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公司介紹主營產(chǎn)品

深圳維爾克斯光電有限公司是國內(nèi)的進口光電代理商，代理*的激光、光電、光機械類產(chǎn)品，應(yīng)用涵蓋物理與光學(xué)、化學(xué)、材料、生命科學(xué)等領(lǐng)域。我們與國內(nèi)各大高校、研究所、激光設(shè)備公司和及精密儀器公司保持著緊密的聯(lián)系，提供針對不同應(yīng)用的專業(yè)技術(shù)支持。維爾克斯光電在衍射光學(xué)、微光學(xué)、太赫茲元件、*、光束分析儀、太陽光模擬器、顯微鏡載物臺、紅外熱像儀、電控平移臺、紅外探測器、光學(xué)儀器等領(lǐng)域具有多年的產(chǎn)品和技術(shù)積累，能夠為用戶提供各種高性價比的解決方案。

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產(chǎn)品簡介在線詢價

硅光電二極管用于檢測紫外線到近紅外波段的光，是一種半導(dǎo)體器件，OSI Optoelectronics公司開發(fā)了多種適用于該光譜范圍內(nèi)的硅光電二極管，并適用于該波段范圍內(nèi)的多種應(yīng)用，例如功率監(jiān)測、位置感應(yīng)、X射線與伽馬射線檢測等。除了多種標(biāo)準(zhǔn)品還可以提供定制，定制光電二極管可以聯(lián)系咨詢我們。

OSI Optoelectronics硅光電二極管產(chǎn)品詳情

OSI雪崩硅光電二極管，適用于紫外到近紅外波段

OSI Optoelectronics公司所開發(fā)的多種硅光電二極管有36種類型，以下列出其中的幾種光電二極管技術(shù)參數(shù)提供參考，分別為1064nmNd:YAG光電二極管、Nd:YAG光電二極管、雪崩光電二極管(APD)、背照式SMT光電二極管、反向散射光電探測器、藍(lán)色增強光電二極管、放大器混合型探測器濾光片組合、位置傳感探測器、線性陣列光電二極管、紫外線增強99%QE光電二極管等等。

OSI 1064納米Nd:YAG光電二極管

Nd:YAG系列OSI硅光電探測器針對1064nm波長（Nd:YAG激光光源）進行了優(yōu)化。它們具有低電容和快速響應(yīng)時間。由于其低噪聲和高響應(yīng)性，它們是測量低光強度的理想選擇，例如測距應(yīng)用中由Nd:YAG激光束照射物體反射的光。

OSI硅光電探測器既可以在光伏模式（無偏置）下運行，適用于對低噪聲有要求的應(yīng)用場景，也可以在光電導(dǎo)模式下偏置運行，適用于高速應(yīng)用。

型號	有效面積	峰值波長	響應(yīng)度	暗電流	電容	封裝
PIN-5-YAG	5.1mm²	1000nm	0.4A/W	10nA	5pF	TO-5
PIN-100-YAG	100mm²	1000nm	0.4A/W	80nA	25pF	Metal
SPOT-9-YAG	19.6mm²	1000nm	0.4A/W	12nA	7pF	Metal
SPOT-11-YAG-FL	26mm²	1000nm	0.42A/W	14nA	12pF	Metal
SPOT-13-YAG-FL	33.7mm²	1000nm	0.42A/W	16nA	14pF	Metal
SPOT-15-YAG	38.5mm²	1000nm	0.42A/W	50nA	15pF	Metal

雪崩光電二極管

硅雪崩光電二極管利用內(nèi)部倍增效應(yīng)，通過碰撞電離實現(xiàn)增益。其結(jié)果是一系列優(yōu)化的高響應(yīng)度器件，表現(xiàn)出優(yōu)異的靈敏度。OSI提供多種尺寸的OSI光電二極管，適用于光纖應(yīng)用，這些OSI Optoelectronics硅光電二極管可配備平面窗口或球形透鏡。

