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半導(dǎo)體測試高電流源50μs-500μs脈寬可調(diào)
產(chǎn)地 | 國產(chǎn) | 加工定制 | 否 |
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電流脈寬 | 50μs~500μs | 脈沖電流上升沿時(shí)間 | <10μs |
輸出脈沖電流? | 3~1000A量程,精度0.1%FS±1A |
普賽斯HCPL100型電流響應(yīng)時(shí)間測試脈沖電源,具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(15us)、支持兩路脈沖電壓測量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。
設(shè)備可廣泛應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合,使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“電流-導(dǎo)通電壓"掃描測試。
產(chǎn)品特點(diǎn)
50μs-500μs的脈沖寬度連續(xù)可調(diào)
15μs超快上升沿(典型時(shí)間)
兩路同步測量電壓0.3mV-18V
0.1%測試精度
單臺5A-1000A程控輸出,可多臺并聯(lián)最高達(dá)6000A
支持過流保護(hù)、異常開路保護(hù)
可快速測試IGBT或SiC的單管及半橋
可適用于大電流傳感器(階躍)響應(yīng)時(shí)間測試
技術(shù)指標(biāo)
電流脈寬 50μs~500μs
脈沖電流上升沿時(shí)間 典型時(shí)間15us
輸出脈沖電流 5 ~1000A量程,精度0.1%FS±1A
輸出負(fù)載電壓要求<12V@1000A
DUT電壓測量 2獨(dú)立通道
DUT電壓測量 遠(yuǎn)端測量,峰值電壓測量(取樣點(diǎn)可配置)
DUT電壓測量 0~0.3V量程,精度0.1%±0.3mV
DUT電壓測量 0~3V量程,精度0.1%±3mV
DUT電壓測量 0~18V量程,精度0.1%±8mV
電流脈沖輸出間隔時(shí)間1秒
電流脈沖峰值功率<12kW
支持多設(shè)備并聯(lián)輸出超大電流,如3000A
支持輸出極性反轉(zhuǎn)
觸發(fā)信號 支持trigin及trig out
通訊接口 RS232
輸入電壓 90~264VAC、50/60Hz
輸入功率<750W
尺寸:長516x寬250x高160mm
電流響應(yīng)時(shí)間測試脈沖電源應(yīng)用領(lǐng)域
肖特基二極管
整流橋堆
IGBT器件
IGBT半橋模塊
IPM模塊
目前,武漢普賽斯儀表有限公司的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了10pA-6000A、300mV-10KV的電壓電流范圍,并在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出絕對優(yōu)勢。特別是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半導(dǎo)體的電源及測試需求方面,我司在8000V、1000A以上量程及測試性能均處于絕對優(yōu)勢地位。此外,在大功率激光器測試、PD、APD、SPAD、SIPM晶圓測試及老化電源市場,普賽斯儀表的產(chǎn)品也能夠滿足絕大多數(shù)應(yīng)用場景的需求。
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