透射電鏡(TEM)用氧化硅薄膜窗格
氧化硅與氮化硅薄膜窗格比較:
相比氮化硅薄膜,氧化硅薄膜更適合用于含氮樣本。在EDS研究中,如基片薄膜含氮,則會與樣本造成混淆。
樣本安置面:
對多數(shù)用戶來說,樣本應安置在薄膜窗格的“覆膜面”而非“蝕坑面”。但我們也知道在一些特殊情況下,蝕坑面也可安置樣本。除對樣本進行原子力顯微鏡(AFM)觀測外,蝕坑面本質(zhì)上并非不可用于放置樣本。實際上,沒有一個顯微鏡的懸臂可以伸至蝕坑內(nèi)“看清”薄膜表面。
產(chǎn)品規(guī)格:
氧化硅薄膜窗特點:
清洗:采用等離子清洗,無有機物殘留,改善成像質(zhì)量;
均勻性:減少了不同區(qū)域的不均勻性;
穩(wěn)定性: 耐高溫,>1000℃;
良好的化學穩(wěn)定性:圖像分辨率和機械強度達到理想的平衡;
化學計量比的SiO2:可用于氮氣環(huán)境下的EDX分析;
氧化硅薄膜窗規(guī)格
窗口類型 | 薄膜厚度 | 窗口尺寸 | 框架尺寸 | 框架厚度 |
20nm | 2x1陣列,100X1500µm | Φ3mm | 200µm | |
40nm | 2x1陣列,100X1500µm | Φ3mm | 200µm | |
20nm | 3x3陣列,窗口100X100µm | Φ3mm | 200µm | |
100nm | 3x3陣列,窗口100X100µm | Φ3mm | 200µm | |
8nm | 窗口0.5x0.5mm,氮化硅薄膜200nm;24個網(wǎng)格,網(wǎng)格大小70x70µm | Φ3mm | 200µm | |
18nm | 窗口0.5x0.5mm,氮化硅薄膜200nm;24個網(wǎng)格,網(wǎng)格大小60x60µm | Φ3mm | 200µm | |
40nm | 窗口0.5x0.5mm,氮化硅薄膜200nm;24個網(wǎng)格,網(wǎng)格大小50x50µm | Φ3mm | 200µm |
優(yōu)點:
- SEM應用中,薄膜背景不呈現(xiàn)任何結(jié)構(gòu)和特點。
- x-射線顯微鏡中,裝載多個分析樣的*方法。
- 無氮
應用:
氧化硅薄膜應用范圍非常廣,甚至有時使不可能變?yōu)榭赡?,但所有應用都有無氮要求(因樣本中有氮存在):
● 惰性基片可用于高溫環(huán)境下,通過TEM、SEM或AFM(某些情況下)對反應進行動態(tài)觀察。
● 作為耐用(如“強力”)基片,首先在TEM下,然后在SEM下對同一區(qū)域進行“匹配”。
● 作為耐用匹配基片,對AFM和TEM圖像進行比較。
● 聚焦離子束(FIB)樣本的裝載,我們*使用多孔薄膜,而非不間斷薄膜。
氧化硅薄膜TEM網(wǎng)格操作使用:
如果正確操作,氧化硅薄膜將會擁有非常好的性能。相反,若用工具直接接觸薄膜,則會即刻損壞薄膜。為防損壞,可用尖嘴鑷子小心夾取,就像夾取其他TEM網(wǎng)格一樣。
使用前清潔:
氧化硅薄膜窗格在使用前不需進行額外清潔。有時薄膜表面邊角處會散落個別氧化物或氮化物碎片。由于單片網(wǎng)格需要從整個硅片中分離,并對外框進行打磨,因此這些微小碎片不可避免。盡管如此,我們相信這些碎片微粒不會對您的實驗產(chǎn)生任何影響。
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