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  • 三菱分立MOSFET管 RD16HHF1

RD16HHF1 三菱分立MOSFET管 RD16HHF1

參考價
面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 型號RD16HHF1
  • 品牌
  • 所在地深圳市
  • 更新時間2018-05-14
  • 廠商性質(zhì)代理商
  • 入駐年限1
  • 實名認證已認證
  • 產(chǎn)品數(shù)量178
  • 人氣值1881
產(chǎn)品標簽

RD16HHF1

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深圳市浩時健電子技術有限公司(Shenzhen Haoshijian Electronics Co.,Ltd)是在中國地區(qū)面向OEM廠商和部屬研究院提供產(chǎn)品銷售和技術支持的辦事機構。在全國設有兩個辦事處分別位于香港及深圳,總部設在香港。專業(yè)代理品牌傳感器與控制元件、射頻微波、功放模塊、電源模塊等產(chǎn)品。其主要應用在電子通訊、醫(yī)療設備、儀器儀表、電力系統(tǒng)、自動化控制、無線電設備、汽車電話以及車載市場等行業(yè)。



在傳感與控制產(chǎn)品領域,我們已具備豐富的銷售經(jīng)驗和強大的技術支持,是目前國內(nèi)較大規(guī)模的傳感器銷售公司。我們提供的傳感器覆蓋面極為廣泛:包括美國Honeywell霍尼韋爾壓力、觸力、紅外、濕度、霍爾、電流及氣體流量傳感器;美國ADI加速度和角速率陀螺儀傳感器;;法國Humirel濕敏電容;FIGARO費加羅全系列催化式、電化學、紅外線氣體傳感器;德國PerkinElmer海曼、日本NICERA尼塞拉熱釋電紅外傳感器;SHARP光電傳感器等。



*致力推廣日本MITSUBISHI三菱射頻功放模塊及其分立MOSFET管;美國Mini-Circuits混頻器、耦合器、功分器、振蕩器、衰減濾波器;HITTITE放大器、分離器、開關、衰減混頻器;ANAREN安倫電橋、混合器、衰減器;SIRENZA功率放大器、晶體管;TriQuint數(shù)字、模擬和混合信號砷化鎵集成電路;M/A-COM、Freescale:MRFx系列高頻管和放大器;荷蘭NXP恩智浦BLFxxx系列射頻功率管;日本COSEL科索電源模塊,美國VICOR懷格電源模塊,日本TDK-Lambda電盛蘭達電源模塊,法國GAIA蓋亞等多種電源模塊;英國CML有線通信芯片,無線數(shù)據(jù)Modem,數(shù)字對講機基帶處理芯片,模擬對講機基帶處理芯片,AIS基帶處理芯片,音頻編解碼芯片等。未來,我們將竭誠提供更廣,更全,更準確的技術支持和售后服務。“質(zhì)量*,客戶*”衷心期待廣大客戶和同仁前來洽談業(yè)務,謝謝合作!

 

 

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描述:RD16HHF1是一個專門MOS FET型晶體管專為HF RF功率放大器應用

特性:高功率增益:Pout>16W, Gp>16dB @Vdd=12.5V,f=30MHz
應用:對于輸出的高功率放大器階段HF 頻帶移動無線sets
三菱分立MOSFET管 RD16HHF1 產(chǎn)品詳情

描述:RD16HHF1是一個專門MOS FET型晶體管專為HF RF功率放大器應用

 

深圳浩時健電子有限公司是國內(nèi)三菱射頻電子元器件專業(yè)供應商,三菱射頻產(chǎn)品廣泛應用用于移動通信基站、直放站、衛(wèi)星通信、有線電視、雷達、無線本地環(huán)等領域。積極向國內(nèi)生產(chǎn)和科研單位*新產(chǎn)品:日本三菱公司生產(chǎn)的系列射頻功率放大模塊、系列射頻場效應三極管。多年以來已為國內(nèi)眾多的生產(chǎn)廠家、科研院所、大專院校、國家重要單位維修部門的生產(chǎn)、維修、研制開發(fā)新品、教學實驗等提供了準確、快捷、方便的配套供貨服務。在經(jīng)營運作上,我公司批發(fā)、零售兼營,可向用戶*保證貨源,并保證供貨品種的技術指標滿足相關的檢測標準。


