RA55H4452M 三菱射頻模塊 RA55H4452M-儀表網(wǎng)

公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

深圳市浩時(shí)健電子技術(shù)有限公司(Shenzhen Haoshijian Electronics Co.,Ltd)是在中國(guó)地區(qū)面向OEM廠商和部屬研究院提供產(chǎn)品銷售和技術(shù)支持的辦事機(jī)構(gòu)。在全國(guó)設(shè)有兩個(gè)辦事處分別位于香港及深圳，總部設(shè)在香港。專業(yè)代理品牌傳感器與控制元件、射頻微波、功放模塊、電源模塊等產(chǎn)品。其主要應(yīng)用在電子通訊、醫(yī)療設(shè)備、儀器儀表、電力系統(tǒng)、自動(dòng)化控制、無(wú)線電設(shè)備、汽車電話以及車載市場(chǎng)等行業(yè)。

在傳感與控制產(chǎn)品領(lǐng)域，我們已具備豐富的銷售經(jīng)驗(yàn)和強(qiáng)大的技術(shù)支持，是目前國(guó)內(nèi)較大規(guī)模的傳感器銷售公司。我們提供的傳感器覆蓋面極為廣泛：包括美國(guó)Honeywell霍尼韋爾壓力、觸力、紅外、濕度、霍爾、電流及氣體流量傳感器；美國(guó)ADI加速度和角速率陀螺儀傳感器；；法國(guó)Humirel濕敏電容；FIGARO費(fèi)加羅全系列催化式、電化學(xué)、紅外線氣體傳感器；德國(guó)PerkinElmer海曼、日本NICERA尼塞拉熱釋電紅外傳感器；SHARP光電傳感器等。

*致力推廣日本MITSUBISHI三菱射頻功放模塊及其分立MOSFET管；美國(guó)Mini-Circuits混頻器、耦合器、功分器、振蕩器、衰減濾波器；HITTITE放大器、分離器、開關(guān)、衰減混頻器；ANAREN安倫電橋、混合器、衰減器；SIRENZA功率放大器、晶體管；TriQuint數(shù)字、模擬和混合信號(hào)砷化鎵集成電路；M/A-COM、Freescale：MRFx系列高頻管和放大器；荷蘭NXP恩智浦BLFxxx系列射頻功率管；日本COSEL科索電源模塊，美國(guó)VICOR懷格電源模塊，日本TDK-Lambda電盛蘭達(dá)電源模塊，法國(guó)GAIA蓋亞等多種電源模塊；英國(guó)CML有線通信芯片,無(wú)線數(shù)據(jù)Modem,數(shù)字對(duì)講機(jī)基帶處理芯片,模擬對(duì)講機(jī)基帶處理芯片,AIS基帶處理芯片，音頻編解碼芯片等。未來(lái)，我們將竭誠(chéng)提供更廣，更全，更準(zhǔn)確的技術(shù)支持和售后服務(wù)。“質(zhì)量*，客戶*”衷心期待廣大客戶和同仁前來(lái)洽談業(yè)務(wù)，謝謝合作！

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

該RA55H4452M是55-watt RF的MOSFET放大器模塊12.5-volt移動(dòng)電臺(tái)在向工作在440-520-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強(qiáng)型MOSFET晶體管

三菱射頻模塊 RA55H4452M 產(chǎn)品詳情

該RA55H4452M是55-watt RF的MOSFET放大器模塊12.5-volt移動(dòng)電臺(tái)在向工作在440-520-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強(qiáng)型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓（VGG進(jìn)入=0V）,只有一小漏電流漏極和RF衰減輸入信號(hào)的zui高60 dB.輸出功率和漏電流增加門極電壓增加.與周圍4V柵極電壓（zui?。?，輸出功率和漏電流大幅增加.標(biāo)稱輸出功率變?cè)?.5V（典型值），5V可用（zui大）.在VGG=5V,的典型柵極電流1 mA.該模塊是專為非線性調(diào)頻調(diào)制，但也可能是線性調(diào)制使用設(shè)置排水靜態(tài)電流與柵極電壓和控制輸出功率與輸入功率.

