應用:用于SOI,MEMS,化合物半導體和高級襯底鍵合的低溫鍵合等離子體活化系統(tǒng)
一、簡介
EVG810 LT (LowTemp™)低溫鍵合等離子活化系統(tǒng)是一個單獨的單腔室系統(tǒng),具有手動操作功能。處理室允許非原位處理(晶片一個接一個地活化并且鍵合在等離子體活化室外部)。
二、特征
用于低溫鍵合的表面等離子體活化(熔合/分子和中間層鍵合)
任何晶圓鍵合機制的zui快動力學
無需濕法工藝
低溫退火時的zui高鍵合強度(zui高400°C)
適用于SOI,MEMS,化合物半導體和*封裝
高度的材料兼容性(包括CMOS)
三、參數(shù)
1.晶圓尺寸:50-200mm,100-300mm
2.低溫等離子活化腔:
工藝氣體:2種標準工藝氣體(N2和O2)
通用大流量控制器:自校準(高達20.000 sccm)
真空系統(tǒng):0.09 mbar
打開/關閉腔室:自動化
裝載/卸載腔室:手動(晶圓/基板放置在裝載銷上)
3.備選功能:
用于不同的晶圓尺寸的夾頭
金屬離子活化
帶有氣體混合的附加工藝氣體
帶渦輪泵的高真空系統(tǒng):0.009 mbar的基礎氣壓
4.符合LowTemp™等離子活化鍵合的材料系統(tǒng)
Si:Si / Si,Si / Si(熱氧化,Si(熱氧化)/ Si(熱氧化)
TEOS / TEOS(熱氧化)
絕緣體鍺(GeOI)的Si / Ge
硅/Si3N4
玻璃(無堿浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃
化合物半導體:GaAs,GaP,InP
聚合物:PMMA,環(huán)烯烴聚合物
用戶可以針對上述內容和其他材料使用“已知方法”配方(可根據要求提供完整列表)