功率MOS管CV測試儀方案

普賽斯半導(dǎo)體功率器件C-V測試系統(tǒng)主要由源表、LCR 表、矩陣開關(guān)和上位機(jī)軟件組成。LCR表支持的測量頻率范圍在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置，通過矩陣開關(guān)加載在待測件上。

進(jìn)行C-V 測量時(shí)，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時(shí)利用一個交流信號進(jìn)行測量。一般使用的交流信號頻率在10KHz 到1MHz   之間。所加載的直流偏壓用作直流電壓掃描，掃描過程中測試待測器件待測器件的交流電壓和電流，從而計(jì)算出不同電壓下的電容值。

系統(tǒng)優(yōu)勢

• 頻率范圍寬：頻率范圍10Hz~1MHz連續(xù)頻率點(diǎn)可調(diào)；

• 高精度、大動態(tài)范圍：提供0V~3500V偏壓范圍，精度0.1%；

• 內(nèi)置CV測試：內(nèi)置自動化CV測試軟件，包含C-V（電容- 電壓），C-T（電容- 時(shí)間），C-F（電容 - 頻率）等多項(xiàng)測試測試功能;

• 兼容IV測試：同時(shí)支持擊穿特性以及漏電流特性測試；

• 實(shí)時(shí)曲線繪制：軟件界面直觀展示項(xiàng)目測試數(shù)據(jù)及曲線，便于監(jiān)控；

• 擴(kuò)展性強(qiáng)：系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì)，可根據(jù)需求靈活搭配；

  基本參數(shù)

典型配置

電容-電壓(C-V)測量廣泛用于測量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOS CAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)的電容是外加電壓的函數(shù)，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡稱C-V特性），C-V曲線測試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底摻雜濃度N、氧化層中可動電荷面密度Q1、和固定電荷面密度Qfc等參數(shù)，功率MOS管CV測試儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表！