BKTEM-D3A型高溫材料熱電性能測試儀
關(guān)鍵詞:賽貝克系數(shù)測試儀,熱電材料,高溫熱電
塞貝克效應(yīng)也叫熱電效應(yīng),兩個不同的電導(dǎo)體或半導(dǎo)體之間的溫差在兩種物質(zhì)之間產(chǎn)生電壓差,當熱量施加到兩個導(dǎo)體或半導(dǎo)體中的一個時,加熱的電子便會流向較冷的導(dǎo)體或半導(dǎo)體。熱電材料的研究在能量保存和能源替代方面有著重要的作用,而熱電系數(shù)是熱電材料的主要參數(shù)之一通過研究不同溫度下的熱電系數(shù)并配合理論模型可得到載流子類型和能帶結(jié)構(gòu)信息等.主要應(yīng)用于能源效率,替代能源,汽車和燃料消耗等研究.
BKTEM-D3A型高溫材料熱電性能測試儀是一款集成度高的,應(yīng)用對于熱電材料熱電性質(zhì)參數(shù)賽貝克系數(shù)和電導(dǎo)率進行測量。
主要應(yīng)用領(lǐng)域:
1、半導(dǎo)體行業(yè)
2、能源和環(huán)境工程
3、熱電測量
4、制冷行業(yè)
5、大學(xué)研究與教學(xué)
6、材料:半導(dǎo)體、金屬與合金
7、工業(yè)領(lǐng)域:汽車/航空/航天,開發(fā)研究和學(xué)術(shù)研究,半導(dǎo)體行業(yè)/傳感器/熱電發(fā)電機/制冷設(shè)備
二:儀器測試原理結(jié)構(gòu)圖
三:主要熱電材料體系:
Bi2Te3/Sb2Te3體系
PbTe體系
SiGe體系
CoSb3為代表的方鉆礦型熱電材料
Zn4Sb3
技術(shù)特點:
可控溫場下可同步測量賽貝克系數(shù)和電阻率
標準配置進口高級商用吉時利(Keithley )數(shù)采儀表,避免電路板集成數(shù)據(jù)采集技術(shù)帶來的干擾誤差
Keithley技術(shù):
100nV rms 噪音本底
直流電壓靈敏度低至 10nV,基本精度為 0.002%(90天)
7ppm DCV 可重復(fù)性,基本 1 年 DCV 準確度:0.0028%
最大讀取速度范圍:2k 讀數(shù)/秒;
溫度分辨率:0.001℃;
交流電壓分辨率:0.1μV
電阻分辨率:1 μΩ
電流分辨率:1nA
低功耗歐姆測量模式
弱電流電路測試功能
偏置補償歐姆功能
檢定低壓元件又快又準確
提高測量精度的置信度
以低至 100μA 的源電流測量低阻抗,減少設(shè)備自發(fā)熱
進行電阻測量時控制測試電壓,避免擊穿可能已形成的任何氧化物或膜
消除會在系統(tǒng)環(huán)境中進行低電平電阻測量時產(chǎn)生錯誤的熱效應(yīng)
提供更的低電阻測量
標配進口高級商用電流源(ADCMT),非電路板集成恒流源,避免無法精準輸出小電流而產(chǎn)生熱效應(yīng)和測不準
恒流源參數(shù):0.000-220mA;恒流設(shè)置分辨率:100nA;恒流穩(wěn)定性:0.008+20nA/天
溫度范圍:RT up to 1200℃
控溫速率:0.01 –100K/min,可以節(jié)約用戶測試時間
配置垂直放樣結(jié)構(gòu),上下樣品支架夾持
測量范圍:賽貝克系數(shù):0.5μV/K-25V/K;電阻率:0.2μOhmm-2.5KOhmm
0-80K溫差范圍可任意設(shè)置溫差值及溫差點的個數(shù)
U-I曲線自動掃描,計算出合適的電流數(shù)值, 可以測量電導(dǎo)率;不會對大電阻樣品產(chǎn)生誤差
鉑金大電極設(shè)計,和樣品可充分接觸,對于不均勻樣品也可獲得良好的導(dǎo)電測試
熱電偶間距可以根據(jù)樣品尺寸調(diào)節(jié)后固定,滿足不同科研要求
精度:賽貝克系數(shù):±7%;電導(dǎo)系數(shù):±7%(熱電材料測試,非康銅標樣);
重復(fù)性:3%
高級應(yīng)用程序控溫技術(shù),包括溫差和測量步進等高級要求
自由升/降溫、控制溫度程序,進行升溫、恒溫與降溫過程中的數(shù)據(jù)測量
熱電偶探針可選K、S、R型(無需鎧裝)配置,不會產(chǎn)生非常大的接觸電阻
自動壓力安全保護設(shè)計,進口美國航天級硬件配置,確保測試過程中不會發(fā)生爆炸
測量系統(tǒng):柱狀、片狀、長方體、薄膜等系統(tǒng)可選
技術(shù)規(guī)格
溫度范圍 | RT up to 1200°C | |
控溫速率 | 0.01 – 100k/min | |
控溫精度 | +/-0.25K | |
測量方法 | 賽貝克系數(shù):靜態(tài)直流電 | 電阻系數(shù):四端法 |
測量范圍 | 賽貝克系數(shù):0.5μV/K-25V/K | 電阻率:0.2μOhmm-2.5KOhmm |
分辨率 | 賽貝克系數(shù):10nV/K | 電阻率:10nOhmm |
精度 | 賽貝克系數(shù): ± 5 % | 電導(dǎo)系數(shù):± 7 % |
重復(fù)性 | 3% | |
電流 | 0 to 220 mA(可控精準≤0.005mA) 恒流設(shè)置分辨率:100nA 恒流穩(wěn)定性:0.008+20nA/天 | |
數(shù)據(jù)采集 | 100nV rms 噪音本底 直流電壓靈敏度低至 10nV,基本精度為 0.002%(90天) 7ppm DCV 可重復(fù)性,基本 1 年 DCV 準確度:0.0028% 最大讀取速度范圍:2k 讀數(shù)/秒 溫度分辨率:0.001℃; 交流電壓分辨率:0.1μV 電阻分辨率:1 μΩ 電流分辨率:1nA | |
氣氛 | He、氧化、還原、真空(多種可選) | |
真空度 | 10E-3mbar | |
樣品尺寸 | 直徑或正方形:2 to 4 mm ;長度:6 to 22mm |