武藏野電子Model 110雙噴射自動(dòng)電解拋光機(jī)MUSASHINO

武藏野電子Model 110雙噴射自動(dòng)電解拋光機(jī)MUSASHINO

雙噴射自動(dòng)電解拋光機(jī)Model 110，Model 120，超聲波圓盤切割機(jī)Model 170，超精密凹坑環(huán)磨床Model 200，樣品拋光夾具Model 160，用于FIB后處理的Nanomill設(shè)備Model1040，TEM 離子銑削裝置Model 1051，SEM 離子銑削裝置Model 1061，等離子清潔器Model1020

產(chǎn)品介紹

Model 110 / Model 120

110 型采用雙噴射裝置同時(shí)拋光樣品的兩面。

在幾分鐘內(nèi)實(shí)現(xiàn) TEM 電子顯微鏡的樣品制備。

由110型（電解拋光裝置）和120型（自動(dòng)電源控制裝置）組成。

特征

雙噴射方式可同時(shí)拋光樣品的兩面

自動(dòng)化操作

幾分鐘內(nèi)即可完成高質(zhì)量樣品制備

高精度拋光完成檢測(cè)系統(tǒng)，防止拋光不足和拋光過度

耐腐蝕材料使用防止腐蝕

樣品架與電子顯微鏡兼容，拆卸時(shí)防止變形

也可特殊定制所需尺寸的樣品架

也可使用特殊容器在低溫下制備樣品- 溫度環(huán)境 可能

電解液流量、拋光電壓、末端檢測(cè)靈敏度、雙噴嘴和樣品架位置均可輕松調(diào)節(jié)。

超聲波圓盤切割機(jī)Model 170

可以從硬而脆的樣品中切出用于透射電子顯微鏡 (TEM) 的樣品，而不會(huì)造成損壞。

從厚度約10mm的樣品上切割出圓盤狀樣品，

從一定尺寸的塊上切割出直徑3mm以下的圓柱形樣品，以及切割出

制作XTEM樣品時(shí)使用的矩形晶片。 你可以。

特征

能夠以最小的損傷切割樣品

能夠切割薄樣品（>10 µm）到厚樣品（<1 cm）

能夠切割盤狀、棒狀或矩形樣品

自動(dòng)終止功能

精確定位控制

顯微鏡附件標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備

超精密凹坑環(huán)磨床Model 200

這是一種機(jī)械拋光裝置，用于制備透射電子顯微鏡 (TEM) 的薄樣品。

非常適合使用離子銑削設(shè)備作為樣品制備的最后階段。

特征

適合離子銑削的預(yù)拋光

自動(dòng)控制研磨速率

出色的最終拋光精度（±1μm）

通過內(nèi)置微處理器自動(dòng)控制拋光工作

40倍顯微鏡用于樣品定位和樣品制備

可以觀察

種類繁多拋光工具可對(duì)難加工的材料進(jìn)行拋光

可拋光多種凹痕和平面

正在加工的樣品厚度實(shí)時(shí)顯示在液晶面板上

達(dá)到所需的最終樣品厚度后自動(dòng)進(jìn)行內(nèi)置停止裝置機(jī)構(gòu)

可對(duì)各種材料進(jìn)行拋光，并有多種拋光工具（輪）可供處理大型樣品（<5mm）。

內(nèi)置研磨速率自動(dòng)控制功能，根據(jù)待拋光材料的硬度自動(dòng)降低研磨銷，因此不會(huì)損壞樣品。

也可以用定時(shí)器進(jìn)行拋光。此時(shí)，砂輪的轉(zhuǎn)速和磨銷的下降速度根據(jù)設(shè)定的時(shí)間自動(dòng)調(diào)節(jié)。

拋光開始和結(jié)束時(shí)，拋光輪自動(dòng)升高250μm，防止損壞樣品。

通過使用凹坑磨床將樣品細(xì)化到一定程度，可以縮短離子銑削所需的時(shí)間。

樣品拋光夾具Model 160

使用標(biāo)尺可以精確控制樣品的拋光厚度。

這是安裝在超精密凹坑磨床 Model 200 上的拋光夾具。

特征

非常適合樣品制備的預(yù)處理

Dimler拋光時(shí)間大大縮短

能夠產(chǎn)生均勻的薄片

控制樣品厚度

減少拋光造成的樣品損壞

用于FIB后處理的Nanomill設(shè)備Model1040

這是一款針對(duì)FIB（聚焦離子束）制備的TEM樣品的后處理銑削設(shè)備，它使用超低能量的聚焦離子束

來產(chǎn)生適合透射電子顯微鏡（TEM）觀察的最高質(zhì)量的樣品。

特征

超低能量惰性氣體離子源

具有掃描功能的濃縮離子束

無需再沉積即可去除受損層

非常適合后聚焦離子束 (FIB) 處理

使用傳統(tǒng)方法制備樣品 - 室溫至低溫

納米銑削

快速樣品高通量應(yīng)用的交換

計(jì)算機(jī)控制、可編程、易于使用的設(shè)備

無污染的干式真空系統(tǒng)

