MPCVD方法合成金剛薄膜具有高純度、均勻性好、面積大等優(yōu)點(diǎn)，特別是在合成大面積金剛石薄膜方面，是其他方法難以與媲美的。歐美、日本已經(jīng)能夠提供高穩(wěn)定性MPCVD設(shè)備，供科研和生產(chǎn)使用。

Key words: MPCVD system； 高純度單晶金剛石（SCD）；polycrystalline diamond（PCD）；超納米晶金剛石（UNCD）；光學(xué)窗口/optical window；微波窗口/microwave window；high power；purity；uniformity；homoepitaxial growth；高功率電子器件；摻雜、B-doping；N-doping；微波等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備；金剛石單晶；高功率金剛石窗口；拉曼激光器。

我們的微波等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備（MPCVD system）產(chǎn)品特點(diǎn)：

1、*的腔體設(shè)計(jì)及耦合方式，為等離子球的均勻性及鋪展性提供了可靠的保障。

2、*的天線設(shè)計(jì)使得plasma-wall幾乎無反應(yīng)，可獲得高純度的等離子體，從而合成高純度金剛石薄膜。

3、*的能夠供給方式，功率：6KW ,35KW；根據(jù)不同的微波功率，生長速度可控：5-50 μm/hr。

4、可用于沉積高品質(zhì)單晶（single crystal diamodn/homoepitaxy growth）、多晶（polycrystalline diamond）、納米晶（namocrystalline diamond）；

5. 用我們的設(shè)備可以沉積大面積光學(xué)級金剛石薄膜(PCD for high power laser output window and high power microwave window)：可達(dá)直徑8英寸以上，厚度可達(dá)幾個(gè)mm；

    也可以獲得高純度單晶金剛石(SCD)，N含量可以達(dá)到ppm，ppb，甚至是無雜質(zhì)無色透明單晶;

    也可以進(jìn)行摻雜研究(for N-dopingP-dopingB-Doping as P-type or N-type semiconductors)

    還可以進(jìn)行多種子同時(shí)沉積，進(jìn)行大規(guī)模單晶金剛石生產(chǎn)（Multiple-seeds growth）。

該設(shè)備可用于工具級、熱沉級、光學(xué)級、電子級大面積高品質(zhì)金剛石薄膜的合成。歡迎新老客戶咨詢，本公司將為您的科研、生產(chǎn)量身推薦的設(shè)備配置，提供更詳細(xì)的工藝生長計(jì)劃！

With our MPCVD system, you can grow single crystal diamond （SCD）/ monocrystal diamond which has the lowest inpurity. And you can also grow large polycrystalline diamond （PCD）for high power laser window or high power microwave window, the diameter ranges from 4 to 8’’ or even larger, and the thickness is from 1mm to several mm.