BKTEM-B2薄膜熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

關(guān)鍵詞：薄膜熱電，賽貝克系數(shù)，Seebeck，四線(xiàn)法

為解決日益緊迫的能源危機(jī)，太陽(yáng)能、風(fēng)能、核能等多種新能源不斷被開(kāi)發(fā)利用。新能源的使用需要優(yōu)質(zhì)的節(jié)能材料。

BKTEM-B2薄膜熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)利用熱電材料制成的制冷和發(fā)電系統(tǒng)，具有體積小、重量輕、無(wú)任何機(jī)械噪音、不造成任何環(huán)境污染等眾多優(yōu)點(diǎn)。因此對(duì)熱電材料的研究非常重要。為了進(jìn)一步提高熱電材料的轉(zhuǎn)化效率（熱電優(yōu)值），對(duì)其研究從塊體慢慢轉(zhuǎn)移到薄膜材料。

技術(shù)原理

動(dòng)態(tài)法：測(cè)量 Seebeck 系數(shù)

在待測(cè)溫場(chǎng)下給樣品兩端加一個(gè)連續(xù)變化的微小溫差，通過(guò)記錄樣品兩端溫差和熱電勢(shì)的變化，

然后將溫差和熱電勢(shì)擬合成一條直線(xiàn)，直線(xiàn)斜率即為該材料在該溫場(chǎng)下的 Seebeck 系數(shù)。

采用四線(xiàn)法測(cè)量電阻率。 硬件特點(diǎn)

專(zhuān)門(mén)針對(duì)薄膜材料的 Seebeck 系數(shù)和電阻率測(cè)量。

采用動(dòng)態(tài)法測(cè)量 Seebeck 系數(shù),避免了靜態(tài)測(cè)量在溫差測(cè)量上的系統(tǒng)誤差,測(cè)量更準(zhǔn)確。

采用四線(xiàn)法測(cè)量電阻率，測(cè)量更加穩(wěn)定可靠。

薄膜熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

技術(shù)原理

動(dòng)態(tài)法：測(cè)量 Seebeck 系數(shù)

在待測(cè)溫場(chǎng)下給樣品兩端加一個(gè)連續(xù)變化的微小溫差，通過(guò)記錄樣品兩端溫差和熱電勢(shì)的變化，然后將溫差和熱電勢(shì)擬合成一條直線(xiàn)，直線(xiàn)斜率即為該材料在該溫場(chǎng)下的 Seebeck 系數(shù)。

采用四線(xiàn)法測(cè)量電阻率。 硬件特點(diǎn)

專(zhuān)門(mén)針對(duì)薄膜材料的 Seebeck 系數(shù)和電阻率測(cè)量。

采用動(dòng)態(tài)法測(cè)量 Seebeck 系數(shù),避免了靜態(tài)測(cè)量在溫差測(cè)量上的系統(tǒng)誤差,測(cè)量更準(zhǔn)確。

采用四線(xiàn)法測(cè)量電阻率，測(cè)量更加穩(wěn)定可靠。

1. 實(shí)現(xiàn)功能：在室溫溫場(chǎng)下可同步測(cè)量Seebeck系數(shù)和電阻率；

2. 電勢(shì)測(cè)量：采集系統(tǒng)采用商業(yè)高分辨數(shù)字萬(wàn)用表；

3. 溫差測(cè)量：溫差精度控制：+/-0.1K，控溫速率：0.02–50K/min；溫差控制：0-80K ；

4. Seebeck系數(shù)和電阻測(cè)量方法：Seebeck系數(shù)-靜態(tài)直流法, 多溫差法，電阻率-四端法；

5. Seebeck系數(shù)測(cè)量范圍和分辨率：1μV/K-25V/K；測(cè)量分辨率：10nV/K；

6. 電阻率測(cè)量范圍和分辨率：0.2μO(píng)hmm-2.5Ohmm；測(cè)量分辨率：10nOhmm；

7. 測(cè)量精度：Seebeck 系數(shù) : +/- 7%，電阻率 : +/- 10%；

8. 樣品尺寸：直徑或正方形 6-12mm，長(zhǎng)度6-22mm，正反面電極均可；

9. 探頭測(cè)試間距：6, 8 mm，任選一種；

10. 外接電源：?jiǎn)蜗?20V ，50Hz；

11. 軟件：圖形化界面， windows 菜單，數(shù)據(jù)采集；加熱恒溫降溫溫度程序化設(shè)計(jì)；易于操作的菜單設(shè)計(jì)，測(cè)量結(jié)果可以txt，EXC