磁控濺射是物理氣相沉積技術(Physical Vapor Deposition, PVD)的一種。一般用于制備金屬、半導體、絕緣體等薄膜材料,具有設備簡單、易于控制、效率高,面積大等優(yōu)點。
磁控濺射原理:通過在靶陰極表面引入磁場,利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。
技術參數(shù):
1 本底真空:10-7Torr到10-9Torr;
2 單基片設計,尺寸可定制,常規(guī)尺寸2-6英寸;
3 基片可旋轉并加熱:300℃/500℃/800℃;
4 最多可拓展8支磁控濺射靶槍,可共濺射;
5 靶槍角度可調,濺鍍距離可調,可升級強磁靶;
6 可選配多路氣路;
7 防交叉污染隔板設計;
8 可配備離子束輔助沉積;
9 可配備樣品預清洗功能;
10 可配備快速進樣室;
11 可配備自動壓力控制系統(tǒng);
12 全自動操作系統(tǒng);