FLUKE OTDR光纖測試儀參數(shù)詳讀

FLUKE OFP-100-Q OTDR光纖測試儀主要技術(shù)指標(biāo)：

一般規(guī)格

重量    帶模塊和電池的主機(jī)：3 磅，5 盎司（1.28 千克）

體積    帶模塊和電池的主機(jī)：2.625 英寸 x 5.25 英寸 x 11.0 英寸（6.67 厘米 x 13.33 厘米 x27.94 厘米）

電池    鋰離子電池組，7.2 V

電池壽命    八小時(shí)自動(dòng) OTDR 運(yùn)行，雙波長，無視頻探頭連接，150 m 光纖

充電時(shí)間

測試儀關(guān)    電量從 10% 充到 90% 需四小時(shí)

測試儀開    測試儀開啟時(shí)電量從 10% 充到 90% 需要六小時(shí)

環(huán)境技術(shù)指標(biāo)

工作溫度*    -18oC 至 45oC

非操作溫度    -30oC 至 60oC

操作高度    4,000 m (13123 ft)

3200 米（10,500 英尺）帶交流適配器

存儲高度    12,000 米

EMC    EN 61326-1

* 使用電池供電。帶 AC 適配器：0oC 至 45oC。每 15 分鐘時(shí)間段時(shí)實(shí)時(shí)掃描功能不能使用超過 5 分鐘。使用實(shí)時(shí)掃描功能的環(huán)境溫度為 35oC。

* 請不要將電池保存于低于 -20°C (-4°F) 或高于 50°C (122°F) 的環(huán)境下超過一個(gè)星期，以免損壞電池容量。

OTDR 主要技術(shù)指標(biāo)

Multimode 模塊    Singlemode 模塊    Quad 模塊

波長    850 nm +/- 10 nm

1300 nm +35/-15 nm    1310 nm +/- 25 nm

1550 nm +/- 30 nm    850 nm +/- 10 nm

1300 nm +35/-15 nm

1310 nm +/- 25 nm

1550 nm +/- 30 nm

兼容光纖類型    50/125 µm

62.5/125 µm    單模    50/125 µm

62.5/125 µm

單模

事件死區(qū) 1    850 nm ：0.5 m（典型）

1300 nm ：0.7 m（典型）    1310 nm ：0.6 m（典型）

1550 nm ：0.6 m（典型）    850 nm ：0.5 m（典型）

1300 nm ：0.7 m（典型）

1310 nm ：0.6 m（典型）

1550 nm ：0.6 m（典型）

衰減死區(qū) 2    850 nm ：2.2 m（典型）

1300 nm ：4.5 m（典型）    1310 nm ：3.6 m（典型）

1550 nm ：3.7 m（典型）    850 nm ：2.2 m（典型）

1300 nm ：4.5 m（典型）

1310 nm ：3.6 m（典型）

1550 nm ：3.7 m（典型）

動(dòng)態(tài)范圍3，5，6    850 nm ：一般為 28 dB

1300 nm ：一般為 30 dB    1310 nm ：一般為 32 dB

1550 nm ：一般為 30 dB    850 nm ：一般為 28 dB

1300 nm ：一般為 30 dB

1310 nm ：一般為 32 dB

1550 nm ：一般為 30 dB

距離范圍設(shè)置    40 km    130 km    MM：40 km

SM：130 km

距離測量范圍 4，5，7，8，9，10    850 nm ：9 km

1300 nm ：35 km    1310 nm ：80 km

1550 nm ：130 km    850 nm ：9 km

1300 nm ：35 km

1310 nm ：80 km

1550 nm ：130 km

反射范圍 4，5    850 nm ：一般為 -14 dB 至 -57 dB

1300 nm ：一般為 -14 dB 至 -62 dB    1310 nm ：一般為 -14 dB 至 -65 dB

1550 nm ：一般為 -14 dB 至 -65 dB    850 nm ：一般為 -14 dB 至 -57 dB

1300 nm ：一般為 -14 dB 至 -62 dB

1310 nm ：一般為 -14 dB 至 -65dB

1550 nm ：一般為 -14 dB 至 -65 dB

采樣分辨率    3 cm 到 400 cm    3 cm 到 400 cm    3 cm 到 400 cm

脈沖寬度（額定）    850 nm ：3, 5, 20, 40, 200 ns

1300 nm ：3, 5, 20, 40, 200, 1000 ns    1310/1550 nm：3, 10, 30, 100, 300, 1000, 3000, 10000, 20000 ns    850 nm ：3, 5, 20, 40, 200 ns

