一、設(shè)備特點(diǎn)：

　　Φ70x4060集熱管鍍膜生產(chǎn)線，產(chǎn)線主體Φ1500x6000水冷真空腔室4段，依次為預(yù)處理室、工藝1室、工藝2室和出樣室；產(chǎn)線配移動(dòng)式公自轉(zhuǎn)工裝架及工裝架閉環(huán)輸送系統(tǒng)，工裝架裝載量20只（Φ70）；工裝架閉環(huán)輸送系統(tǒng)由橫移車及直線輸送線組成，在閉環(huán)輸送系統(tǒng)中工裝架自動(dòng)運(yùn)行。預(yù)處理室、工藝1室?guī)Ъ訜?，加熱溫?00℃。工藝1室配2只圓柱靶或內(nèi)裝平面靶，接直流電源用于沉積底層金屬，工藝2室配2對(duì)孿生靶接中頻電源；沉積AL、Ti、Si等構(gòu)成的多層陶瓷本征吸收層；系統(tǒng)除裝卸件外，均自動(dòng)運(yùn)行，自動(dòng)化程度較高，滿足光干涉膜、金屬陶瓷膜等選擇性吸熱膜的批生產(chǎn)需要。

　　二、性能參數(shù)：

　　1. 生產(chǎn)線尺寸：36655(L)X17500(W)X7000(H)

　　2. 集熱管尺寸：直徑范圍Φ70-120, 長(zhǎng)度4060；

　　3. 集熱管性能：吸收率≥95%  發(fā)射率 ≤9%（300℃）；

　　4. 設(shè)備產(chǎn)能：5萬(wàn)支/年（20只裝）；

　　5. 極限真空：8x10-4Pa，本底真空：3.2x10-3Pa；

　　6. 工藝加熱溫度（預(yù)處理室、工藝1室）：300℃ 鎧裝加熱組件；

　　7. 磁控靶位：工藝1室：2只；工藝2室：2對(duì)孿生靶；

　　8. 磁控電源：直流  2套     中頻   2套；

　　9. 真空系統(tǒng)：分子泵/前級(jí)機(jī)組+羅茨粗抽機(jī)組；

　　10. 工藝氣體：3路，MFC；反應(yīng)氣體6段供氣，各獨(dú)立可控；

　　11. 隨行工裝架數(shù)量：6套（20只裝）；

　　12. 真空腔室隔離閥：Φ1500氣動(dòng)插板閥  4套；

　　13. 控制系統(tǒng)：PC+PLC控制模式，自動(dòng)/手動(dòng)/修理調(diào)試功能轉(zhuǎn)換；多種工藝參數(shù)儲(chǔ)存，多種互鎖安全保護(hù)；

　　14. 系統(tǒng)水電氣：總裝機(jī)功率：約830KW

　　冷卻循環(huán)水量：80-100M3/H

　　壓縮空氣耗量：2M3/H