陜西天士立科技有限公司，專業(yè)從事半導(dǎo)體檢測之“半導(dǎo)體電學測試系統(tǒng)”“半導(dǎo)體可靠性試驗臺”“半導(dǎo)體老化試驗臺”以及氣候環(huán)境試驗設(shè)備、力學環(huán)境試驗設(shè)備、參數(shù)化脈沖電源、半導(dǎo)體EDA仿真軟件、智慧工廠、碳化硅陶瓷材料、第三方檢測實驗室為一體的科研、制造、開發(fā)、服務(wù)性品牌。核心團隊匯集了來自院所高校和企業(yè)的從事電力電子、芯片開發(fā)、電源、軟件等領(lǐng)域人士。產(chǎn)品成熟可靠，久經(jīng)市場考驗，在替代同類進口產(chǎn)品方面有著突出的優(yōu)勢。

“半導(dǎo)體檢測”系列產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體功率器件的初始研發(fā)到規(guī)模量產(chǎn)再到應(yīng)用端的全產(chǎn)業(yè)鏈。服務(wù)領(lǐng)域包括半導(dǎo)體器件及IC上游產(chǎn)業(yè)（設(shè)計、制造、封裝、IDM廠商、晶圓、DBC襯板）和應(yīng)用端產(chǎn)業(yè)（院所高校、電子廠、軌道機車、新能源汽車、白色家電等......）應(yīng)用場景主要有器件及IC研發(fā)期預(yù)演測試、晶圓廠自動化芯片測試、器件及IC后道封裝測試。應(yīng)用端的來料檢驗、失效分析、器件選型、參數(shù)配對、壽命預(yù)估等。

“環(huán)境試驗設(shè)備”包括力學振動臺、沖擊試驗臺、振動溫度濕度三綜合、高低溫環(huán)境試驗箱、各類氣候環(huán)境試驗箱、熱流儀、精密實時在線高低溫箱。

“電氣工程”產(chǎn)品系列及服務(wù)包括電力半導(dǎo)體器件、模塊、組件的研制及綜合檢測設(shè)備；電氣自動化設(shè)備，電冶、電化學整流裝置；電力半導(dǎo)體變流裝置及各種高、中、低頻感應(yīng)加熱電源，感應(yīng)加熱爐，變壓器、整流器、電感器、電容器、互感器、傳感器及其配套設(shè)備；晶閘管光控高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅(qū)動器；遠距離光電傳感轉(zhuǎn)換軟件控制系統(tǒng)；光電脈沖觸發(fā)板、IGBT智能高壓驅(qū)動機車調(diào)速匯報板；SVC無功靜補裝置等。

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產(chǎn)品簡介在線詢價

產(chǎn)地	國產(chǎn)	加工定制	否

氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA：“華則檢測”主要業(yè)務(wù)包含功率器件參數(shù)檢測、半導(dǎo)體可靠性檢測、半導(dǎo)體環(huán)境老化試驗分析、應(yīng)用級系統(tǒng)分析、半導(dǎo)體失效分析、車用分立器件可靠性測試認證、車用功率模塊可靠性測試認證、力學實驗、氣候環(huán)境實驗等領(lǐng)域

氮化鎵器件檢測試分析產(chǎn)品詳情

氮化鎵器件檢測試分析 ** 華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

“華則檢測”專業(yè)的第三方檢測機構(gòu)

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氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA：“華則檢測”專業(yè)的第三方檢測機構(gòu)。具有CNAS和CMA認證資質(zhì)，擁有多個設(shè)備、專業(yè)人員、制度規(guī)范的大型綜合“第三方公正檢測實驗單位”，對外提供檢測測試和驗證等服務(wù)。

氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA：“華則檢測”主要業(yè)務(wù)包含功率器件參數(shù)檢測、半導(dǎo)體可靠性檢測、半導(dǎo)體環(huán)境老化試驗分析、應(yīng)用級系統(tǒng)分析、半導(dǎo)體失效分析、車用分立器件可靠性測試認證、車用功率模塊可靠性測試認證、力學實驗、氣候環(huán)境實驗等領(lǐng)域，

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氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

