晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，是一種半導體器件，放大器或電控開關常用；包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應管、晶閘管（后三者均為三端子）等。晶體管具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能；晶體管是規(guī)范操作電腦、手機、所有其他現(xiàn)代電子電路的基本構建塊。

晶體管特性參數(shù)測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵做出的響應；通常晶體管特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成，如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺儀器組成的系統(tǒng)需要分別進行編程、同步、連接、測量和分析，過程既復雜又耗時，還占用過多測試臺的空間。而且使用單一功能的測試儀器和激勵源還存在復雜的相互間觸發(fā)操作，有更大的不確定度及更慢的總線傳輸速度等缺點。

實施特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。普賽斯歷時多年打造了高精度、大動態(tài)范圍、帥先國產(chǎn)化的源表系列產(chǎn)品，集電壓、電流的輸入輸出及測量等功能于一體。可作為獨立的恒壓源或恒流源、伏特計、安培計和歐姆表，還可用作精密電子負載。其高性能架構還允許將其用作脈沖發(fā)生器，波形發(fā)生器和自動電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng)，支持四象限工作。普賽斯“五合一"高精度數(shù)字源表（SMU）可為高?？蒲泄ぷ髡摺⑵骷y試工程師及功率模塊設計工程師提供測量所需的工具。不論使用者對源表、電橋、曲線跟蹤儀、半導體參數(shù)分析儀或示波器是否熟悉，都能簡單而迅速地得到精確的結果。

數(shù)字源表IV掃描測試晶體管電性能，普賽斯以自主研發(fā)為導向，深耕半導體測試領域，在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、脈沖恒流源、脈沖恒壓源、功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)、大功率激光器老化測試系統(tǒng)等測試設備，廣泛應用于高校研究所、實驗室，新能源，光伏，風電，軌交，變頻器等場景。普賽斯全新升級S系列數(shù)字源表更大直流,更高精度,科研實驗B備源表,標準的SCPI指令集,上位機軟件功能豐富,半導體測試領域的經(jīng)典產(chǎn)品!

普賽斯源表輕松實現(xiàn)二極管特性參數(shù)分析        

二極管是一種使用半導體材料制作而成的單向?qū)?電性元器件，產(chǎn)品結構一般為單個PN結結構，只允許電流從單一方向流過。發(fā)展至今，已陸續(xù)發(fā)展出整流二  極管、肖特基二極管、快恢復二極管、PIN二極管、光電    二極管等，具有安全可靠等特性，廣泛應用于整流、穩(wěn)壓、保護等電路中，是電子工程上用途廣泛的電子元器件之一。IV特性是表征半導體二極管PN結制備性能的主要參數(shù)之一，二極管IV特性主要指正向特性和反向特性等；

普賽斯S系列、P系列源表簡化場效應MOS管I-V特性分析  

MOSFET(金屬—氧化物半導體場效應晶體管)是一種利用電場效應來控制其電流大小的常見半導體器件，可以廣泛應用在模擬電路和數(shù)字電路當中，MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳納米管等材料制作，是材料及器件研究的熱點。主要參數(shù)有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓   VGS(th)、漏電流IGSSIDSS，擊穿電壓VDSS、低頻互導gm、輸出電阻RDS等。

普賽斯數(shù)字源表快速、準確進行三極管BJT特性分析

三極管是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊  半導體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。設計電路中常常會關注的參數(shù)有電流放大系數(shù)β、極間反向電流ICBO、ICEO、集電極最大允許電流ICM、反向擊穿電壓VEBO、VCBO、VCEO以及三極管的輸入輸出特性曲線等參數(shù)。 

普賽斯五合一高精度數(shù)字源表（SMU）在半導體IV特性測試方面擁有豐富的行業(yè)經(jīng)驗，為晶體管電性能參數(shù)測試提供全面的解決方案，包括二極管、MOS管、BJT、IGBT、二極管電阻器及晶閘管等。此外，普賽斯儀表還提供適當?shù)碾娎|輔件和測試夾具，實現(xiàn)安全、精確和可靠的測試。欲了解更多數(shù)字源表IV掃描測試晶體管電性能的信息，歡迎隨時咨詢普賽斯儀表！