當(dāng)使用FIB制備樣品時(shí)，表面層常常變成非晶態(tài)或注入鎵，這種受損層的尺寸可以是10 nm至30 nm。NanoMill 是去除此類受損層的理想設(shè)備。使用 SED（二次電子探測(cè)器）獲取樣品的圖像，并且可以將離子研磨到僅所需的位置，從而防止再沉積。

TEM 離子銑削裝置Model 1051

這是一款用于創(chuàng)建高質(zhì)量 TEM 樣品的離子銑削設(shè)備。

可以對(duì)任何樣品和任何應(yīng)用進(jìn)行離子銑削。

特征

1051 型 TEM 銑床是一種離子銑削設(shè)備，用于生產(chǎn)用于透射電子顯微鏡 (TEM) 的無損傷、高質(zhì)量樣品。

獲得的 TrueFocus 離子源可在較寬的加速電壓范圍內(nèi)保持較窄的光束直徑。

離子束加速電壓可在100eV至10keV范圍內(nèi)設(shè)定，銑削角度可在-15°至+10°范圍內(nèi)任意設(shè)定，因此可用于從高速銑削到高速銑削的所有工藝。樣品到最終拋光。

配備裝載鎖定機(jī)構(gòu)（預(yù)備排氣室），可以快速裝載和卸載樣品。

提供多種選件，包括液氮冷卻系統(tǒng)、銑削位置微調(diào)支架和真空密封移動(dòng)膠囊。

SEM 離子銑削裝置Model 1061 

是一款用于創(chuàng)建高質(zhì)量 SEM 樣品的離子銑削設(shè)備。可以對(duì)任何樣品和任何應(yīng)用進(jìn)行離子銑削。

特征

1061 型 SEM 銑削機(jī)是一種離子銑削設(shè)備，用于生產(chǎn)無損傷、高質(zhì)量的掃描電子顯微鏡 (SEM) 樣品。

配備兩個(gè)離子源，可以從兩個(gè)方向進(jìn)行高速銑削。

配備自動(dòng)樣品位置檢測(cè)功能，可針對(duì)任意高度的樣品自動(dòng)調(diào)整載物臺(tái)位置。

可選的橫截面裝載站可以精確對(duì)準(zhǔn)銑削位置和屏蔽罩，以產(chǎn)生高質(zhì)量的橫截面。

另一個(gè)特點(diǎn)是，可以通過調(diào)整焦點(diǎn)來調(diào)整光束直徑，從而為任何樣品和任何應(yīng)用提供的離子銑削。

等離子清潔器Model1020

該等離子清潔器非常適合去除有機(jī)污染物。

使用低能量反應(yīng)等離子體，可以僅去除有機(jī)物質(zhì)，而不改變樣品的成分或性質(zhì)。

特征

清除TEM樣品和樣品架上的污垢。

顯著提高TEM分析和分辨率。

幾乎沒有因清洗而導(dǎo)致試件的溫度上升或顯微組織的變化。

可使用Philips、Hitachi High Technologies、JEOL、Topcon等公司的側(cè)入式TEM樣品架。

采用高頻（HF）無電極等離子體發(fā)生。

與多種加工氣體兼容。

防油真空系統(tǒng)可對(duì)測(cè)試樣品進(jìn)行超清潔。

減少對(duì)使用溶劑的清潔過程的依賴。

1020 型對(duì)于清潔 TEM 樣品至關(guān)重要。通過采用低能高頻（HF）等離子體，我們可以有效去除材料研究樣本中非晶化和碳?xì)浠衔镂廴镜呢?fù)面影響，并在不改變其元素組成或結(jié)構(gòu)特征的情況下清潔其表面。強(qiáng)大的清洗能力和無油真空系統(tǒng)提供的標(biāo)本清洗效果。1020 型可與所有市售 TEM 側(cè)入式樣品架一起使用。