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服務(wù)目錄

氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

一、失效分析測試·氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目：開短路檢測 4

(2) 檢測項目：漏電檢測 4

(3) 檢測項目：產(chǎn)品外觀或形貌確認 4

(4) 檢測項目：尺寸測量 4

(5) 檢測項目：超聲波檢測(SAT) 4

(6) 檢測項目：X-ray檢測 5

(7) 檢測項目：推拉力檢測 5

(8) 檢測項目：有害物質(zhì)檢測 5

(9) 檢測項目：剖面分析 5

(10) 檢測項目：樣品開封 5

二、電學檢測 ·氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目：直流參數(shù) 6

(2) 檢測項目：雪崩能量 6

(3) 檢測項目∶柵極電阻 6

(4) 檢測項目：開關(guān)時間（器件級） 6

(5) 檢測項目：開關(guān)時間（模塊級） 6

(6) 檢測項目：反向恢復(fù)（模塊級） 6

(7) 檢測項目：反向恢復(fù)（器件級） 6

(8) 檢測項目：柵極電荷（模塊級） 7

(9) 檢測項目：柵極電荷（器件級） 7

(10) 檢測項目：短路耐量能力（模塊級） 7

(11) 檢測項目：短路耐量能力（器件級） 7

(12) 檢測項目：結(jié)電容 7

(13) 檢測項目：熱阻性能（器件級） 7

(14) 檢測項目：熱阻性能（模塊級） 7

(15) 檢測項目：參數(shù)曲線掃描 8

(16) 檢測項目：ESD能力 8

(17) 檢測項目：正向浪涌能力 8

三、應(yīng)用系統(tǒng)檢測 ·氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目：電氣參數(shù) 9

(2) 檢測項目：保護功能測試 9

(3) 檢測項目：元器件應(yīng)力測試 9

(4) 檢測項目：電氣/抗電強度測試 9

(5) 檢測項目：絕緣電阻測試 10

(6) 檢測項目：接地電阻測試 10

(7) 檢測項目：低溫測試 10

(8) 檢測項目：高溫測試 10

(9) 檢測項目：高加速壽命/應(yīng)力測試 10

(10) 檢測項目：靜電放電抗擾度測試 10

(11) 檢測項目：雷擊浪涌抗擾度測試 10

(12) 檢測項目：電源端子騷擾電壓/傳導(dǎo)測試 11

四、可靠性測試 ·氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目：功率循環(huán)齷 (PC) 12

(2) 檢測項目：高溫門極試驗(HTGB) 12

(3) 檢測項目：低溫工作壽命試驗(LTOL) 12

(4) 檢測項目：低溫儲存試驗(LTSL) 12

(5) 檢測項目：高低溫循環(huán)試驗(TC) 12

(6) 檢測項目：穩(wěn)態(tài)功率試驗(SSOL) 12

(7) 檢測項目：無偏壓的高加速應(yīng)力試驗(UHAST) 13

(8) 檢測項目：預(yù)處理試驗(Pre-con) 13

(9) 檢測項目：高溫反偏試驗(HTRB) 13

(10) 檢測項目：高溫工作壽命試驗(HTOL) 13

(11) 檢測項目：高溫儲存試驗(HTSL) 13

(12) 檢測項目：高溫高濕試驗(THB) 13

(13) 檢測項目：間歇壽命試驗(IOL)功率循試驗(PC) 13

(14) 檢測項目：高加速應(yīng)力試驗(HAST) 14

(15) 檢測項目：高溫蒸煮試驗(PCT) 14

(16) 檢測項目：潮氣敏感度等級試驗(MSL) 14

(17) 檢測項目：可焊性試驗(Solderability) 14

一、失效分析測試·氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

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(1) 檢測項目：開短路檢測

? 覆蓋產(chǎn)品：IC

? 檢測能力：滿足128pin及以下引腳IC的open/short測試、曲線跟蹤分析、漏電流測試；Max電壓7V，電壓精度1mV，Max電流 500mA，電礪度 10nA；

? 執(zhí)行標準：客戶要求

(2) 檢測項目：漏電檢測

? 覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品

? 檢測能力：具有EMMI (微光)和TIVA (激光誘導(dǎo))兩種偵測方式；加電方式A：電壓20mV-200V，電流10nA-1A，電流精度 10fA；加電方式B：Max電壓3000V，Max電流5A。

