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nAp安級(jí)測(cè)量高精度國(guó)產(chǎn)電流源認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,S系列數(shù)字源表可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表,還可用作精密電子負(fù)載,其高性能架構(gòu)允許其使用作為...
電二極管是一種將光轉(zhuǎn)換為電流的半導(dǎo)體器件,在p(正)和n(負(fù))層之間,存在一個(gè)本征層。光電二極管接受光能作為輸入以產(chǎn)生電流。光電二極管也被稱為光電探測(cè)器、光電傳...
光電二極管也被稱為光電探測(cè)器、光電傳感器或光探測(cè)器,常見的有光電二極管(PIN)、雪崩光電二極管(APD)、單光子雪崩二極管(SPAD)、硅光電倍增管(SiPM...
激光器功耗測(cè)試電源可廣泛應(yīng)用于大功率LED的LIV測(cè)試及老化、大功率半導(dǎo)體激光器的LIV測(cè)試及老化、肖特基二極管測(cè)試、整流橋堆測(cè)試等。設(shè)備支持多臺(tái)并聯(lián)來(lái)實(shí)現(xiàn)更大...
A200型實(shí)時(shí)波形捕獲數(shù)據(jù)采集卡具有采樣速度快,分辨率高,支持多種觸發(fā)、大容量高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)等特點(diǎn),因此,可廣泛應(yīng)用于各類型實(shí)時(shí)波形捕獲、IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試,以及其...
高精度精密源表+國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、350...
第三代半導(dǎo)體材料電性能測(cè)試高壓電源具有輸出及測(cè)量電壓高(3500V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限,輸出及測(cè)量電壓0~3500V...
第三代半導(dǎo)體材料電性能分析高電流脈沖電源具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(15uS)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。 設(shè)備可...
武漢普賽斯是國(guó)內(nèi)Z早生產(chǎn)源表的廠家,產(chǎn)品系列豐富:產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍,產(chǎn)已經(jīng)過(guò)了市場(chǎng)的考驗(yàn)、市面有近500臺(tái)源表在使用,市場(chǎng)率高;電流源表微電流測(cè)試認(rèn)...
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下納安級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸...
普賽斯儀表推出的大功率LED管LIV測(cè)試電源具備CW及QCW輸出能力,單設(shè)備CW輸出電流可高達(dá)60A,輸出電壓可高達(dá)100V,可廣泛應(yīng)用于大功率LED的LIV測(cè)...
針對(duì)千瓦級(jí)大功率半導(dǎo)體激光器,普賽斯推出國(guó)產(chǎn)化極優(yōu)性價(jià)比大功率激光器老化測(cè)試系統(tǒng)解決方案.設(shè)備可擴(kuò)展至4層結(jié)構(gòu),每層設(shè)計(jì)若干路,每路支持1-16只激光器芯片的串...
普賽斯儀表基于國(guó)產(chǎn)化高精度數(shù)字源表(SMU)的測(cè)試方案,以更優(yōu)的測(cè)試能力、更準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測(cè)試能力,聯(lián)合更多行業(yè)客戶,共同助力我國(guó)第三代...
普賽斯功率半導(dǎo)體行業(yè)測(cè)試設(shè)備,集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜...
普賽斯歷時(shí)多年打造的高精度、大動(dòng)態(tài)范圍、S先國(guó)產(chǎn)化的源表系列產(chǎn)品,集電壓、電流的輸入輸出及測(cè)量等功能于一體??勺鳛楠?dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表,...
GaNHEMT器件性能的評(píng)估,一般包含靜態(tài)參數(shù)測(cè)試(I-V測(cè)試)、頻率特性(小信號(hào)S參數(shù)測(cè)試)、功率特性(Load-Pull測(cè)試),寬禁帶材料測(cè)試源表就找普賽斯...
IGBT靜態(tài)參數(shù)主要包含:柵極-發(fā)射極閾值電壓VGE(th)、柵極-發(fā)射極漏電流lGEs、集電極-發(fā)射極截止電流lcEs、集電極-發(fā)射極飽和電壓VcE(sat)...
針對(duì)千瓦級(jí)大功率半導(dǎo)體激光器,普賽斯推出國(guó)產(chǎn)化極優(yōu)性價(jià)比大功率激光器老化測(cè)試系統(tǒng)解決方案.設(shè)備可擴(kuò)展至4層結(jié)構(gòu),每層設(shè)計(jì)若干路,每路支持1-16只激光器芯片的串...
武漢普賽斯是國(guó)內(nèi)生產(chǎn)源表的廠家,產(chǎn)品系列豐富:產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍,產(chǎn)已經(jīng)過(guò)了市場(chǎng)的考驗(yàn)、市面有近500臺(tái)源表在使用;精密源表+高精度數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯...
憶阻器件的評(píng)估,一般包括直流特性、脈沖特性與交流特性測(cè)試,分析器件在相應(yīng)的直流、脈沖與交流作用下的憶阻特性,以及針對(duì)憶阻器件的保持力、穩(wěn)定性等非電學(xué)特性進(jìn)行測(cè)量...
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