測(cè)量原理
本機(jī)采用白光共聚焦傳感器掃描法進(jìn)行表面形貌測(cè)量,經(jīng)過(guò)測(cè)量可以得到 Wafer 的表面幾何尺寸特征信息。
功能設(shè)計(jì)
本機(jī)主要用于測(cè)量碳化硅、藍(lán)寶石、玻璃、砷化鎵、磷化銦、硅、鍺、金屬、陶瓷等平板材料的微觀形貌特征。我們使用 Semicon 定義來(lái)表述 wafer 形貌,如:THK(厚度)、TTV(厚度變化)、TIR、WARP(翹曲度)、SORI、BOW(彎曲度)等。
性能參數(shù)指標(biāo)
分辨率(Resolution): 0.05μm
傳感器重復(fù)性(Repeatability): 0.20μm
測(cè)量精度(Accuracy): ±0.5μm(雙拋片)
測(cè)量點(diǎn)數(shù)(Data Points): 1 個(gè)/50μm
厚度精度(Thickness): ±0.5μm(雙拋片)
半自動(dòng)型速度(Speed): 35s/片(米字型)
3、環(huán)境要求
儀器外擴(kuò)/重量:L920*W800*H1370(MM)/450Kg 電腦/顯示器工作臺(tái):L700*W700*H750(MM)
電源:AC220V/50HZ/1KW(帶地線/空間無(wú)強(qiáng)磁干擾) 潔凈度:千級(jí)或百級(jí)(環(huán)境內(nèi)無(wú)酸堿氣體)
地面:隔振地面
溫/濕度:23℃±2℃/≤70%;無(wú)水氣凝結(jié)