南麟NP4N10MR-G規(guī)格N 100V 4A參數(shù)SOT23-3L
南麟NP4N10MR-G規(guī)格N 100V 4A參數(shù)SOT23-3L
南麟NP4N10MR-G規(guī)格N 100V 4A參數(shù)SOT23-3L
NP1N10MR
100 V N溝道增強(qiáng)模MOSFET
描述
示意圖
NP1N10MR采用*的溝槽技術(shù)。
提供優(yōu)良的RpsfoN,低柵電荷和高性能。
超低阻密度電池的設(shè)計(jì)。這
適用于負(fù)載開關(guān)或脈寬調(diào)制。
申請(qǐng)。
一般特征
S型
VOS=100 V,l,=1A
RDS(ON(Typ.)=580 mQ)
Rdson(Typ.)=630 mq
標(biāo)記和引腳分配
@VC=10V
@VES=4.5V
Sot-23-3L
(頂部視圖)
大功率電流處理能力
獲得無鉛產(chǎn)品
表面貼裝包裝
丁
三
應(yīng)用
NP1N10
PWM應(yīng)用
負(fù)載開關(guān)
包裝
HF RB
第二次
羅赫斯
Sot-23-3L
S型