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SK海力士跨向1ynm內(nèi)存時(shí)代

時(shí)間：2019-5-15閱讀：691
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SK海力士近日宣布，將在提高代10nm級(jí)工藝(1xnm) DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能的同時(shí)，今年下半年開(kāi)始銷(xiāo)售基于第二代10nm級(jí)工藝(1ynm)的內(nèi)存芯片，并為下代內(nèi)存做好準(zhǔn)備。SK海力士1ynm工藝產(chǎn)品將是8Gb DDR4-3200芯片，號(hào)稱(chēng)相比1xnm工藝可將尺寸縮小20％，并將功耗降低15％。

此外，這顆新的芯片還具備四相時(shí)鐘機(jī)制，有利于提高信號(hào)強(qiáng)度、維持高頻穩(wěn)定性，并支持感應(yīng)放大控制技術(shù)(SAC)，有利于減少晶體管尺寸縮小時(shí)可能出現(xiàn)的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。

有消息稱(chēng)，SK海力士還會(huì)用1ynm工藝制造DDR5、LPDDR5、GDDR6內(nèi)存芯片，所以盡早部署并量產(chǎn)非常關(guān)鍵。

其實(shí)，SK海力士是內(nèi)存三*中后一家大規(guī)模上1ynm工藝的，三星、美光去年就用上了。 

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