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中級(jí)會(huì)員 | 第16年

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濺射薄膜的特點(diǎn)

時(shí)間:2013/8/21閱讀:2198
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膜厚可控性和重復(fù)性好
控制靶電流可以控制膜厚
通過(guò)濺射時(shí)間控制膜厚

薄膜與基片的附著力強(qiáng)
高能量的濺射原子產(chǎn)生不同程度的注入現(xiàn)象,形成一層偽擴(kuò)散層
基片在成膜過(guò)程中始終在等離子區(qū)中被清洗和激活,清除了附著力不強(qiáng)的濺射原子,凈化且激活基片表面。

可以制備特殊材料的薄膜
可濺射幾乎所有的固體(包括粒狀、粉狀的物質(zhì)),不受熔點(diǎn)的限制。
使用不同材料同時(shí)濺射制備混合膜、化合膜。
可制備氧化物絕緣膜和組分均勻的合金膜。
可通入反應(yīng)氣體,采用反應(yīng)濺射方法制備與靶材*不同的新的物質(zhì)膜。如用硅靶制作二氧化硅絕緣膜;用鈦靶,充入氮?dú)夂蜌鍤?,制備氮化鈦仿金膜?/p>

膜層純度高
沒(méi)有蒸發(fā)法制膜裝置中的坩堝構(gòu)件,濺射膜層不會(huì)混入坩堝加熱器材料的成分。

缺點(diǎn):成膜速度比蒸發(fā)鍍膜低、基片溫升高、易受雜質(zhì)氣體影響、裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜。

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