Quattro的場(chǎng)發(fā)射電子槍（FEG）確保了優(yōu)異的分辨率，通過不同的探測(cè)器選項(xiàng)，可以調(diào)節(jié)不同襯度信息，包括定向背散射、STEM和陰極熒光信息。來自多個(gè)多個(gè)探測(cè)器和探測(cè)器區(qū)分的圖像可以同步采集和顯示，使得單次掃描即可獲得樣品信息，從而降低電子束敏感樣品的束曝光并實(shí)現(xiàn)真正額動(dòng)態(tài)試驗(yàn)。Quattro的三種真空模式使得系統(tǒng)靈活性，可以容納泛的樣品類型，無論樣品導(dǎo)電、絕緣、潮濕或是在高溫條件下，均可獲得可靠的分析結(jié)果。Quattro的硬件有用戶向?qū)еС?，不僅可以指導(dǎo)操作者，還可以直接進(jìn)行交換，輕松縮短結(jié)果獲取時(shí)間。
金屬及合金、斷口、焊點(diǎn)、拋光斷面、磁性及超導(dǎo)材料
陶瓷、復(fù)合材料、塑料
薄膜/涂層
地質(zhì)樣品斷面、礦物
軟材料：聚合物、藥物、濾膜、凝膠、生物組織、植物材料
顆粒、多孔材料、纖維
水合/脫水/濕潤(rùn)/接觸角分析
結(jié)晶/相變
氧化/催化
材料生成
拉伸（伴隨加熱或冷卻）
發(fā)射源：高穩(wěn)定型肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍
分辨率：
型號(hào) Quattro C Quattro S 高真空 30 kV（STEM） 0.8 nm 30 kV（SE） 1.0 nm 1 kV（SE） 3.0 nm 高真空下減速模式 1 kV（BD+BSED） 3.0 nm 1 kV（BD+ICD） 2.1 nm 200 V（BD+ICD） 3.1 nm 低真空 30 kV（SE） 1.3 nm 3 kV（SE） 3.0 nm 30 kV（BSE） 2.5 nm 環(huán)境掃描模式 30 kV（SE） 1.3 nm
放大倍率：6 ~ 2,500,000×
加速電壓范圍：200 V ~ 30 kV
著陸電壓：20 eV~30 keV，電子束減速可選
探針電流范圍：1 pA ~ 200 nA，連續(xù)可調(diào)
樣品室：從左至右為340mm寬的大存儲(chǔ)空間，樣品室可拓展接口數(shù)量12個(gè)，含能譜儀接口3個(gè)（其中2個(gè)處于180°對(duì)角位置）
樣品臺(tái)和樣品：
探測(cè)器系統(tǒng)：
同步檢測(cè)多達(dá)四種信號(hào)，包括
樣品室高真空二次電子探測(cè)器ETD
低真空二次電子探測(cè)器LVD
氣體SED（GSED，用于環(huán)境掃描模式）
樣品室內(nèi)IR-CCD紅外相機(jī)（觀察樣品臺(tái)高度）
樣品導(dǎo)航彩色光學(xué)相機(jī)Nav-Cam™
珀?duì)柼_(tái)集成式STEM，用于觀察濕薄樣品- WetSTEM™
控制系統(tǒng)：
操作系統(tǒng)：64位GUI（Windows 7）、鍵盤、光學(xué)鼠標(biāo)
圖像顯示：24寸LCD顯示器，WUXGA 1920×1200
定制化的圖像用戶界面，可同時(shí)激活多達(dá)四個(gè)視圖
導(dǎo)航蒙太奇
軟件支持Undo和Redo功能
在自然狀態(tài)下對(duì)材料進(jìn)行預(yù)案為研究，具有環(huán)境真空模式（ESEM）的高分辨率場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡；
縮短樣品制備時(shí)間：低真空和環(huán)境真空技術(shù)可針對(duì)不導(dǎo)電和/或含水樣品直接成像和分析，樣品表面無荷電累積；在各種操作模式下分析導(dǎo)電和不導(dǎo)電樣品，同步獲取二次電子像和背散射電子像；
的分析性能，樣品倉可同時(shí)安裝3三個(gè)EDS探測(cè)器，其中2個(gè)EDS端口分開180°、WDS和共勉EDS/EBSD;
針對(duì)不導(dǎo)電樣品的分析性能：憑借“壓差真空系統(tǒng)”實(shí)現(xiàn)低真空模式下的精確EDS和EBSD分析；
靈活、精確的優(yōu)中心樣品臺(tái)，105°傾斜角度范圍，可觀察樣品；
軟件直觀、簡(jiǎn)便易用，并配置用戶向?qū)Ъ癠ndo（撤銷）功能，操作步驟減少，分析更快速；
全新創(chuàng)新選項(xiàng)，包括可伸縮RGB陰極熒光（CL）探測(cè)器、1100℃高真空熱臺(tái)和AutoScript；
