Nanosurf NaioSTM掃描隧道顯微鏡
來自瑞士的超微一體化STM，輕松探究原子的世界
●很小的機械回路提供了出色的穩(wěn)定性
●5分鐘可達原子分辨率
●占地面積極小，易于擺放和攜帶
一臺掃描隧道顯微鏡 (STM) 是由葛爾德?賓尼Gerd Binnig和海因里希?羅雷爾Heinrich Rohrer兩位科學家于1981年在瑞士蘇黎世州Rüschlikon的IBM實驗室研制而成的，由此單個原子的局部表面樣貌次可以被實時地觀察到！他們也因這一全新的開創(chuàng)性成果贏得了1986年度的諾貝爾物理學獎。1997年,Nanosurf更進一步將單個原子帶進了教學課堂。
NaioSTM是一臺把掃描頭和控制器整合到單個儀器的超微型掃描隧道顯微鏡，因而它的安裝使用更加簡單方便，且便于攜帶。該裝置對振動干擾有很強的抵抗力，結構非常穩(wěn)固,可在普通教室環(huán)境下實現(xiàn)高定向熱解石墨（HOPG）的原子分辨。其204×204mm 的“腳印”大小幾乎不占什么工作臺空間。
精巧的設計
靈巧用心的設計非常符合納米教學的需求:該系統(tǒng)將掃描頭、控制器、氣流屏蔽與放大鏡集成一體,讓操作變得簡單,并具有穩(wěn)固的大理石基座進行防震。 很小的機械回路（<10mm）為在咖啡桌上或教室里實現(xiàn)原子分辨提供了穩(wěn)定性。配置的振動隔離支腳可進一步保護測量過程免受干擾,使系統(tǒng)在運行過程中非常穩(wěn) 定，測量更加精準。該系統(tǒng)不在高電壓下工作,即使新手也無安全問題。
帶氣流屏蔽的NaioSTM。配置放大鏡方便初始操作。
配置大理石基座的 NaioSTM:簡單穩(wěn)固的設置和測量。
易用性
精巧的設計不僅提供了良好的性能,而且使 NaioSTM 非常方便使用。在安裝方面,只需連接 2 根電纜:電源和 USB。因其非高壓和穩(wěn)固耐用的設計,學生或其他未經(jīng)培訓的用戶可以安全地使用它。掃描針尖只需從Pt/LR絲上剪切，不需要用有害物質(zhì)來蝕刻針尖。從設置到看到個成功的圖像的過程可以在幾分鐘內(nèi)實現(xiàn)。該儀器的軟件配備了直觀易學的向?qū)?，以指導您完成測量過程。
Nanosurf公司的用于小樣品和納米教育的超微一體化掃描隧道顯微鏡可以在幾分鐘內(nèi)設置好并進行測量。觀看此新視頻,了解測量HOPG是多么容易。了解如何剪切Pt/Ir絲自制您的掃描針尖,以及如何準備您的HOPG樣品。
同領域的一STM解決方案
從左到右STM的三代: Easyscan STM, Easyscan 2 STM, NaioSTM
歷經(jīng)20余載的積累和三代儀器研發(fā)，Nanosurf的一體化超微型掃描隧道顯微鏡已成為納米教育領域的一大STM的解決方案。由于其精巧的設計和精心打造，它被廣泛認為是在各種教育環(huán)境和基礎研究中進行掃描隧道顯微實驗的最理性選擇，目前有將近1500臺此儀器安裝實例。
第500臺 Easyscan
第1000臺安裝在德國Friedrichshafen的Claude-Dornier中學
它的使用非常簡易,教授和教師喜歡在NaioSTM上進行實驗演示,學生發(fā)現(xiàn),能夠成功地進行動手實驗,無需長時間的準備,這非常讓人歡欣鼓舞，躍躍欲試。
掃描隧道顯微鏡被認為是納米技術的基石之一。與NaioAFM一起,Nanosurf將原子級的納米技術帶入課堂,在物理、生物和化學領域探究新視野。
為什么Nanosurf 的STM在教室里如此受歡迎?
教師們欣賞 Nanosurf STM 的易用性 ,使他們能夠為學生提供快速、簡便而有效的課堂演示。
在使用NaioSTM操作練習時，快速地取得成功可以激勵探索中的學生們。
因為導電針尖無須再在有害物質(zhì)中蝕刻得到，只是從 Pt/Ir 絲上剪切即可，任何人都可以安全地使用 Nanosurf STM。
HOPG的STM原子晶格圖
黃金的層高STM圖量子力學，電荷密度
NaioSTM成像模式
以下描述為儀器所具備的所有模式。某些模式可能需要其他組件或軟件選項。詳情請瀏覽宣傳冊或直接聯(lián)系我們。
成像模式
恒電流模式(形貌)
恒高度模式(電流)
光譜模式
電流-電壓
電流-距離
刻蝕模式
圖案模式化
修改
NaioSTM的應用實例
高度定向熱解石墨HOPG的原子晶格
好的高度定向熱解石墨 (HOPG)的STM圖上您將看到由白色、灰色和黑點組成的圖案。石墨 STM 圖的正確解讀
是:亮點意味著較高的隧道電流，暗點意味著較低的隧道電流。
從石墨的晶格模型中可以看到,石墨晶格中有兩種不同的碳原子位置(見R.C.Tatar等人,Phys Rev B 25 (1982)
4126)。
2x2nm HOPG STM 圖, z-范圍 0.2nm
一種在下面的晶格上有相鄰原子(灰色),一種在下面的晶格沒有鄰居(白色)。因此,石墨表面的導電性有輕微變化
(不同的電子密度狀態(tài)),使沒有鄰居的原子顯得"高于"其他原子(例如,I.P. Batra等人 Surf Sci 181 (1987) 126)。
這還會導致淺色"小丘"之間的 HOPG 晶格常數(shù)0.25nm高于石墨晶格中最近的相鄰距離值0.14nm。
TaS2 表面
11x11nm 圖; z-范圍 0.8nm6x6nm 圖; z-范圍 0.8nm
觀察CDW的典型隧道參數(shù)是2-3 nA和10-20 mV間隙電壓。當電流增加到更高的值(30 - 40 nA)時,可以同時
看到原子晶格。