1300 nm ：3, 5, 20, 40, 200, 1000 ns

1310/1550 nm：3, 10, 30, 100, 300, 1000, 3000, 10000, 20000 ns

測試時(shí)間（每波長）    自動(dòng)設(shè)置：一般為 5 秒    自動(dòng)設(shè)置：一般為 10 秒    自動(dòng)設(shè)置：

MM – 一般為 5 秒

SM – 一般為 10 秒

快速測試設(shè)置：

一般為 2 秒    快速測試設(shè)置：

一般為 5 秒    快速測試設(shè)置：

MM – 一般為 2 秒

SM – 一般為 5 秒

分辨率設(shè)置：

2 到 180 秒    分辨率設(shè)置：

5 到 180 秒    分辨率設(shè)置：

MM – 2 到 180 秒 M

SM – 5 到 180 秒

FaultMap 設(shè)置：

2 秒（一般），180 秒（）    FaultMap 設(shè)置：

10 秒（一般），180 秒（）    FaultMap 設(shè)置：

MM - 2 秒（一般），MM - 180 秒（）

SM - 10 秒（一般），SM - 180 秒（）

DataCenter OTDR 設(shè)置：

1 秒（一般在 850 nm），7 秒（）    DataCenter OTDR 設(shè)置：

20 秒（一般），40 秒（）    DataCenter OTDR 設(shè)置：

MM – 1 秒（一般在 850 nm） MM – 7 秒（）

SM – 20 秒（一般） SM – 40 秒（）

手動(dòng)設(shè)置：

3，5，10，20，40，60，90，120，180 秒    手動(dòng)設(shè)置：

3，5，10，20，40，60，90，120，180 秒    手動(dòng)設(shè)置：

-3，5，10，20，40，60，90，120，180 秒 SM - 3，5，10，20，40，60，90，120，180 秒

在低于短脈沖寬度非飽和反射峰和 1.5 dB 之下測量。反射峰多模 < -40 dB，單模 < - 50 dB。在偏離短脈沖寬度反向散射 +/- 0.5 dB 處測量。反射峰多模 < -40 dB，單模 < - 50 dB。對于 OM1 光纖典型的反向散射系數(shù)：850:-65 dB, 1300:-72 dB.OM2-OM4 光纖的典型反向散射和衰減系數(shù)：850 nm ：-68 dB; 2.3 dB/km:1300 nm ：-76 dB; 0.6 dB/km.OM1-OM2 光纖的典型反向散射和衰減系數(shù)：1310nm/1550nm ：-79 dB; 0.32 dB/km; 1550 nm:-82 dB; 0.19 dB/km.SNR=1 方法，3 分鐘平均，脈沖寬度。通常在 850 = 9 km 發(fā)現(xiàn)端點(diǎn)或通常在 7 km 發(fā)現(xiàn) 0.1 dB 事件（事件之前 18 dB 衰減）。通常在 1300 = 35 km 發(fā)現(xiàn)端點(diǎn)或通常在 30 km 發(fā)現(xiàn) 0.1 dB 事件（事件之前 18 dB 衰減）。通常在 1310 = 80 km 發(fā)現(xiàn)端點(diǎn)或通常在 60km 發(fā)現(xiàn) 0.1 dB 事件（事件之前 20 dB 衰減）。通常在 1550 = 130 km 發(fā)現(xiàn)端點(diǎn)或通常在 90 km 發(fā)現(xiàn) 0.1 dB 事件（事件之前 18 dB 衰減）。不包括折射率系數(shù)錯(cuò)誤，也不包括自動(dòng)事件位置錯(cuò)誤。dB 變化/1 dB 階躍。應(yīng)用于在 OTDR 可找到一個(gè) 0.1 dB 事件的距離范圍內(nèi)的軌跡反向散射。

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