型號	有效面積直徑	增益	靈敏度@增益M	暗電流@增益M	電容	封裝
APD02-8-150-xxxx	0.2mm	100	50A/W	0.05nA	1.5pF	T-52
APD05-8-150-xxxx	0.5mm	100	50A/W	0.1nA	3pF	T-52
APD10-8-150-xxxx	1mm	100	50A/W	0.2nA	6pF	T-52
APD15-8-150-xxxx	1.5mm	100	50A/W	0.5nA	10pF	TO-5
APD30-8-150-xxxx	3mm	60	30A/W	1nA	40pF	TO-5
APD50-8-150-xxxx	5mm	40	20A/W	3nA	105pF	TO-8

藍(lán)色增強光電二極管

硅藍(lán)色增強光電二極管用于需要高靈敏度和中等響應(yīng)速度的應(yīng)用，藍(lán)色增強光電二極管系列在可見光藍(lán)色區(qū)域增加了額外的靈敏度。光譜響應(yīng)范圍從350到1100納米，使得常規(guī)光伏器件非常適合可見光和近紅外應(yīng)用。這些OSI Optoelectronics硅光電二極管具有高分流電阻和低噪聲，并具有長期穩(wěn)定性。在直流或低速應(yīng)用中，這些OSI光電二極管的無偏差運行可在較大的溫度變化下保持穩(wěn)定。對于高光強(大于10mW/cm2)情況，應(yīng)考慮使用光導(dǎo)系列探測器以獲得更好的線性度。

型號	有效面積	靈敏度	分流阻抗	上升時間	電容	封裝
OSD1-5T	1mm²	0.21A/W	250GΩ	7ns	35pF	TO-18
OSD3-5T	3mm²	0.21A/W	100GΩ	9ns	80pF	TO-18
OSD5-5T	5mm²	0.21A/W	100GΩ	9ns	130pF	TO-5
OSD15-5T	15mm²	0.21A/W	50GΩ	12ns	390pF	TO-5
OSD60-5T	62mm²	0.21A/W	3GΩ	30ns	1800pF	TO-8
OSD100-5TA	100mm²	0.21A/W	2 GΩ	45ns	2500pF	Special
PIN-040DP/SB	0.81mm²	0.20A/W	600GΩ	0.02ns	60pF	TO-18
PIN-040DP/SB	5.1mm²	0.20A/W	150GΩ	0.2ns	450pF	TO-5
PIN-10DP/SB	100mm²	0.20A/W	10GΩ	2ns	8800pF	BNC
PIN-10DPI/SB	100mm²	0.20A/W	10GΩ	2ns	8800pF	Metal
PIN- 220DP/SB	200mm²	0.20A/W	5GΩ	2ns	17000pF	Plastic

OSI線性陣列光電二極管

線性陣列光電二極管由彼此相鄰放置的多個單元素光電二極管組成，在公共陰極基板上形成一維感測區(qū)域。它們可以同時測量一個或多個波長的移動光束它們具有低電串?dāng)_和相鄰元件之間的超高均勻性，從而實現(xiàn)非常高精度的測量。在需要大量探測器時，線性陣列提供了一種低成本的替代方案。OSI線性陣列光電二極管針對紫外、可見或近紅外范圍進行了優(yōu)化。

線性陣列光電二極管可以工作在光導(dǎo)模式(反向偏置)以減少響應(yīng)時間，或者在光伏模式（無偏置）下用于低漂移應(yīng)用。A2V-16可以耦合到任何閃爍體晶體，用于測量電磁頻譜的X射線和伽馬射線區(qū)域中的高能光子此外，它們經(jīng)過機械設(shè)計，因此在需要超過16個元件的應(yīng)用中，多個A2V-16可以首尾相連地安裝在一起。