深圳浩時(shí)健電子有限公司是國(guó)內(nèi)三菱射頻電子元器件專業(yè)供應(yīng)商，三菱射頻產(chǎn)品廣泛應(yīng)用用于移動(dòng)通信基站、直放站、衛(wèi)星通信、有線電視、雷達(dá)、無(wú)線本地環(huán)等領(lǐng)域。積極向國(guó)內(nèi)生產(chǎn)和科研單位*新產(chǎn)品：日本三菱公司生產(chǎn)的系列射頻功率放大模塊、系列射頻場(chǎng)效應(yīng)三極管。多年以來(lái)已為國(guó)內(nèi)眾多的生產(chǎn)廠家、科研院所、大專院校、國(guó)家重要單位維修部門的生產(chǎn)、維修、研制開發(fā)新品、教學(xué)實(shí)驗(yàn)等提供了準(zhǔn)確、快捷、方便的配套供貨服務(wù)。在經(jīng)營(yíng)運(yùn)作上,我公司批發(fā)、零售兼營(yíng)，可向用戶*保證貨源，并保證供貨品種的技術(shù)指標(biāo)滿足相關(guān)的檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)。

三菱（MITSUBISHI）:HF/VHF/UHF/900MHz（分立MOSFET管）
RD100HHF1、RD70HVF1、RD70HUF2、RD70HHF1、RD60HUF1、RD45HMF1、RD35HUF2、RD30HUF1、RD30HVF1、RD20HMF1、RD16HHF1、RD15HVF1、RD12MVP1、RD12MVS1、RD09MUP2、RD07MVS1B、RD07MVS1、RD07MVS2、RD07MUS2B、RD06HVF1、RD06HHF1、RD05MMP1、RD04HMS2、RD02MUS1、RD02MUS1B、RD02MUS2、RD01MUS1、RD02MUS2B、RD01MUS2、RD00HHS1、RD00HVS1等RD全系列。

三菱（MITSUBISHI）：（射頻功率放大模塊）

RA60H4452M1、RA60H4047M1、RA60H3847M1、RA60H1317M1A、RA60H1317M、RA55H4452M、RA55H4047M、RA55H3847M、RA55H3340M、RA45H8994M1、RA45H7687M1、RA45H4452M、RA45H4047M、RA45H4045MR、RA35H1516M、RA33H1516M1、RA30H4552M1、RA30H4452M、RA30H4047M1、RA30H4047M、RA30H3340M、RA30H2127M、RA30H1721M、RA30H1317M1、RA30H1317M、RA30H0608M、RA20H8994M、RA20H8087M、RA18H1213G、RA13H8891MA、RA13H8891MB、RA13H4452M、RA13H4047M、RA13H3340M、RA13H1317M、RA08H1317M、RA08N1317M、RA07N4452M、RA07N4047M、RA07N3340M、RA07M4452MSA、RA07M4452M、RA07M4047MSA、RA07M4047M、RA07M3843M、RA07M3340M、RA07M2127M、RA07M1317MSA、RA07M1317M、RA07M0608M、RA07H4452M、RA07H4047M、RA07H3340M、RA07H0608M、RA06H8285M、RA05H9595M、RA05H8693M、RA03M9595M、RA03M8894M、RA03M8087M、RA03M4547MD、RA03M4043MD、RA03M3540MD、RA02M8087MD、RA01L9595M、RA01L8693MA等RA全系列。

本公司*經(jīng)營(yíng)日本MITSUBISHI三菱全系列射頻功率放大模塊，保證*，*現(xiàn)貨，批號(hào)無(wú)鉛環(huán)保，假一罰十。深圳、香港公司備有大量現(xiàn)貨庫(kù)存，可提供樣品，現(xiàn)*熱賣中。

特征

•增強(qiáng)型MOSFET晶體管（IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V）

• Pout>55W,ηT>43% @ f=440-490MHz,Pout>45W,ηT>35% @ f=491-520MHz,VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW

•寬帶頻率范圍：440-520MHz

•低功耗控制電流IGG=1mA （typ）在VGG=5V

•模塊尺寸：66 x 21 x 9.88 mm

•線性操作有可能通過設(shè)置靜態(tài)漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制與輸入功率

•RA55H4452M-101是RoHS兼容產(chǎn)品.

•RoHS遵守表明該地段后由信“G”扣分

關(guān)鍵詞：電子元器件科研院標(biāo)準(zhǔn)

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產(chǎn)品名稱	參考價(jià)	地區(qū)	公司名稱	更新時(shí)間
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AEW110-L無(wú)線通訊轉(zhuǎn)換器 rs485設(shè)備適用	面議	無(wú)錫市	江蘇安科瑞電器制造有限公司	2024-12-20	在線詢價(jià)

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