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GEP-S 系列高純鍺探測器

完整的高純鍺探測器的制造過程包括晶體制備、探測器結構設計、高性能低噪聲前置放大器設計、超高真空封裝與生產成型、指標測試和穩(wěn)定性考核等。經國家計量部門檢定， 其關鍵性能指標優(yōu)異、穩(wěn)定性良好。

采用的晶體外形為一圓柱體，在其外表面為 N+電極，在其內部電極孔內部為 P+電極，兩種電極分別使用成熟的鋰擴散、硼離子注入技術制造。威視®系列高性能 P 型同軸高純鍺探測器的 N+電極約為 0.5mm 厚，P+電極約為 0.5μm 厚。

工作機理：高純鍺晶體的雜質濃度低至 10¹⁰ 原子/cm³ 量級，是純凈的物質。高純鍺探測器表面分別有 N+、P+電極，在該兩種電極上加反向偏壓后，由于高純鍺晶體極低的雜質濃度，其內部將工作在全耗盡狀態(tài)，此時伽馬射線在其內部沉積能量產生的載流子在電場的作用下被收集，形成的電流信號通過前置放大器被轉換為與沉積能量成正比的電壓信號。

探測器的前置放大器可根據(jù)用戶需求選用阻容反饋或脈沖反饋前放，性能優(yōu)異，長期穩(wěn)定性好，除適配威視®系列數(shù)字譜儀外，還可兼容市場上主流的譜儀產品。

威視®系列高性能 P 型優(yōu)化高純鍺探測器配置垂直冷指，并可根據(jù)用戶需要配置“L 形"、“U 形"、水平冷指等定制化設計，同時為用戶在探測器封裝與冷指材料上提供超低本底選項。為保證制冷效率，探測器艙室應保持嚴密的真空條件。

P 型探測器的總體特性：

能量響應范圍：30keV 至 10MeV；相對探測效率 10% 至 80%；

可滿足絕大部分樣品測量應用和大部分研究測量應用的要求；

全面保證相對效率、分辨率、峰康比和峰形指標；

可配置普通阻抗反饋前放或適于高計數(shù)率的脈沖光反饋前放。

GEP-S 系列高純鍺探測器 型號與性能指標：

GEP-S40 的點源探測效率曲線（根據(jù) GB/T 7167-2008 國家標準測試）