對傳統(tǒng)熱蒸發(fā)技術(shù)難以實現(xiàn)的材料蒸發(fā)，可采用電子束蒸發(fā)(E-beam Evaporation)的方式來實現(xiàn)。不同于傳統(tǒng)的輻射加熱和電阻絲加熱，高能電子束轟擊可實現(xiàn)超過3000℃的局域高溫，這使得絕大部分常用材料都可以被蒸發(fā)出來，甚至是高熔點的材料，例如，Pt，W，Mo，Ta以及一些氧化物，陶瓷材料等。矽碁提供的電子束蒸發(fā)源可承載1-6種不同的材料，實現(xiàn)多層膜工藝；蒸發(fā)源本身防污染設(shè)計，使得不同材料之間的交叉污染降到。
技術(shù)參數(shù)：
1 本底真空10-7 Torr；
2 基片臺可定制，單片或多片；
3 坩堝數(shù)量：1 ~ 6；
4 坩堝防污染設(shè)計；
5 石英晶振測量膜厚；
6 樣品可旋轉(zhuǎn)并加熱至：300℃/500℃/800℃；
7 可配備離子束輔助沉積；
8 可配備快速進樣室；
9 可與手套箱集成；
10 可根據(jù)用戶要求將其它鍍膜技術(shù)與電子束蒸發(fā)集成，例如磁控濺射，熱蒸發(fā)等。
11 全自動控制系統(tǒng)
