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MiniLab系列柔性薄膜實驗設(shè)備THERMOCERA
基板加熱器THERMOCERA陶瓷頂部加熱器VH系列
基板加熱器THERMOCERA陶瓷頂部加熱器VH系列
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產(chǎn)品介紹
超高溫真空用BH加熱器
高真空兼容 3 種加熱器材料可供選擇。
可應(yīng)用于PVD(濺射、氣相沉積、EB等)、高溫真空退火、高溫分析用基板臺等。
Φ1、2、4英寸真空薄膜實驗基板加熱器,供大學(xué)、科研單位使用。提供 3 種類型的加熱絲選項(Kanthal、C/C 復(fù)合材料、Ta)??勺鳛楦鞣N薄膜實驗的基板加熱臺。
VH 系列基板加熱器
VH加熱器Max1600℃
高規(guī)格“多功能"基板加熱臺,支持廣泛的應(yīng)用,具有 3 種用于超高溫和超高真空的加熱器材料選項。
對于VH(多功能加熱器),通過標(biāo)準(zhǔn)化外殼、屏蔽、電極部件、加熱線等,可以縮短從制造到交貨的周期。采用 SiC3 涂層、TiC 涂層和 PG/PBN 加熱器的加熱器系列,支持廣泛的應(yīng)用。
SH系列基材加熱加熱器
具有性價比的高溫加熱器,適用于高真空、惰性氣體和活性氣體中的薄膜實驗
“SH系列"Incone/BN板基板加熱加熱器采用氣密結(jié)構(gòu)加熱器塊,可防止工藝氣體和體積的侵入,非常適合CVD等薄膜實驗。工作溫度Max850℃(SH-IN) Max1100℃(SH-BN),加熱有效面積φ1.0~6.1inch。標(biāo)配板固定夾(固定在屏蔽罩表面)和 K 型護(hù)套熱電偶,可選配真空引入法蘭(ICF、VG、NW 等)、板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)、底座法蘭和板偏置規(guī)格也可以制造。
HS熱臺基板加熱
加熱、基板垂直移動、基板旋轉(zhuǎn)、RF/DC基板偏壓
各種功能,如向上或向下沉積、定制基板支架、基板旋轉(zhuǎn)/上/下升降、傾斜加熱、RF/DC基板偏壓等都包含在這一單元中。
熱臺是一個“一體化"設(shè)備,配備了基板加熱臺所需的各種功能,例如垂直升降機構(gòu)(基板臺、加熱頭或兩者)、基板旋轉(zhuǎn)和RF/DC基板偏壓。一"組件。我們將滿足半導(dǎo)體制造設(shè)備和各種真空設(shè)備(蒸鍍設(shè)備、濺射設(shè)備、CVD設(shè)備)等各種要求。
HT基板加熱器
高溫加熱器1900℃
采用SiC3、TiC3加熱器,超高溫定制加熱器。
高規(guī)格基板加熱臺,支持需要高純度、耐熱性和高耐腐蝕性的惡劣工藝環(huán)境。
HT 系列產(chǎn)品采用 SiC3(碳化硅)和 TiC3(碳化鈦)涂層絞線,可支持需要高純度、耐腐蝕和耐熱性的惡劣工藝環(huán)境。請告知規(guī)格條件,我們每次都會根據(jù)客戶的要求進(jìn)行定制。
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