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  • 三菱功放模塊 RA07M2127M

RA07M2127M 三菱功放模塊 RA07M2127M

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  • 型號RA07M2127M
  • 品牌
  • 所在地深圳市
  • 更新時間2018-05-14
  • 廠商性質(zhì)代理商
  • 入駐年限1
  • 實名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量178
  • 人氣值1881
產(chǎn)品標(biāo)簽

RA07M2127M三菱功放模塊

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深圳市浩時健電子技術(shù)有限公司(Shenzhen Haoshijian Electronics Co.,Ltd)是在中國地區(qū)面向OEM廠商和部屬研究院提供產(chǎn)品銷售和技術(shù)支持的辦事機(jī)構(gòu)。在全國設(shè)有兩個辦事處分別位于香港及深圳,總部設(shè)在香港。專業(yè)代理品牌傳感器與控制元件、射頻微波、功放模塊、電源模塊等產(chǎn)品。其主要應(yīng)用在電子通訊、醫(yī)療設(shè)備、儀器儀表、電力系統(tǒng)、自動化控制、無線電設(shè)備、汽車電話以及車載市場等行業(yè)。



在傳感與控制產(chǎn)品領(lǐng)域,我們已具備豐富的銷售經(jīng)驗和強(qiáng)大的技術(shù)支持,是目前國內(nèi)較大規(guī)模的傳感器銷售公司。我們提供的傳感器覆蓋面極為廣泛:包括美國Honeywell霍尼韋爾壓力、觸力、紅外、濕度、霍爾、電流及氣體流量傳感器;美國ADI加速度和角速率陀螺儀傳感器;;法國Humirel濕敏電容;FIGARO費加羅全系列催化式、電化學(xué)、紅外線氣體傳感器;德國PerkinElmer海曼、日本NICERA尼塞拉熱釋電紅外傳感器;SHARP光電傳感器等。



*致力推廣日本MITSUBISHI三菱射頻功放模塊及其分立MOSFET管;美國Mini-Circuits混頻器、耦合器、功分器、振蕩器、衰減濾波器;HITTITE放大器、分離器、開關(guān)、衰減混頻器;ANAREN安倫電橋、混合器、衰減器;SIRENZA功率放大器、晶體管;TriQuint數(shù)字、模擬和混合信號砷化鎵集成電路;M/A-COM、Freescale:MRFx系列高頻管和放大器;荷蘭NXP恩智浦BLFxxx系列射頻功率管;日本COSEL科索電源模塊,美國VICOR懷格電源模塊,日本TDK-Lambda電盛蘭達(dá)電源模塊,法國GAIA蓋亞等多種電源模塊;英國CML有線通信芯片,無線數(shù)據(jù)Modem,數(shù)字對講機(jī)基帶處理芯片,模擬對講機(jī)基帶處理芯片,AIS基帶處理芯片,音頻編解碼芯片等。未來,我們將竭誠提供更廣,更全,更準(zhǔn)確的技術(shù)支持和售后服務(wù)。“質(zhì)量*,客戶*”衷心期待廣大客戶和同仁前來洽談業(yè)務(wù),謝謝合作!

 

 

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該RA07M2127M是7-watt RF的MOSFET放大器模塊for 7.2-volt,在215-工作的移動收音機(jī)270-MHz范圍
三菱功放模塊 RA07M2127M 產(chǎn)品詳情

該RA07M2127M是7-watt RF的MOSFET放大器模塊for 7.2-volt,在215-工作的移動收音機(jī)270-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強(qiáng)型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進(jìn)排水=0V),只是一個很小的泄漏電流與輸入信號衰減的RF高達(dá)60 dB.輸出功率作為柵極和漏極電壓增加電流增加.隨著柵極電壓約2.5V(zui低),輸出功率和漏目前的大幅增加.額定輸出功率變在3V(典型值)和3.5V(zui大)提供.在VGG=3.5V,的典型柵極電流1 mA.該模塊是專為非線性調(diào)頻調(diào)制,但可能也可用于線性調(diào)制通過設(shè)置靜態(tài)漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制輸入功率.


 
 
深圳浩時健電子有限公司是國內(nèi)三菱射頻電子元器件專業(yè)供應(yīng)商,三菱射頻產(chǎn)品廣泛應(yīng)用用于移動通信基站、直放站、衛(wèi)星通信、有線電視、雷達(dá)、無線本地環(huán)等領(lǐng)域。積極向國內(nèi)生產(chǎn)和科研單位*新產(chǎn)品:日本三菱公司生產(chǎn)的系列射頻功率放大模塊、系列射頻場效應(yīng)三極管。多年以來已為國內(nèi)眾多的生產(chǎn)廠家、科研院所、大專院校、國家重要單位維修部門的生產(chǎn)、維修、研制開發(fā)新品、教學(xué)實驗等提供了準(zhǔn)確、快捷、方便的配套供貨服務(wù)。在經(jīng)營運作上,我公司批發(fā)、零售兼營,可向用戶*保證貨源,并保證供貨品種的技術(shù)指標(biāo)滿足相關(guān)的檢測標(biāo)準(zhǔn)。

三菱(MITSUBISHI):HF/VHF/UHF/900MHz(分立MOSFET管)