三菱(MITSUBISHI):HF/VHF/UHF/900MHz(分立MOSFET管)
RD100HHF1、RD70HVF1、RD70HUF2、RD70HHF1、RD60HUF1、RD45HMF1、RD35HUF2、RD30HUF1、RD30HVF1、RD20HMF1、RD16HHF1、RD15HVF1、RD12MVP1、RD12MVS1、RD09MUP2、RD07MVS1B、RD07MVS1、RD07MVS2、RD07MUS2B、RD06HVF1、RD06HHF1、RD05MMP1、RD04HMS2、RD02MUS1、RD02MUS1B、RD02MUS2、RD01MUS1、RD02MUS2B、RD01MUS2、RD00HHS1、RD00HVS1等RD全系列。

 
三菱(MITSUBISHI):(射頻功率放大模塊)
RA60H4452M1、RA60H4047M1、RA60H3847M1、RA60H1317M1A、RA60H1317M、RA55H4452M、RA55H4047M、RA55H3847M、RA55H3340M、RA45H8994M1、RA45H7687M1、RA45H4452M、RA45H4047M、RA45H4045MR、RA35H1516M、RA33H1516M1、RA30H4552M1、RA30H4452M、RA30H4047M1、RA30H4047M、RA30H3340M、RA30H2127M、RA30H1721M、RA30H1317M1、RA30H1317M、RA30H0608M、RA20H8994M、RA20H8087M、RA18H1213G、RA13H8891MA、RA13H8891MB、RA13H4452M、RA13H4047M、RA13H3340M、RA13H1317M、RA08H1317M、RA08N1317M、RA07N4452M、RA07N4047M、RA07N3340M、RA07M4452MSA、RA07M4452M、RA07M4047MSA、RA07M4047M、RA07M3843M、RA07M3340M、RA07M2127M、RA07M1317MSA、RA07M1317M、RA07M0608M、RA07H4452M、RA07H4047M、RA07H3340M、RA07H0608M、RA06H8285M、RA05H9595M、RA05H8693M、RA03M9595M、RA03M8894M、RA03M8087M、RA03M4547MD、RA03M4043MD、RA03M3540MD、RA02M8087MD、RA01L9595M、RA01L8693MA等RA全系列。
 
本公司*經(jīng)營日本MITSUBISHI三菱全系列射頻功率放大模塊,保證*,*現(xiàn)貨,批號無鉛環(huán)保,假一罰十。深圳、香港公司備有大量現(xiàn)貨庫存,可提供樣品,現(xiàn)*熱賣中。

特性:高功率增益:Pout>16W, Gp>16dB @Vdd=12.5V,f=30MHz
應用:對于輸出的高功率放大器階段HF 頻帶移動無線sets
ROHS柔性:RD16HHF1-101是RoHS兼容產(chǎn)品.RoHS遵守表明該地段后由信“G”標記.該產(chǎn)品包括高熔融高溫型焊料中的鉛.如何以往,它適用于RoHS方向以下情況除外.1.Lead高熔融焊錫(i.e.tin無鉛焊料合金中含有較多的than85%.)
 
RD16HHF1 is a MOS FET type transistor specifically
designed for HF RF power amplifiers applications.


FEATURES
High power gain:
Pout>16W, Gp>16dB @Vdd=12.5V,f=30MHz


APPLICATION
For output stage of high power amplifiers in
HF band radio sets.


RoHS COMPLIANT
RD16HHF1-101 is a RoHS compliant products.
RoHS compliance is indicate by the letter “G” after the lot
marking.
This product include the lead in high melting temperature type solders.
How ever,it applicable to the following exceptions of RoHS Directions.
1.Lead in high melting temperature type solders(i.e.tin-lead solder alloys containing more than85% lead.)
熱門產(chǎn)品
產(chǎn)品名稱參考價地區(qū)公司名稱更新時間 
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