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產(chǎn)地	進(jìn)口	加工定制	否

ADVANCE電弧等離子體沉積源APS-1理工

電弧等離子體沉積源APS-1，電弧等離子體法納米粒子形成裝置APD系列

產(chǎn)品介紹

電弧等離子體沉積源 APS-1

同時(shí)沉積不同的“目標(biāo)"。
通過將這種蒸鍍?cè)刺砑拥浆F(xiàn)有的電弧等離子體法納米粒子形成裝置APD系列或您自己的真空室中，可以同時(shí)蒸鍍不同的“目標(biāo)"，從而可以生成具有新特性的材料。

用法

生成具有多個(gè)沉積源的化合物

添加到現(xiàn)有的真空室

特征

納米粒子的尺寸比傳統(tǒng)的濕法更均勻，因此可以生產(chǎn)出高活性的催化劑。

納米顆粒尺寸可選擇約 1.5nm 至 6nm

通過改變氣氛容易產(chǎn)生氧化物和氮化物

如果有相當(dāng)于ICF070（VG50）的法蘭，則可以任意方向安裝。

無需水冷設(shè)備，維護(hù)方便

規(guī)格

電弧等離子體法納米粒子形成裝置APD系列

使用脈沖真空電弧放電的新型納米粒子形成裝置
脈沖真空電弧沉積是一種在簡(jiǎn)單過程中生成金屬離子并形成超薄膜和納米粒子的方法。
可以獲得其他氣相沉積方法無法獲得的效果，例如薄膜平坦性和微粒形成。

用途

APD-S（基板沉積模型）
金屬薄膜（磁性、等離子體、保護(hù)膜）

使用APD-P（粉末支撐型）納米顆粒的燃料電池催化劑、尾氣催化劑、光催化劑、VOC分解催化劑、碳納米管催化劑、等離子體激元

特征

通過改變電容器的電容量，納米粒子的粒徑可以在大約 1.5 nm 到 6 nm 之間自由選擇。

任何導(dǎo)電材料（靶）都可以變成等離子體* 靶的比電阻為 0.01Ωcm 或更小

通過改變氣氛容易產(chǎn)生氧化物和氮化物

與濕法工藝相比，負(fù)載型納米顆粒表現(xiàn)出更高的催化活性

電弧等離子APD.png 電弧等離子APS-1.png

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