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合肥工業(yè)大學在高性能核心射頻基礎元件研制領域取得新進展

研發(fā)快訊 2025年03月18日 14:55:25來源:合肥工業(yè)大學微電子學院 2194
摘要此次研究成果在該領域第一次實現(xiàn)了3D射頻自卷曲電子元件在商用4英寸產(chǎn)線上的批量制造,解決了3D元件難以從晶圓上無損剝離的瓶頸問題。

  【儀表網(wǎng) 研發(fā)快訊】近日,合肥工業(yè)大學微電子學院黃文教授團隊在高性能核心射頻基礎元件研制領域取得重要研究進展,相關研究成果以“Wafer-scale platform for on-chip 3D radio frequency lumped passive components using metal self-rolled-up membrane technique”為題在國際著名期刊《Nature Communications》上發(fā)表。合肥工業(yè)大學為論文的第一和通信作者單位,天通瑞宏科技有限公司、中國信息通信研究院及其深圳分院、深圳大學、射頻異質(zhì)異構(gòu)集成全國重點實驗室為論文合作單位。論文第一作者為我校微電子學院博士研究生周志坤,通信作者為微電子學院黃文教授。
 
  作為片上3D射頻自卷曲電子元器件研究領域的引領團隊,黃文教授團隊在《Nature Electronics》《Science Advances》已發(fā)表一作論文3篇,取得了重要的里程碑式成果。此次研究成果在該領域第一次實現(xiàn)了3D射頻自卷曲電子元件在商用4英寸產(chǎn)線上的批量制造,解決了3D元件難以從晶圓上無損剝離的瓶頸問題。與當前主流商用元件相比,3D射頻自卷曲電感的品質(zhì)因數(shù)遠超過了同類產(chǎn)品,電感密度提升了3個數(shù)量級以上。該技術不但讓當前常規(guī)核心射頻基礎元件體積或占用芯片面積縮小了10—100倍,還使得片上制造和集成高感值和高容值元件成為可能。這些突破性成果對研制高集成度、小型化射頻芯片和模塊具有重要意義,特別適合應用于對體積和重量有嚴苛要求的應用場景。
 
  該項研究得到了“變革性技術關鍵科學問題”國家重點研發(fā)計劃重點專項項目“基礎三維無源元件的單片高集成度自卷曲技術”(2021YFA0715300)的資助。
 

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