第三代半導體材料電性能測試高壓電源特點和優(yōu)勢：

十ms級的上升沿和下降沿；

單臺最大3500V的輸出；

0.1%測試精度；

同步電流或電壓測量；

支持程控恒壓測流，恒流測壓，便于掃描測試；

產品簡介

高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高（3500V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設備工作在第一象限，輸出及測量電壓0~3500V，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。

應用領域：

用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。

更多有關第三代半導體材料電性能測試高壓電源詳情找普賽斯儀表專員為您解答，武漢普賽斯儀表有限公司，是一家專注于半導體的電性能測試儀表的開發(fā)、生產與銷售的研發(fā)型高新技術企業(yè)。公司以源表為核心產品，專注于第三代半導體測試，提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。

未來，普賽斯儀表基于國產化高精度數字源表（SMU）的測試方案，以更優(yōu)的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力，聯(lián)合更多行業(yè)客戶，共同助力我國第三代半導體行業(yè)高可靠高質量發(fā)展。