【儀表網 儀表企業(yè)】近日，牛津儀器公司的原子層沉積技術(ALD)和2D材料專家與艾恩德霍芬理工大學合作開發(fā)了用于納米器件的二維過渡金屬硫化物(2D TMDS)原子層沉積(ALD) 系統(tǒng)——FlexAL-2D ALD系統(tǒng)。
FlexAL-2D ALD系統(tǒng)可在與CMOS兼容的溫度下生長2D材料，并可在大面積(200mm晶圓)上對厚度進行的數字控制。該系統(tǒng)的其他特征功能包括MoS2的自限制ALD生長、基礎平面或邊緣平面取向的可調形態(tài)控制，以創(chuàng)建先進的2D器件結構。
據該公司介紹，F(xiàn)lexAL-2D ALD系統(tǒng)可提供較寬的參數空間，使2D TMDS的生長溫度比CVD爐中更低。
埃因霍溫理工大學研究人員在今年七月的ALD會議上，首先介紹了使用ALD在450℃和低溫條件下生長二維MoS2材料的情況。他們展示了如何在CMOS兼容的SiO2 / Si襯底上采用等離子體增強型ALD技術合成二維MoS2膜。這些二維MoS2膜具有可調形態(tài)(平面和垂直立體納米級結構)。雖然3D鰭結構是諸如水分解等催化應用的理想結構，但2D平面形態(tài)在納米電子學中具有潛在的應用。
牛津儀器等離子技術公司的ALD產品經理Chris Hodson對這項研究感到高興：“艾恩德霍芬理工大學Bol博士及等離子體和材料處理(PMP)研究組在正在將ALD研究推向新的應用領域。2D材料是一個熱門話題，利用ALD允許其在較低溫度下生長，并且利用ALD沉積和其他加工方法在200毫米尺寸上合成2D材料，提供了新的能力與許多可能性。”
Ageeth Bol說：“研究人員對相對較低的溫度特別感興趣。對于CVD工藝，通常需要超過800℃，這對于半導體的應用來說通常是致命的，因為高溫會增加原子的擴散，這使得它們更難以到達正確的位置。我們希望有一個在較低溫度下生產高品質材料的工藝。這對于我正在處理的二維異質層是特別重要的，因為在更低的溫度下，層之間的原子擴散將減少。”
(原文標題：牛津儀器公司與艾恩德霍芬大學開發(fā)出二維材料低溫生長設備)
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