當前位置:武漢普賽斯儀表有限公司>>半導體器件測試儀器儀表>>半導體參數分析儀>> SPA6100半導體參數CV+IV測試儀
產地 | 國產 | 加工定制 | 否 |
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尺寸 | 580mm長*620mm寬*680mm高 | 輸入電源 | 220V?50/60Hz |
測試范圍 | 30μV-1200V;1pA-100A |
普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備,產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業(yè)鏈。推出基于高精度數字源表(SMU)的第三代半導體功率器件靜態(tài)參數測試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段,實現功率半導體器件靜態(tài)參數的高精度、高效率測量和分析。如果您對普賽斯功率半導體器件靜態(tài)參數測試方案和國產化高精度源表感興趣,歡迎隨時聯(lián)系我們!
半導體參數CV+IV測試儀特點:
30μV-1200V,1pA-100A寬量程測試能力;
測量精度高,全量程下可達0.03%精度;
內置標準器件測試程序,直接調用測試簡便;
自動實時參數提取,數據繪圖、分析函數;
在CV和IV測量之間快速切換而無需重新布線;
提供靈活的夾具定制方案,兼容性強;
免費提供上位機軟件及SCPI指令集;
典型應用:
納米、柔性等材料特性分析;
二極管;
MOSFET、BJT、晶體管、IGBT;
第三代半導體材料/器件;
有機OFET器件;
LED、OLED、光電器件;
半導體電阻式等傳感器;
EEL、VCSEL、PD、APD等激光二極管;
電阻率系數和霍爾效應測量;
太陽能電池;
非易失性存儲設備;
失效分析;
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