? 執(zhí)行標準：客戶要求

(3) 檢測項目：產(chǎn)品外觀或形貌確認

? 覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品

? 檢測能力：立體成像/Max45倍；金相成像/Max1000倍；數(shù)碼成像/Max6000倍；

? 執(zhí)行標準：客戶要求

(4) 檢測項目：尺寸測量

? 覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品

? 檢測能力：立體成像/Max45倍；金相成像/Max1000倍；數(shù)碼成像/Max6000倍；

? 執(zhí)行標準：客戶要求

(5) 檢測項目：超聲波檢測(SAT)

? 覆蓋產(chǎn)品∶ IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品

? 檢測能力∶具有分層面積百分比計算，缺陷尺寸標識，厚度與距離測量等功能?？蛇M行A-scan（點掃描）、B-scan（縱向掃描）、 C-scan（橫向掃描）、Through-scan（透射掃描）。

? 執(zhí)行標準∶GuoJun標

(6) 檢測項目：X-ray檢測

? 覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品

? 檢測能力：High分辨率0.5um。具有空洞面積百分比計算，缺陷尺寸標識，厚度與距離測量等功能?？蛇M行二維掃描、三維CT掃描。

? 執(zhí)行標準：GuoJun標

(7) 檢測項目：推拉力檢測

? 覆蓋產(chǎn)品∶ IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品

? 檢測能力∶支持WP100和WP2.5KG二款拉力測試頭，測試范圍0- 2.5Kg;支持BS250、BS5KG和DS100KG三款推力測試頭，測試范圍0-100Kg，推刀接受面寬0-8891um。

? 執(zhí)行標準∶ GuoJun標

(8) 檢測項目：有害物質(zhì)檢測

? 覆蓋產(chǎn)品∶IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品

? 檢測能力∶ 支持鉛（Pb）、鎘（Cd）、汞（Hg）、六價鉻（Cr6+）、多溴聯(lián)苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE），以及鹵素等其他化學元素的檢測。主要元素Pb/Cd/Hg/Cr/BrMini檢測限可達2ppm。

? 執(zhí)行標準∶ IEC

(9) 檢測項目：剖面分析

? 覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品

? 檢測能力：金相樣品制備、樣品觀察、樣品染色。

? 執(zhí)行標準：客戶要求

(10) 檢測項目：樣品開封

? 覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品

? 檢測能力：激光開封、化學開封、樣品剝層。

? 執(zhí)行標準：客戶要求

二、電學檢測·氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

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(1) 檢測項目：直流參數(shù)

