DH4512 霍爾元件基本參數(shù)測(cè)量?jī)x

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更新時(shí)間：2024-03-31 15:40:54瀏覽次數(shù)：79次

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  電磁學(xué)實(shí)驗(yàn)系列

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杭州大華儀器制造有限公司

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

主要技術(shù)特點(diǎn)1、采用空心線(xiàn)圈產(chǎn)生磁場(chǎng)

詳細(xì)介紹

主要技術(shù)特點(diǎn)

1、采用空心線(xiàn)圈產(chǎn)生磁場(chǎng)。特點(diǎn)是磁場(chǎng)線(xiàn)性度好，沒(méi)有剩磁及磁飽和；在不同的勵(lì)磁電流下都可以做霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)；換向感應(yīng)電勢(shì)小，不易損壞霍爾片和換向開(kāi)關(guān)；另外，較低的磁場(chǎng)強(qiáng)度有利于減小副效應(yīng)的影響；

2、采用高靈敏度的砷化鎵霍爾元件，配合空心線(xiàn)圈進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，勵(lì)磁電流較小，降低能耗，霍爾電勢(shì)的溫度漂移??；

3、采用繼電器切換電流方向，配以換向指示LED。使用壽命比閘刀開(kāi)關(guān)延長(zhǎng)2倍以上，操作又很簡(jiǎn)便；

4、完善的霍爾片保護(hù)電路：設(shè)有過(guò)壓、過(guò)流和吸收電路，接線(xiàn)錯(cuò)誤和頻繁換向不會(huì)造成霍爾片和儀器損壞。

主要實(shí)驗(yàn)內(nèi)容

1、霍爾效應(yīng)原理；

2、測(cè)繪霍爾元件的V_H—I_S，V_H—I_M曲線(xiàn)；

3、了解霍爾電勢(shì)差V_H與霍爾元件工作電流I_S、磁感應(yīng)強(qiáng)度B及勵(lì)磁電流I_M之間的關(guān)系；

4、利用霍爾效應(yīng)測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度B；

5、雙線(xiàn)圈磁場(chǎng)分布測(cè)試。

主要技術(shù)參數(shù)

1、勵(lì)磁恒流源0～0.5A，調(diào)節(jié)細(xì)度＜1mA，穩(wěn)定度＜10^-5，3位半LED數(shù)顯；

2、樣品工作電流源0～3.5mA，調(diào)節(jié)細(xì)度＜10µA，穩(wěn)定度＜10^-5，3位半LED數(shù)顯；