LET-2000系列半導體動態(tài)參數測試系統(tǒng) LET-2000D是滿足IEC60747-8/9、JESD24標準的半導體動態(tài)參數分析系統(tǒng)。旨在幫助工程師解決器件驗證、器件參數評估、驅動設計、PCB設計等需要半導體動態(tài)參數的場合。特別對于應用第三代半導體的需要，LET2000D有著較高的系統(tǒng)帶寬，可以有效的測量出實際的器件參數。 - 雙脈沖測試法可以測試 IGBT 模塊和驅動的性能，獲取 IGBT 穩(wěn)態(tài)和暫態(tài)過程中的主要參數，用以評估IGBT 模塊和驅動的性能，并進行電路參數的優(yōu)化。 - 具體包括測試 IGBT 的實際工況、開關損耗、關斷電壓尖峰、開關暫態(tài)震蕩情況、二極管反向恢復電流、雜散電感影響、吸收電路影響、 短路保護功能等， 可以通過測試進行優(yōu)化柵極電阻 RGON 和 RGOFF 參數、吸收電路參數、開關頻率設置等，并可以進行 IGBT 模塊的并聯和串聯實驗。
- 采用先發(fā)布的12 bit 示波器：正確反映波形的 細節(jié)，并準確計算出參數
- 采用先發(fā)布的光隔離、高CMRR探頭系統(tǒng)，解 決SIC/GAN的測試難點
- 高帶寬的電壓和電流探測，彌補一般系統(tǒng)對SIC/GAN 的測量要求
- 可以滿足上/下管測試，避免頻繁連接探頭
- 電壓覆蓋范圍寬、并可以再次擴展
- 器件驅動設計支持SIC/GAN器件
- 系統(tǒng)帶寬：>400MHz
-系統(tǒng)可以定制
軟件特點：
-測量參數齊全：開關參數、短路參數、反向恢復 參數
-支持器件類型多：單管/模塊，MOSFET、IGBT、 FWD、GTR…
-測試方式：單脈沖、多脈沖
- 離線數據分析：既可以在線測量，也可以記錄數據 離線分析
- 測試UI符合工程師的使用習慣
- 測量項目及器件支持擴展
