìn)行運(yùn)行后分析與快速的校正作用。對于遵循ISO9000或QA認(rèn)證的生產(chǎn)，過程跟蹤是*的。
Auto Z – 用于多層材料的精密鍍膜
IC/5自動確定Z比值的Auto Z技術(shù)，提高了鍍層膜厚與沉積速率的控制精度，用戶不再需要計(jì)算聲阻（Z）比值3。當(dāng)在晶體上沉積多種材料時(shí)，比值Z隨材料在晶體上的比例而變化，因此，Z值的變化是動態(tài)的。Auto Z連續(xù)修正過程進(jìn)行中的Z比值。在單一晶體上沉積分層的或合金材料的過程中，為保持的膜層厚度和沉積速率，這個功能是尤其重要的。
3Auto Z – 美國號5,112,642
AUTO TUNE – 用于快速設(shè)置
IC/5的Auto Tune功能免除了反復(fù)試探的步驟，節(jié)省了設(shè)置時(shí)間，它可快速地自動確定源的反饋控制閉環(huán)常數(shù)。Auto Tune選擇若干控制算法中的*算法 – 包括三參數(shù)PID（正比，積分，微分）算法 – 達(dá)到對各種各樣源的平穩(wěn)控制。
多傳感件測量 – 用于高重復(fù)性
對某些光學(xué)鍍膜和其它應(yīng)用，重復(fù)性與均勻度是尤其重要的。IC/5控制儀可集成多至8個傳感件的測量，將源的不均勻分布效應(yīng)降至zui小，并確保上一次與下一次鍍膜運(yùn)行之間的膜層沉積速率和zui終膜厚良好的一致性。當(dāng)基片在行星基片架上旋轉(zhuǎn)時(shí)，IC/5從各個傳感件的位置上同時(shí)收集數(shù)據(jù)，確保取得的信息代表當(dāng)前源的分布。與單個傳感件的控制儀比較，多傳感件測量由于控制膜層的固定總合沉積速率、與源分布中的波動無關(guān)，大大地改善了膜厚的重復(fù)性。當(dāng)源的分布模式改變時(shí)，IC/5適當(dāng)?shù)卣{(diào)整功率。盡管任何一個傳感件上的沉積速率可有相當(dāng)大的變化而總的沉積速率保持不變。沉積于每個基片上的材料總量受到的控制；總的膜厚精度與單個傳感件的控制儀相比可提高兩至三倍。由于準(zhǔn)確地探測源的耗損導(dǎo)致的特性變化，多傳感件測量可幫助您：
預(yù)計(jì)何時(shí)需再添加源
確定電子槍的掃描、射程和高頻率振動等參數(shù)的*設(shè)置值
配制更好的過程處方
因?yàn)樗袀鞲屑溄又烈慌_IC/5控制儀，對機(jī)柜的空間要求zui小，其校正速度比老式的多控制儀/計(jì)算機(jī)組合結(jié)構(gòu)要快三至五倍。
的共沉積
IC/5控制兩種材料的同時(shí)鍍膜。它包含一個編程的比值參數(shù)，在變化的沉積速率中控制合金的比率，還有一個交叉靈敏度（或串適）參數(shù)，自動補(bǔ)償來自一個源的材料鍍覆至用于控制另一個源的傳感件上。Auto Z功能還對IC/5的共沉積有貢獻(xiàn)，當(dāng)不同材料混合在一個晶體上時(shí)保持膜厚的精度。
容易裝入現(xiàn)有的裝置中
IC/5備有適配電纜，易于安裝至現(xiàn)有的裝置中，更換老的INFICON或其它制造廠的膜層控制儀。詳細(xì)請與我們部門。
