該設(shè)備為高真空電子束蒸鍍設(shè)備，即利用高能量密度的電子束轟擊被鍍材料，使其氣化并沉積在基片表面；此設(shè)備為在石英或其它材料表面沉積鎳鉻合金或其它單金屬、合金；設(shè)備由立式前開門水冷真空室、真空系統(tǒng)、工裝系統(tǒng)、電子束沉積系統(tǒng)、離子轟擊系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、測量及監(jiān)控系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、輔助系統(tǒng)（機(jī)架、工藝氣路、壓空氣路、冷卻水路、附件）等組成。

　　性能參數(shù)：

　　1）沉積材料：CrNi合金（Cr80Ni20）；

　　2）膜厚儀：分辨率0.01埃；

　　3）具備輝光放電功能：電壓3KV，功率600W，320mA，工作壓力2.0x10-2mbar；

　　4）膜層均勻性：±5%；

　　5）極限真空：8.0x10-5pa；

　　6）本底真空：5x10-4Pa，到達(dá)時(shí)間：≤30min ；

　　7）設(shè)備內(nèi)腔尺寸：Φ800x1000；

　　8）電子槍：Φ50X25，10KW，270°偏轉(zhuǎn)；電子槍帶滅弧和可編程掃描功能；

　　9）工件轉(zhuǎn)架：工件可實(shí)現(xiàn)公自轉(zhuǎn)，雙層擺放沉積不同表面，微孔內(nèi)沉積深度由工件擺放角度決定；公轉(zhuǎn)速度：1-10rpm；

　　10）加熱溫度：max300℃，工作200℃；均勻性±2℃；

　　11）控制系統(tǒng)：PC+PLC，可自動、手動控制方式轉(zhuǎn)換，多種互鎖保護(hù)，具備多種參數(shù)顯示功能及工藝菜單儲存能力；