此款設備進料端配置對面雙工位手套箱，手套箱內(nèi)配置軌道及操作平臺，方便載料管的運輸和裝料。升華機出料端配置雙面四工位手套箱，手套箱內(nèi)設置有軌道及升降操作平臺方便取料、封裝及運輸手套箱可內(nèi)襯四氟或噴涂特氟龍起到防腐作用，半導體材料升華儀根據(jù)材料升華溫度、分子量的差異，對于材料進行提純，參數(shù)準確，工藝可靠穩(wěn)定，實驗結果表明，單次升華可大幅度降低有機材料中的雜質(zhì)金屬離子濃度，將材料的純度提升一至三個數(shù)量級。整個操作過程材料與大氣隔絕，避免了大氣中水、氧的影響以及灰塵的污染，是制備高純度半導體前驅體及相關材料的。

技術參數(shù)：

設備總長3800mm*1800mm*1850mm，爐體外殼采用鏡面 SUS304 不銹鋼。

石英外管尺寸：φ300X3000X5mm，高純石英材質(zhì)。

Max 加熱溫度：800℃；穩(wěn)溫精度：±1℃。

溫區(qū)：8個溫區(qū)，每個溫區(qū)上下個兩個控溫點，共16個溫控點

爐膛材質(zhì)：進口氧化鋁陶瓷纖維

爐膛尺寸分布：150+700+200+320+320+320+200+150mm

加熱絲材質(zhì)：進口Kanthal電阻絲

顯示屏：22寸PC

極限真空（空態(tài)、常溫）：5.0×10-5Pa

控制系統(tǒng)：全自動/半自動/手動

左端單工位手套箱連接左端法蘭，長度： 1220mm；深度：750mm；高度： 900mm

右端對面雙工位手套箱連接右端法蘭，長度： 2440mm；深度：1000mm；高度： 900mm