SE-VE光譜橢偏儀
本設備基于單旋轉補償器調制技術一次性獲取Psi/Delta、N/C/S、反射率等光譜，可實現(xiàn)基底上單層到多層薄膜的膜厚、光學常數(shù)的快速分析表征。 1) 光譜范圍：400-800nm 2) 入射角：65° 3) 光斑大?。?/font>200μm 4) 調制技術：PCRSA調制技術 5) 重復性測量精度：0.01nm（100nm 硅基SiO2樣件，30次重復測量） 6) 膜厚測量范圍：0.1nm—20μm 7) 單點測量時間：＜5s 8) 光源：高性能進口鹵素燈光源（鹵素燈壽命：2,000h） 9) 可視化樣品顯微對準系統(tǒng) 2、 樣品臺規(guī)格： 1) 基板尺寸：支持樣件尺寸到Ф180mm 2) Z軸位移行程：0-10mm 3) 樣件臺俯仰角度：> ±2° 3、 測控與分析軟件 1) 光譜測量能力：PSI/DELTA橢偏光譜、N/C/S光譜、反射率光譜測量 2) 數(shù)據(jù)分析能力：具備單層、多層膜厚、光學常數(shù)（折射率、消光系數(shù)）分析能力 3) 支持常用光學常數(shù)模型以及常用振子模型（柯西模型、洛倫茲模型、高斯模型等），并支持圖形化多振子混合模型擬合功能 4) 支持多組分薄膜與體材料光學常數(shù)、組分比例分析功能； 核心算法包含嚴格耦合波模型、等效介質模型 5）支持用戶自定義，軟件不限制拷貝數(shù)量，支持windows10操作系統(tǒng)
