南麟NP1216DR-G規(guī)格P -12V -16A DFN2*2-6L
南麟NP1216DR-G規(guī)格P -12V -16A DFN2*2-6L
南麟NP1216DR-G規(guī)格P -12V -16A DFN2*2-6L
NP1N10MR
100 V N溝道增強模MOSFET
描述
示意圖
NP1N10MR采用*的溝槽技術。
提供優(yōu)良的RpsfoN,低柵電荷和高性能。
超低阻密度電池的設計。這
適用于負載開關或脈寬調(diào)制。
申請。
一般特征
S型
VOS=100 V,l,=1A
RDS(ON(Typ.)=580 mQ)
Rdson(Typ.)=630 mq
標記和引腳分配
@VC=10V
@VES=4.5V
Sot-23-3L
(頂部視圖)
大功率電流處理能力