LET-5000半導體測試系統(tǒng)是一款測量與分析功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)的專用儀器，為所有類型的功率半導體器件提供靜態(tài)參數(shù)測量解決方案。
LET-5000半導體測試系統(tǒng)能在2200V（可擴展為8000V）和1000A （可擴展為6000A）的條件下實現(xiàn)精確測量、分析功率半導體器件的靜態(tài)參數(shù)。
LET-5000具有快脈沖能力，并具有優(yōu)異的寬電壓和電流測量能力。
這些功能能夠?qū)Φ钠骷ɡ?/span> IGBT）和新型材料（例如 GaN 和 SiC）進行測量，可以測試器件包括：MOSFET、IGBT、二極管、三極管、JET、HEMT、光耦等。
LET-5000由多個獨立的高精度源組成，每個功率源模塊上配備兩個獨立的模數(shù)(AD)轉(zhuǎn)換器支持2µs采樣率，每個模塊上的驅(qū)動能夠獨立精確控制，對有可能影響器件特性的關鍵計時進行精確監(jiān)測。具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA 級漏電流測量能力等特點，支持高壓模式下功率器件結電容測試，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。
被測對象及主要測試參數(shù)
被測對象 | 主要測試參數(shù) |
分立器件 | Id-Vg，Id-Vd，Ic-Vc,二極管 |
雙極 | Ic-Vc、二極管、Gummel 圖、擊穿、hfe、電容 |
Coms | Id-Vg、Id-Vd、Vth、擊穿、電容、QSCV等 |
內(nèi)存 | Vth、電容、耐久測試等。 |
MOSFET | Id-Vds,Rds-Id,Id-Vgs,電容 |
IGBT | Ic-Vce，Ic-Vge,Vce(sat),Vth Vge(off),擊穿 |
太陽能電池 | I-V、Cp-V、奈奎斯特圖、DLCP 等。 |
納米器件 | 電阻、Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc等。 |
GaN | FET 電流衰減、Id-Vds 電流衰減、二極管電流 |
LET-5000系統(tǒng)參數(shù)：
集電極-發(fā)射極
測量電壓：
標配：2200V
選件1：3500V
選件2：8000V
測量電流：
標配：1000A
選件1：2000A
選件2：3000A
選件3：4000A
選件4：5000A
選件5：6000A
精度：0.10%
漏電流測試范圍：1nA~100mA
柵極-發(fā)射極
電壓：300V
電流：10A
精度：0.05%
電壓分辨率：30μV
電流分辨率：10pA
電容測試精度：0.50%
頻率范圍：10Hz-1MHz
電容值范圍：0.01pF-9.9999F
訂貨規(guī)格：
LET-5210 電壓范圍：0-2200V，電流范圍：0-1000A
LET-5220 電壓范圍：0-2200V，電流范圍：0-2000A
LET-5230 電壓范圍：0-2200V，電流范圍：0-3000A
LET-5240 電壓范圍：0-2200V，電流范圍：0-4000A
LET-5250 電壓范圍：0-2200V，電流范圍：0-5000A
LET-5260 電壓范圍：0-2200V，電流范圍：0-6000A
LET-5310 電壓范圍：0-3500V，電流范圍：0-1000A
LET-5320 電壓范圍：0-3500V，電流范圍：0-2000A
LET-5330 電壓范圍：0-3500V，電流范圍：0-3000A
LET-5340 電壓范圍：0-3500V，電流范圍：0-4000A
LET-5350 電壓范圍：0-3500V，電流范圍：0-5000A
LET-5360 電壓范圍：0-3500V，電流范圍：0-6000A
LET-5810 電壓范圍：0-8000V，電流范圍：0-1000A
LET-5820 電壓范圍：0-8000V，電流范圍：0-2000A
LET-5830 電壓范圍：0-8000V，電流范圍：0-3000A
LET-5840 電壓范圍：0-8000V，電流范圍：0-4000A
LET-5850 電壓范圍：0-8000V，電流范圍：0-5000A
LET-5860 電壓范圍：0-8000V，電流范圍：0-6000A
