- 為65nm柵電介質(zhì)結(jié)構(gòu)NBTI和TDDB測(cè)試進(jìn)行優(yōu)化
- 加速可靠性建模的數(shù)據(jù)采集
- 通過(guò)自動(dòng)化并行晶圓上測(cè)試提高產(chǎn)出
- 為高度靈活的系統(tǒng)提供20或更多并行stress/measure通道
- 為每個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)提供獨(dú)立的stress/measure通道
以及時(shí)的方式滿足建模所需的大量可靠性數(shù)據(jù)比以往任何時(shí)候都重要,因?yàn)樾虏牧虾筒粩嗫s小的器件尺寸要求材料和器件工程師對(duì)柵電介質(zhì)的行為有更好的理解。使用新的高K材料建造的器件被迅速推向生產(chǎn),因此可靠性/壽命評(píng)估、工藝過(guò)程開(kāi)發(fā)和工藝集成的時(shí)間被縮短。在過(guò)去, stress-switch-measure測(cè)試曾經(jīng)是負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性(NBTI)和時(shí)間相關(guān)電介質(zhì)擊穿(TDDB) 測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn)方法。但是,這一配置的局限在于一次只能測(cè)量一到兩個(gè)器件,因此不能提供大量必需的數(shù)據(jù)來(lái)跟上目前更短的開(kāi)發(fā)周期。吉時(shí)利的S510自動(dòng)WLR測(cè)試器采用新方法進(jìn)行可靠性測(cè)試。專用的源/測(cè)量通道允許S510提供具有統(tǒng)計(jì)意義的數(shù)量的數(shù)據(jù),所需時(shí)間僅為典型的stress-switch-measure系統(tǒng)的三分之一。與配置了昂貴的源-測(cè)量單元(SMU)具有寬測(cè)量量程的系統(tǒng)不同,S510的SMU具有合適的源和測(cè)量量程,提供高速通道,專注于特定的并行NBTI和TDDB需求。
S510半導(dǎo)體可靠性測(cè)試系統(tǒng)相關(guān)應(yīng)用 :
- 并行晶圓級(jí)可靠性測(cè)試
- NBTI
- TDDB - 其它晶圓級(jí)可靠性測(cè)試
- CHC (HCI)
- 充電至擊穿
- 電遷移