RD100HHF1、RD70HVF1、RD70HUF2、RD70HHF1、RD60HUF1、RD45HMF1、RD35HUF2、RD30HUF1、RD30HVF1、RD20HMF1、RD16HHF1、RD15HVF1、RD12MVP1、RD12MVS1、RD09MUP2、RD07MVS1B、RD07MVS1、RD07MVS2、RD07MUS2B、RD06HVF1、RD06HHF1、RD05MMP1、RD04HMS2、RD02MUS1、RD02MUS1B、RD02MUS2、RD01MUS1、RD02MUS2B、RD01MUS2、RD00HHS1、RD00HVS1等RD全系列。

 
三菱(MITSUBISHI):(射頻功率放大模塊)
RA60H4452M1、RA60H4047M1、RA60H3847M1、RA60H1317M1A、RA60H1317M、RA55H4452M、RA55H4047M、RA55H3847M、RA55H3340M、RA45H8994M1、RA45H7687M1、RA45H4452M、RA45H4047M、RA45H4045MR、RA35H1516M、RA33H1516M1、RA30H4552M1、RA30H4452M、RA30H4047M1、RA30H4047M、RA30H3340M、RA30H2127M、RA30H1721M、RA30H1317M1、RA30H1317M、RA30H0608M、RA20H8994M、RA20H8087M、RA18H1213G、RA13H8891MA、RA13H8891MB、RA13H4452M、RA13H4047M、RA13H3340M、RA13H1317M、RA08H1317M、RA08N1317M、RA07N4452M、RA07N4047M、RA07N3340M、RA07M4452MSA、RA07M4452M、RA07M4047MSA、RA07M4047M、RA07M3843M、RA07M3340M、RA07M2127M、RA07M1317MSA、RA07M1317M、RA07M0608M、RA07H4452M、RA07H4047M、RA07H3340M、RA07H0608M、RA06H8285M、RA05H9595M、RA05H8693M、RA03M9595M、RA03M8894M、RA03M8087M、RA03M4547MD、RA03M4043MD、RA03M3540MD、RA02M8087MD、RA01L9595M、RA01L8693MA等RA全系列。
 
本公司*經(jīng)營日本MITSUBISHI三菱全系列射頻功率放大模塊,保證*,*現(xiàn)貨,批號無鉛環(huán)保,假一罰十。深圳、香港公司備有大量現(xiàn)貨庫存,可提供樣品,現(xiàn)*熱賣中。


特征
• 增強(qiáng)型MOSFET晶體管(IDD≅0@ VDD=7.2V, VGG=0V)
• Pout>7W @ VDD=7.2V, VGG=3.5V, Pin=20mW
ηT>45% @ Pout=6.5W (VGG控制),VDD=7.2V, Pin=20mW
• 寬帶頻率范圍:215-270MHz
• 低功耗控制電流IGG=1mA (typ)在VGG=3.5V
• 模塊尺寸:30 x 10 x 5.4 mm
• 線性操作有可能通過設(shè)置靜態(tài)漏電流同門電壓和輸出功率的控制輸入功率
 
 
 
RA07M2127M:Silicon RF Power Semiconductors RoHS Compliance ,215-270MHz 7W 7.2V, 2Stage Amp. For PORTABLE RADIO
 
DESCRIPTION
The RA07M2127M is a 7-watt RF MOSFET Amplifier Module for 7.2-volt portable radios that operate in the 215- to 270-MHz range.The battery can be connected directly to the drain of the enhancement-mode MOSFET transistors. Without the gate voltage (VGG=0V), only a small leakage current flows into the drain and the RF input signal attenuates up to 60 dB. The output power and drain current increase as the gate voltage increases.With a gate voltage around 2.5V (minimum), output power and drain current increases substantially. The nominal output power becomes available at 3V (typical) and 3.5V (maximum). At VGG=3.5V, the typical gate current is 1 mA.This module is designed for non-linear FM modulation, but may also be used for linear modulation by setting the drain quiescent current with the gate voltage and controlling the output power with the input power.
 
 
FEATURES
• Enhancement-Mode MOSFET Transistors (IDD≅0 @ VDD=7.2V, VGG=0V)
• Pout>7W @ VDD=7.2V, VGG=3.5V, Pin=20mW
• ηT>45% @ Pout=6.5W (VGG control), VDD=7.2V, Pin=20mW
• Broadband Frequency Range: 215-270MHz
• Low-Power Control Current IGG=1mA (typ) at VGG=3.5V
• Module Size: 30 x 10 x 5.4 mm
• Linear operation is possible by setting the quiescent drain current with the gate voltage and controlling the output power with the input power RoHS COMPLIANCE
• RA07M2127M-101 is a RoHS compliant products.
• RoHS compliance is indicate by the letter “G” after the Lot Marking.
• This product include the lead in the Glass of electronic parts and the lead in electronic Ceramic parts.How ever,it applicable to the following exceptions of RoHS Directions.
1.Lead in the Glass of a cathode-ray tube, electronic parts, and fluorescent tubes.
2.Lead in electronic Ceramic parts.
 
ORDERING INFORMATION:
ORDER NUMBER:RA07M2127M-101
SUPPLY FORM:Antistatic tray, 50 modules/tray
熱門產(chǎn)品
產(chǎn)品名稱參考價地區(qū)公司名稱更新時間 
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