? 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產(chǎn)品；

? 檢測能力：檢測Max電壓7500V檢測Max電流6000A

? 執(zhí)行標準：國標，IEC

(2) 檢測項目：雪崩能量

? 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

? 檢測能力：檢測Max電壓2500V檢測Max電流200A

? 執(zhí)行標準：美軍標

(3) 檢測項目∶柵極電阻

? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件

? 檢測能力∶檢測阻抗∶0.1Ω～50Ω

? 執(zhí)行標準∶JEDEC

(4) 檢測項目：開關(guān)時間（器件級）

? 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體單管器件；

? 檢測能力：Max電壓1200V Max電流200A

? 執(zhí)行標準：美軍標，國標，IEC等

(5) 檢測項目：開關(guān)時間（模塊級）

? 覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品

? 檢測能力：檢測Max電壓2700V檢測Max電流4000A

? 執(zhí)行標準：國標，IEC

(6) 檢測項目：反向恢復(fù)（模塊級）

? 覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品

? 檢測能力：檢測Max電壓2700V檢測Max電流4000A

? 執(zhí)行標準：國標，IEC

(7) 檢測項目：反向恢復(fù)（器件級）

? 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

? 檢測能力：Max電壓1200V Max電流200A

? 執(zhí)行標準：美軍標，國標，IEC等

(8) 檢測項目：柵極電荷（模塊級）

? 覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品

? 檢測能力：檢測Max電壓2700V檢測Max電流4000A

? 執(zhí)行標準：國標，IEC

(9) 檢測項目：柵極電荷（器件級）

? 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

? 檢測能力：Max電壓1200V Max電流200A

? 執(zhí)行標準：美軍標，國標，IEC等

(10) 檢測項目：短路耐量能力（模塊級）

? 覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品

? 檢測能力：檢測Max電壓2700V，檢測Max電流10000A

? 執(zhí)行標準：國標，IEC

(11) 檢測項目：短路耐量能力（器件級）

? 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

? 檢測能力：檢測Max電壓1200V，檢測Max電流1000A；

? 執(zhí)行標準：美軍標，國標，IEC等

(12) 檢測項目：結(jié)電容

? 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體單管器件

? 檢測能力：檢測Max電壓3000V

? 執(zhí)行標準：IEC

(13) 檢測項目：熱阻性能（器件級）

? 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體單管器件

? 檢測能力：功率250W

? 執(zhí)行標準：美軍標，JEDEC

(14) 檢測項目：熱阻性能（模塊級）

? 覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品

? 檢測能力：Max功率4000W

? 執(zhí)行標準：美軍標，JEDEC

(15) 檢測項目：參數(shù)曲線掃描

? 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件的l-V、C-V曲線

? 檢測能力：檢測Max電壓3000V檢測Max電流1500A溫度-70°C~180°C

? 執(zhí)行標準：美軍標，IEC等

(16) 檢測項目：ESD能力

? 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、IC等產(chǎn)品

? 檢測能力：HBMMax電壓8000V；MMMax電壓800V

? 執(zhí)行標準：美軍標，ANSI，JEDEC等

(17) 檢測項目：正向浪涌能力

? 覆蓋產(chǎn)品：DIODE (Si/SiC)、整流橋；

? 檢測能力：Max電流800A

? 執(zhí)行標準：美軍標，國標

三、應(yīng)用系統(tǒng)檢測·氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

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(1) 檢測項目：電氣參數(shù)

? 覆蓋產(chǎn)品：開關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源，低壓DC/DC電源，直流充電樁電源模塊等)、電機控制板。

? 檢測能力：低壓AC/DC電源：單相Max輸入電壓/功率為 300V/3KVA；Max輸出電壓/功率：80V/1000W；低壓DC/DC電源：Max輸入電壓/功率為80V/1.2KW；Max輸出電壓/功率： 80V/1000W；直流充電樁電源模塊：三相Max輸入電壓/功率為 500V/30KVA；Max輸出電壓/功率：700V/30KW；電機控制板：直流輸入電壓/功率100V/5KW

? 執(zhí)行標準：國標，IEC，客戶要求等

(2) 檢測項目：保護功能測試

? 覆蓋產(chǎn)品：開關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源，低壓DC/DC電源，直流充電樁電源模塊等)、電機控制板。

? 執(zhí)行標準：國標，IEC，客戶要求等

(3) 檢測項目：元器件應(yīng)力測試

? 覆蓋產(chǎn)品：開關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源，低壓DC/DC電源，直流充電樁電源模塊等)、電機控制板、鋰電保護板。

