HTR-4立式4寸快速退火爐
HTR-4立式4寸快速退火爐（芯片熱處理設(shè)備）廣泛應(yīng)用在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導(dǎo)體和功率器件等多種芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)，和歐姆接觸快速合金、離子注入退火、氧化物生長、消除應(yīng)力和致密化等工藝當(dāng)中，通過快速熱處理以改善晶體結(jié)構(gòu)和光電性能，技術(shù)指標(biāo)高、工藝復(fù)雜、專用性強。
主要應(yīng)用領(lǐng)域：
1.快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)；
2.離子注入/接觸退火；
3.金屬合金；
4.熱氧化處理；
5.化合物合金（砷化鎵、氮化物等）；
6.多晶硅退火；
7.太陽能電池片退火；
8.高溫退火；
9.高溫擴散。
產(chǎn)品特點：
可測大尺寸樣品：可測單晶片樣品的尺寸為4英寸。
壓力控制系統(tǒng)創(chuàng)新設(shè)計：高精度控制壓力，以滿足不同的工藝要求。
存儲熱處理工藝：方便工藝參數(shù)調(diào)取，提高實驗效率，數(shù)據(jù)可查詢。
快速控溫與高真空：最高升溫速率可達150℃/s，真空度最高可達到10-5Pa。
程序設(shè)定與氣路擴展：可實現(xiàn)不同溫度段的精確控制，進行降溫段的自動轉(zhuǎn)接，并能夠?qū)に嚥藛芜M行保存，方便調(diào)用。采用MFC精確控制氣體流量，實現(xiàn)不同氣氛環(huán)境（真空、氮氣等）下的熱處理。
腔體空間設(shè)計：保證大尺寸樣品的溫場均勻性 ≤1%。
全自動智能控制：采用全自動智能控制，包括溫度、時間、氣體流量、真空、冷卻水等均可實現(xiàn)自動控制。
超高安全系數(shù)：采用爐門安全溫度開啟保護、溫控器開啟權(quán)限保護以及設(shè)備急停安全保護三重安全措施，保障設(shè)備使用安全。
主要技術(shù)參數(shù)：
最大樣品尺寸 | 4英寸（直徑100mm） |
控溫范圍 | RT~1200℃ |
升溫速率（max） | 150℃/s |
高溫段降溫速率（max） | 1200℃/min |
控溫精度 | ±0.5℃ |
溫場均勻性 | ≤1% |
氣體流量 | 標(biāo)配1路MFC控制（氮氣）可擴展至4路 |
壓力控制 | ~1bar，±100Pa |
工藝條件 | 支持真空、氧化、還原、惰性氣體等工藝氣氛，一鍵設(shè)置通過軟件控制真空及通氣時間 |
