產(chǎn)品特點Plasma Perform是面向科研及企業(yè)研發(fā)客戶使用需求設計的高性價比等離子體系統(tǒng)。作為一個多功能系統(tǒng)，它通過優(yōu)化的系統(tǒng)設計與靈活的系統(tǒng)配置方案，可以為用戶提供
大量的等離子體刻蝕與沉積的方案。該設備
結(jié)構(gòu)緊湊占地面積小，專業(yè)的機械設計與優(yōu)化的自動化操作軟件使得該設備操作簡便、安全，且工藝穩(wěn)定重復性高。
Plasma Perform通用性載片臺兼容2寸到8寸樣片，且支持真空進樣（loadlock)可以實現(xiàn)批量生產(chǎn)。
兼容PE模式與RIE模式。
下電極雙頻饋入模式可以使得我們RIE系統(tǒng)刻蝕效率更高且工藝窗口更寬，滿足用戶更加復雜的工藝要求。源自半導體行業(yè)的專業(yè)機械設計與控制使得工藝更加穩(wěn)定可靠。
特點:
ICP等離子體增強化學氣相沉積
特殊的進氣與天線設計保證等離子體均勻分布
加熱靜電屏蔽系統(tǒng)保證射頻安全
特殊的加熱設計保證下電極溫度均勻
自動化控制系統(tǒng)，完備的互鎖功能保證使用安全
優(yōu)勢
l 工藝性能優(yōu)異。
l 全自動化集成設備，完善的工藝控制軟件，舒適的人機交互體驗
l 系統(tǒng)設置多級管理權(quán)限，集簡易的操作體驗與嚴謹?shù)墓に嚬芸嘏c一體。
l 低成本，高性價比（兼容2到8寸樣品），且配制更加靈活。
技術(shù)參數(shù)經(jīng)過產(chǎn)業(yè)驗證的專業(yè)設計為Plasma Perform的工藝表現(xiàn)提供了強有力的保證
l 上、下電極溫度快速可控，為工藝過程提供穩(wěn)定的溫度環(huán)境。
l 多層勻氣系統(tǒng)及中心抽氣模式，保證樣品表面氣體分布更加均勻，提升工藝均勻性。
l PECVD工藝過程的雙頻模式可以實現(xiàn)沉積薄膜的應力可調(diào)。
l 下電極兩種溫區(qū)選擇（150度到400度與150度到700度），為您的工藝提供不同的選擇。
l RIE工藝過程的解耦雙頻（60MHz/2MHz)的選擇刻蝕刻蝕工藝獨立控制等離子體能量與等離子體密度，從而有效擴寬工藝窗口。
l 刻蝕過程等離子體約束機構(gòu)可以有效提高射頻能量利用率，提升刻蝕速率與穩(wěn)定性。
射頻誘導線圈的引入，為整個系統(tǒng)提供一個更加穩(wěn)定的射頻回路與環(huán)境，從而使得整個系統(tǒng)工藝過程穩(wěn)定。
應用領(lǐng)域l 光電器件、MEMS鈍化介質(zhì)材料及其它領(lǐng)域應（比如耐腐蝕層，抗磨損層）用高品質(zhì)氧化硅/氮化硅。
l 納米材料制備：ZnO, TiO2以及硅基納米材料等。
l 光電器件及MEMS工藝過程中介質(zhì)材料的刻蝕：SiO2, SiNx，TiN等
l 金屬刻蝕：Al, W等
l 聚合物刻蝕：光刻膠，聚酰亞胺等。
l III-V族刻蝕