? 檢測能力：Max峰值電壓：1.5KV；Max有效值/峰值電流：30A/50A；High溫度：260°C

? 執(zhí)行標準：元器件規(guī)格，客戶要求等

(4) 檢測項目：電氣/抗電強度測試

? 覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品

? 檢測能力：交流耐壓范圍：(0~5)KV/40mA；直流耐壓范圍：(0~6)KV/9999uA

? 執(zhí)行標準：國標，IEC，客戶要求等

(5) 檢測項目：絕緣電阻測試

? 覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品

? 檢測能力：(100~1K)Vdc/9999mΩ

? 執(zhí)行標準：國標，IEC，客戶要求等

(6) 檢測項目：接地電阻測試

? 覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品

? 檢測能力：30A/600mΩ

? 執(zhí)行標準：國標，IEC，客戶要求等

(7) 檢測項目：低溫測試

? 覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品

? 檢測能力：Mini溫度：-70℃

? 執(zhí)行標準：國標，IEC，客戶要求等

(8) 檢測項目：高溫測試

? 覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品

? 檢測能力：High溫度：~180℃

? 執(zhí)行標準：國標，IEC，客戶要求等

(9) 檢測項目：高加速壽命/應(yīng)力測試

? 覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品

? 檢測能力∶溫度范圍∶（-100～+200）℃℃;溫度上升速率∶平均（70°～100°）C/m; 加速∶（5-60）gRMS （空臺）

? 執(zhí)行標準∶國標，IEC，客戶要求等

(10) 檢測項目：靜電放電抗擾度測試

? 覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品

? 檢測能力∶接觸靜電放電電壓范圍∶（±2～±8）KV空氣靜電放電電壓范圍∶（±2～±25）KV

? 執(zhí)行標準∶國標，IEC，客戶要求等

(11) 檢測項目：雷擊浪涌抗擾度測試

? 覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品

? 檢測能力∶1.2/50us綜合波的開路電壓范圍∶（0.25～10）KV; 10/700us通訊波的開路電壓范圍∶（0～6）KV;輸出阻抗∶ 1.2/50us綜合波2Ω、12Ω和500Ω;10/700us通訊波15Ω和40Ω

? 執(zhí)行標準∶國標，IEC，客戶要求等；

(12) 檢測項目：電源端子騷擾電壓/傳導(dǎo)測試

? 覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品

? 檢測能力：9KHz~ 30MHz

? 執(zhí)行標準：國標，IEC，客戶要求等

四、可靠性測試·氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

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(1) 檢測項目：功率循環(huán)齷 (PC)

? 覆蓋產(chǎn)品∶IGBT模塊

? 檢測能力∶△Tj=100℃電壓電流Max1800A，12V

? 執(zhí)行標準∶ IEC 客戶自定義

(2) 檢測項目：高溫門極試驗(HTGB)

? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、SiC MOS等單管器件

? 檢測能力∶溫度High150℃;電壓High2000V

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(3) 檢測項目：低溫工作壽命試驗(LTOL)

? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

? 檢測能力∶溫度Mini-80℃ 電壓High2000V

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(4) 檢測項目：低溫儲存試驗(LTSL)

? 覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

? 檢測能力∶溫度Mini-80℃

? 執(zhí)行標準∶ 美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(5) 檢測項目：高低溫循環(huán)試驗(TC)

? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

? 檢測能力∶溫度范圍∶-80℃~220℃

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(6) 檢測項目：穩(wěn)態(tài)功率試驗(SSOL)

? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

? 檢測能力∶△Tj≥100℃，電壓電流Max48V，10A

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(7) 檢測項目：無偏壓的高加速應(yīng)力試驗(UHAST)

? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

? 檢測能力∶溫度130℃ 濕度85%

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(8) 檢測項目：預(yù)處理試驗(Pre-con)

? 覆蓋產(chǎn)品∶所有SMD類型器件

? 檢測能力∶設(shè)備滿足各個等級的試驗要求

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(9) 檢測項目：高溫反偏試驗(HTRB)

? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

? 檢測能力∶溫度High150℃; 電壓High2000V

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(10) 檢測項目：高溫工作壽命試驗(HTOL)

? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

? 檢測能力∶溫度High150℃，電壓High2000V

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(11) 檢測項目：高溫儲存試驗(HTSL)

? 覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

? 檢測能力∶溫度High150℃;

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(12) 檢測項目：高溫高濕試驗(THB)

? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

? 檢測能力∶溫度High180℃ 濕度范圍∶10%~98%

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(13) 檢測項目：間歇壽命試驗(IOL)功率循試驗(PC)

? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

? 檢測能力∶△Tj≥100℃ 電壓電流Max48V，10A

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(14) 檢測項目：高加速應(yīng)力試驗(HAST)

? 覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

? 檢測能力∶ 溫度130℃/110℃ 濕度85%

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(15) 檢測項目：高溫蒸煮試驗(PCT)

? 覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

? 檢測能力∶溫度121℃ 濕度1

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(16) 檢測項目：潮氣敏感度等級試驗(MSL)

? 覆蓋產(chǎn)品∶所有SMD類型器件

? 檢測能力∶設(shè)備滿足各個等級的試驗要求

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(17) 檢測項目：可焊性試驗(Solderability)

? 覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

? 檢測能力∶有鉛、無鉛均可進行

執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

五、其它測試·氮化鎵器件檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

圖片8.png

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