型號	每個元素有效面積直徑	元素數(shù)量	間距	在1550nm響應(yīng)率	電容
A2V-16	75µm	16	1.59mm	0.60A/W	170pF
A5C-35	75µm	35	0.99mm	0.65A/W	12pF
A5V-35	75µm	35	0.99mm	0.60A/W	340pF
A5V-35UV	75µm	35	0.99mm	0.06A/W@254nm	340pF
A5C-38	75µm	38	0.99mm	0.65A/W	12pF
A5V-38	75µm	38	0.99mm	0.60A/W	340pF
A2V-76	75µm	76	0.31mm	0.50A/W	160pF

紫外線增強99%QE光電二極管

OSI光電提供兩種不同的紫外線增強硅光電二極管系列。反轉(zhuǎn)通道系列和平面擴散系列。這兩個系列的器件都是專為電磁波譜紫外區(qū)的低噪聲檢測而設(shè)計的。

反轉(zhuǎn)層結(jié)構(gòu)UV增強光電二極管表現(xiàn)出99%的內(nèi)部量子效率，非常適合低強度光的測量。它們具有高分流電阻、低噪聲和高擊穿電壓。當(dāng)施加5至10伏反向偏壓，整個表面的響應(yīng)均勻性和量子效率提高。在光伏模式(無偏置)下，電容高于擴散設(shè)備，但隨著反向偏壓的施加會迅速下降。與擴散器件相比，反轉(zhuǎn)層器件的光電流非線性設(shè)置在較低的光電流下。在700nm以下，它們的響應(yīng)度隨溫度變化不大。

型號	有效面積	靈敏度@254nm	分流電阻	電容	封裝
UV-005	5.1mm²	0.14A/W	200MΩ	300pF	TO-5
UV-015	15mm²	0.14A/W	100MΩ	800pF	TO-5
UV-20	20mm²	0.14A/W	50MΩ	1000pF	TO-8
UV-35	35mm²	0.14A/W	30MΩ	1600pF	TO-8
UV-35P	35mm²	0.14A/W	30MΩ	1600pF	Plastic
UV-50	50mm²	0.14A/W	20MΩ	2500pF	BNC
UV-100	100mm²	0.14A/W	10MΩ	4500pF	BNC
UV-100L	100mm²	0.14A/W	10MΩ	4500pF	Low Profile

紫外增強近紅外抑制光電二極管

OSI系列平面擴散結(jié)構(gòu)的紫外增強型光電二極管與反轉(zhuǎn)層器件相比顯示出顯著優(yōu)勢，如更低的電容和更高的響應(yīng)時間。與反轉(zhuǎn)層器件相比，這些器件表現(xiàn)出高達(dá)更高的光輸入功率的光電流線性。他們相較于反轉(zhuǎn)層器件具有相對較低的響應(yīng)度和量子效率。目前有兩種平面擴散紫外增強型光電二極管可供選擇，UVDQ系列和UVEQ系列。這兩個系列在電光特性上幾乎相同，但UVEQ系列中，設(shè)備對近紅外區(qū)域的響應(yīng)被抑制。如果需要阻擋光譜中的近紅外區(qū)域，這一點尤其可取。

型號	有效面積	峰值波長	分流電阻	反向電壓	封裝
UV-005EQ	5.7mm²	720nm	20GΩ	140V	TO-5
UV-005EQC	5.7mm²	720nm	20GΩ	140V	Ceramic
UV-013EQ	13mm²	720nm	10GΩ	280V	TO-5
UV-035EQ	34mm²	720nm	5GΩ	800V	TO-8
UV-035EQC	34mm²	720nm	5GΩ	800V	Ceramic
UV-100EQ	100mm²	720nm	2GΩ	2500V	BNC
UV-100EQC	100mm²	720nm	2GΩ	2500V	Ceramic

關(guān)鍵詞：光電二極管標(biāo)準(zhǔn) 標(biāo)準(zhǔn)品光電探測器

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產(chǎn)品名稱	參考價	地區(qū)	公司名稱	更新時間
wkty美國ACPhotonics衰減器光電二極管	面議	秦皇島市	秦皇島維克托國際貿(mào)易有限公司	2022-10-07	在線詢價
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